[发明专利]一种阻变存储器及其制备方法

权利要求书

1.一种阻变存储器，为MIM结构，该MIM结构的底层和顶层分别为金属电极，其特 征在于，该MIM结构的中间层为聚对二甲苯聚合物膜，随着所述底层和顶层之间的电压 的改变，所述中间层的阻值会发生高阻和低阻之间的转变。

2.如权利要求1所述的阻变存储器，其特征在于，所述聚对二甲苯聚合物膜的厚度为 50-150nm。

3.如权利要求1或2所述的阻变存储器，其特征在于，所述顶层电极为Al、Cu、Ag 或Ti。

4.如权利要求3所述的阻变存储器，其特征在于，所述底层电极为W或Pt。

5.如权利要求3所述的阻变存储器，其特征在于，所述顶层电极的厚度在200nm和 500nm之间。

6.如权利要求4所述的阻变存储器，其特征在于，所述底电极的厚度在100nm和250nm 之间。

7.如权利要求1或2所述的阻变存储器，其特征在于，所述聚对二甲苯聚合物为聚对 二甲苯C型、聚对二甲苯N型或聚对二甲苯D型。

8.如权利要求1所述的阻变存储器的制备方法，其步骤包括：

1)在硅衬底上生长一绝缘层；

2)溅射一金属层，作为底层电极；

3)淀积一聚对二甲苯聚合物膜；

4)溅射一金属层，光刻、剥离定义顶层电极。

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述步骤3)具体为：采用聚对二甲苯Polymer  CVD方法淀积聚对二甲苯聚合物膜，为真空淀积，淀积速度在1nm/min和10nm/min之间。

10.如权利要求8或9所述的方法，其特征在于，所述步骤3)之后，光刻、RIE刻蚀 聚对二甲苯聚合物膜，定义出底电极引出通孔，通过填充顶层电极金属材料引出底层电极。