[发明专利]大功率半导体微腔发光二极管

权利要求书

1.大功率半导体微腔发光二极管，其特征在于从下至上设有底部分布布拉格反射镜和腔区。

2.如权利要求1所述的大功率半导体微腔发光二极管，其特征在于分布布拉格反射镜是由两种折射率不同的材料以层厚为四分之一中心波长交替生长形成的。

3.如权利要求1所述的大功率半导体微腔发光二极管，其特征在于在腔区上设有顶部分布布拉格反射镜，或顶部金属反射镜。

4.如权利要求1所述的大功率半导体微腔发光二极管，其特征在于所述顶部分布布拉格反射镜为n型分布布拉格反射镜。

5.如权利要求1所述的大功率半导体微腔发光二极管，其特征在于所述底部分布布拉格反射镜为p型分布布拉格反射镜。

6.如权利要求1所述的大功率半导体微腔发光二极管，其特征在于所述顶部金属反射镜为顶部金反射镜，顶部银反射镜或顶部铝反射镜。

7.如权利要求1所述的大功率半导体微腔发光二极管，其特征在于n型分布布拉格反射镜、腔层、p型分布布拉格反射镜均为在衬底上通过金属有机物化学气相淀积法或分子束外延法生长而成。

8.如权利要求1所述的大功率半导体微腔发光二极管，其特征在于当有源区的折射率n₀大于构成DBR的高折射率材料的折射率n_H时，DBR生长顺序为HL...HL+腔区。

9.如权利要求1所述的大功率半导体微腔发光二极管，其特征在于当有源区的折射率n₀小于构成DBR的低折射率材料的折射率n_L时，DBR生长顺序为LH...LH+腔区。