[发明专利]可调节图形尺寸的掩模版及其制造方法有效
申请号: | 200910080573.9 | 申请日: | 2009-03-20 |
公开(公告)号: | CN101840150A | 公开(公告)日: | 2010-09-22 |
发明(设计)人: | 郭建;周伟峰;明星 | 申请(专利权)人: | 北京京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | G03F1/14 | 分类号: | G03F1/14;G03F1/08 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 刘芳 |
地址: | 100176 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 调节 图形 尺寸 模版 及其 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及显示技术,特别是一种可调节图形尺寸的掩模版及其制造方法。
背景技术
薄膜晶体管液晶显示器(Thin Fi1m Transistor Liquid Crystal Disp1ay,以下简称TFT-LCD)因具有体积小、功耗低、无辐射等特点,在当今平板显示器占据了主导地位。为了有效降低TFT-LCD的制造成本,在TFT-LCD阵列基板结构的制造过程中广泛使用掩模版,掩模版的成本是TFT-LCD制造成本的重要组成部分。
在掩模版的制造过程中,需要在基板上形成制造TFT-LCD阵列基板所需形成的各种图形,例如:在基板上形成栅线、数据线、TFT沟道和过孔等图形。发明人在实现本发明过程中发现,现有技术中,一旦掩模版制造过程结束后,所形成的图形结构固定在基板上,很难再发生变化。如果在掩模版制造结束之后,掩模版的设计条件发生变化,例如:根据实际工艺要求需要调整掩模版上所形成的图形中的TFT沟道宽度、信号线宽度或过孔直径等尺寸,或者,由于掩模板部分区域的孔径大小制作不均匀需要进行调整时,现有技术只能根据具体设计要求重新制造掩模版,从而增加了掩模版的制造成本。
发明内容
本发明的目的是提供一种可调节图形尺寸的掩模版及其制造方法,用以实现掩模版上形成的图形尺寸的可控性。
为实现上述目的,本发明提供了一种调节图形尺寸的掩模版,包括基板,所述基板上形成有相互搭接的挡光材料层和压电陶瓷材料层,形成有所述挡光材料层和所述压电陶瓷材料层以外的基板区域为透光区域,且所述透光区域与所述压电陶瓷材料层相邻。
在上述技术方案的基础上,所述挡光材料层上还形成有用于对所述压电陶瓷材料层进行加压控制的控制电路。所述压电陶瓷材料层位于所述挡光材料层的下方或上方。所述压电陶瓷材料层可包括:钛酸钡薄膜或锆钛酸铅薄膜。优选的,所述压电陶瓷材料层的厚度为
为实现上述目的,本发明还提供了一种可调节图形尺寸的掩模版的制造方法,包括:
步骤11、在基板上形成挡光材料薄膜;
步骤12、在步骤11形成的基板上,通过第一次构图工艺,形成挡光材料层;
步骤13、在步骤12形成的基板上,形成压电陶瓷材料薄膜;
步骤14、在步骤13形成的基板上,通过第二次构图工艺,形成压电陶瓷材料层,所述压电陶瓷材料层搭接在所述挡光材料层上,并与所述压电陶瓷材料层和所述挡光材料层以外的透光区域相邻。
在上述技术方案的基础上,在所述挡光材料层上还可形成用于对所述压电陶瓷材料层进行加压控制的控制电路。
为实现上述目的,本发明还提供了另一种可调节图形尺寸的掩模版的制造方法,包括:
步骤21、在基板上形成压电陶瓷材料薄膜;
步骤22、在步骤21形成的基板上,通过第一次构图工艺,形成压电陶瓷材料层;
步骤23、在步骤22形成的基板上,形成挡光材料薄膜;
步骤24、在步骤23形成的基板上,通过第二次构图工艺,形成挡光材料层,所述挡光材料层搭接在所述压电陶瓷材料层上,与所述压电陶瓷材料层和所述挡光材料层以外的区域为透光区域,所述压电陶瓷材料层与所述透光区域相邻。
在上述技术方案的基础上,在所述挡光材料层上还可形成用于对所述压电陶瓷材料层进行加压控制的控制电路。
通过上述分析可知,本发明提供的可调节图形尺寸的掩模版及其制造方法,如果在掩模版制造过程中,采用压电陶瓷材料作为掩模版形成图形的边缘区域,那么,当掩模版制造完成后,由于工艺条件改变等原因需要调整掩模版图形尺寸时,可通过对压电陶瓷材料进行加压控制,从而对掩模版上的图形尺寸进行调整,而不需要重新制备新的掩模版,降低了生产制造的成本,并有利于缩短生产周期。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明可调节图形尺寸的掩模版第一实施例结构示意图;
图2为本发明可调节图形尺寸的掩模版第二实施例结构示意图;
图3为图2中A-A’向剖面图;
图4为本发明可调节图形尺寸的掩模版第三实施例结构示意图;
图5为本发明可调节图形尺寸的掩模版制造方法实施例流程图;
图6为本发明可调节图形尺寸的掩模版制造方法另一实施例流程图。
附图标记说明:
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京京东方光电科技有限公司,未经北京京东方光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200910080573.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:用于金属表面磷化替代处理剂及其制备方法
- 下一篇:带有挂式衣架的蒸汽洗衣机
- 同类专利
- 专利分类
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备