[发明专利]内置绝缘栅双极晶体管的半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置(50)，其中，

具有：半导体衬底(SUB)；第一导电型的第一半导体区域(10)，形成在所述半导体衬底内；第一导电型的MOS晶体管(PQ)，形成在所述半导体衬底表面，

所述第一导电型的MOS晶体管包括：栅电极(21)；源电极(23)；漏电极(24)；第二导电型的第二半导体区域(12a)，利用所述栅电极和所述源电极的电位差形成沟道，并且，形成在所述第一半导体区域内，且与所述漏电极电连接；第一导电型的第三半导体区域(19a)，形成在所述第二半导体区域内，并且，与所述源电极电连接；第一导电型的第四半导体区域(19b)，形成在所述第二半导体区域内，并且，与所述漏电极电连接，

该半导体装置(50)还具有：

第二导电型的第五半导体区域(12b、25)，形成在所述第一半导体区域内，并且，隔着所述第一半导体区域与所述第二半导体区域对置，并且与所述栅电极电连接；

电极(27)，经由绝缘膜形成在被所述第二半导体区域和所述第五半导体区域夹持的所述第一半导体区域上，并且，与所述栅电极电连接。

2.如权利要求1所述的半导体装置(50)，其中，还具有：

双极晶体管(BT)，包括：第一导通节点(3)，与所述第一导电型的MOS晶体管(PQ)的所述源电极(23)电连接；第二导通节点，与第二电极节点(4)连接；基极节点(5)，与所述第一导电型的MOS晶体管的所述漏电极(24)电连接；

第二导电型的MOS晶体管(NQ)，连接在所述第二电极节点和所述双极晶体管的所述基极节点(5)之间，根据控制信号有选择地导通，在导通时，将所述第二电极节点和所述双极晶体管的所述基极节点电连接；

PN结二极管(Di)，具有：阴极，与所述第二导电型的MOS晶体管的栅电极(21)电连接；阳极，与所述第二电极节点电连接。

3.一种半导体装置(50)，其中，

具有：半导体衬底(SUB)；第一导电型的第一半导体区域(10、30)，形成在所述半导体衬底内；第一导电型的MOS晶体管(PQ)，形成在所述半导体衬底表面，

所述第一导电型的MOS晶体管包括：栅电极(21)；源电极(23)；漏电极(24)；第二导电型的第二半导体区域(12a)，利用所述栅电极和所述源电极的电位差形成沟道，并且，形成在所述第一半导体区域内，并且与所述漏电极电连接；第一导电型的第三半导体区域(19a)，形成在所述第二半导体区域内，并且，与所述源电极电连接；第一导电型的第四半导体区域(19b)，形成在所述第二半导体区域内，并且与所述漏电极电连接，

该半导体装置(50)还具有：第二导电型的第五半导体区域(12b、25)，形成在所述第一半导体区域内，并且隔着所述第一半导体区域与所述第二半导体区域对置，并且与所述栅电极电连接，

所述第一半导体区域包括：高浓度区域(30)，形成在被所述第二半导体区域和所述第五半导体区域夹持的所述半导体衬底表面；低浓度区域(10)，第一导电型的杂质浓度比所述高浓度区域低。

4.如权利要求3所述的半导体装置(50)，其中，还具有：

双极晶体管(BT)，包括：第一导通节点(3)，与所述第一导电型的MOS晶体管(PQ)的所述源电极(23)电连接；第二导通节点，与第二电极节点(4)连接；基极节点(5)，与所述第一导电型的MOS晶体管的所述漏电极(24)电连接；

第二导电型的MOS晶体管(NQ)，连接在所述第二电极节点和所述双极晶体管的所述基极节点(5)之间，根据控制信号有选择地导通，在导通时，将所述第二电极节点和所述双极晶体管的所述基极节点电连接；

PN结二极管(Di)，具有：阴极，与所述第二导电型的MOS晶体管的栅电极(21)电连接；阳极，与所述第二电极节点电连接。