[发明专利]金属氧化物半导体P-N结萧基二极管结构及其制作方法

权利要求书

1.一种金属氧化物半导体P-N结萧基二极管制作方法，该方法至少包含下列步骤：

提供一基板；

于该基板上形成一第一掩模层；

对该基板进行一第一光刻蚀刻工艺，进而去除部分该第一掩模层并于该基板上形成一沟渠结构；

于该沟渠结构内进行一第一离子注入工艺，进而于该基板中形成一第一深度注入区域；

对该基板进行一第二光刻蚀刻工艺，进而去除部分该第一掩模层以形成一侧壁结构；

于该基板的表面与该侧壁结构上形成一第二掩模层；

对该基板进行一第三光刻蚀刻工艺，进而于该沟渠结构中形成一栅极结构；

于该沟渠结构内进行一第二离子注入工艺，进而于该基板中形成相邻于该第一深度注入区域的一第二深度注入区域；

于光致抗蚀剂去除后，于该沟渠结构内进行一第三离子注入工艺，进而于该基板中形成相邻于该第二深度注入区域的一第三深度注入区域；

对该基板进行一第四光刻蚀刻工艺，进而移除部分该栅极结构并露出部分该基板的表面；

于该基板的表面、该栅极结构与该侧壁结构上形成一金属层；以及

对该基板进行一第五光刻蚀刻工艺，进而去除掉部分该金属层。

2.如权利要求1所述的金属氧化物半导体P-N结萧基二极管制作方法，其中该基板为一高掺杂浓度N型硅基板与一低掺杂浓度N型外延层所构成，而于该沟渠结构内所进行的该第一离子注入工艺可在该基板所包含的该低掺杂浓度N型外延层中形成P型传导类型的该第一深度注入区域，且该第一离子注入工艺利用硼离子注入并配合进行一热退火工艺后形成该第一深度注入区域，该第二离子注入是以一深层离子注入的方式将硼离子注入，而该第三离子注入是以一浅层离子注入的方式将硼离子注入，并配合一快速热退火工艺后形成该第二深度注入区域与该第三深度注入区域；其中该第一掩模层为通过一氧化工艺所完成的一氧化层，而该第二掩模层包含有一第一氧化层、一聚合物层与一第二氧化层，而形成该第二掩模层的方法包含下列步骤：

于该基板的表面上形成该第一氧化层；

以一化学气相沉积法于该第一氧化层与该侧壁结构上形成该聚合物层；以及

进行一聚合物氧化工艺，进而使部分该聚合物层氧化而形成该第二氧化层；其中该金属层包含：一第一金属层，形成于该基板的表面、该栅极结构与该侧壁结构上，其是以一钛金属或氮化钛所完成；以及一第二金属层，形成于该第一金属层上，其是以一铝金属或其他金属所完成，且该第一金属层形成于该基板的表面、该栅极结构与该侧壁结构上后进行一快速氮化工艺，进而使得该第一金属层能完全的接着于该基板的表面、该栅极结构与该侧壁结构上。