[发明专利]制备莫来石晶须的配方及方法无效

专利信息
申请号: 200910069218.1 申请日: 2009-06-11
公开(公告)号: CN101570895A 公开(公告)日: 2009-11-04
发明(设计)人: 杜海燕;张鹏宇;许睿;刘家臣 申请(专利权)人: 天津大学
主分类号: C30B29/62 分类号: C30B29/62;C30B29/34;C30B9/00;C30B33/10;C01B33/26
代理公司: 天津市北洋有限责任专利代理事务所 代理人: 王 丽
地址: 300072天津*** 国省代码: 天津;12
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 制备 莫来石晶须 配方 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种熔制备莫来石晶须的配方及方法,属于新材料技术领域。

背景技术

为制备高温下具有优异力学性能以及抗热震性的部件,例如应用在汽车发动机过滤网、航空航天发动机喷口、核工业水冷却循环管道等方面,需要一种能够在高温(1300℃以上)对基体进行补强的第二相材料。由于现有的碳化硅晶须、碳化硼晶须、碳晶须、钛酸钾晶须等易被氧化、分解温度低,其不能在高温下对基体材料进行稳定、有效的补强。对于上述应用,莫来石晶须由于优异的化学稳定性,且力学性能高温下不下降反而有所增加,已被证明是最有前途的高温补强材料。现有熔盐法制备的莫来石晶须分散程度高、粒径分布均匀、长径比高,但莫来石产率大约在90%,影响了莫来石晶须的应用。

发明内容

本发明的目的在于利用熔盐法合成高纯度莫来石晶须粉体。利用莫来石晶须优异的化学稳定性,且力学性能高温下不下降反而有所增加,制备能够在高温(1300℃以上)对基体进行补强的第二相材料。针对已有熔盐法按照化学计量比配料不能合成出高纯度的莫来石晶须,对熔盐法配料比例进行优化,后对合成出的莫来石晶须进行化学处理,从而获得高纯度的莫来石晶须产品。

为达到上述目的,本发明是通过下述技术方案加以实现的:

本发明的一种制备莫来石晶须的配方,原料组成及重量百分比如下:

无水硫酸铝       25.5-29.7%,

无定形二氧化硅   4.3-8.5%,

无水硫酸钠       66.0%。

本发明的制备莫来石晶须的方法:

1)将配料采用机械球磨法,以高纯氧化锆球进行干磨,获得混合均匀的粉料,在1001-1050℃加热并保温6-8h,冷却后水洗除去硫酸钠,烘干获得产物莫来石晶须;

2)将步骤1)的产物加入氢氟酸,氢氟酸与产物体积比0.5-2∶1,氢氟酸浓度5-15%,浸洗时间10-60min,再加入乙醇溶解SiF4杂质,浸洗时间10-60min,过滤后得到产物。

利用盐类在高温下形成的熔体有利于晶体的异向生长,合成按照特定方向生长的晶体。在加热过程中硫酸铝首先与硫酸钠形成二元系熔体液相,随着温度升高,硫酸铝分解并与无定形二氧化硅发生如下反应:

3Al2(SO4)3+2SiO2=3Al2O3·2SiO2+9SO3

此反应过程中生成的莫来石在硫酸钠高温熔体中达到一定饱和度后析出形核,在熔体提供的液相环境下莫来石晶核按照其晶体生长惯习面生长,形成针状莫来石晶须。由于采用富硅配料,产物中有二氧化硅剩余。

对熔盐法合成的莫来石晶须产物进行纯化处理,引入氢氟酸,去除产物中剩余的二氧化硅,发生如下反应:

4HF+SiO2=SiF4+2H2O

再引入乙醇溶解SiF4杂质,过滤后得到产物经扫描电镜检测莫来石晶须直径在100-200nm,长度在4-8μm,莫来石晶须纯度可达到98-100wt%。

本发明的优点在于:通过改变熔盐法制备莫来石晶须的原料配比,并对合成产物进行后处理,在保留熔盐法合成的莫来石晶须分散程度高、粒径分布均匀、长径比高的优点基础上,提高合成的莫来石晶须纯度,产物中没有二氧化硅及氧化铝杂质。

具体实施方式

实例1:

原料采用无水硫酸铝28.9wt%;无定形二氧化硅5.1wt%;无水硫酸钠66.0wt%,用机械球磨法,以高纯氧化锆球球磨4h,获得混合均匀的粉料。获得的粉料在1020℃加热并保温7h,升温速率为300℃/h,熔烧后的粉料随炉冷却至室温。所得产物用90℃的水反复冲洗、过滤,除去产物中的硫酸钠,直至用硝酸钡溶液滴定不再出现沉淀为止,随后100℃下干燥。在10wt%氢氟酸中按照与产物体积比1∶1加入干燥产物,浸洗30min后,后用乙醇浸洗20min。后经在100℃干燥,得到高纯度的莫来石晶须。X射线衍射分析表明,产物中没有二氧化硅及氧化铝剩余,莫来石相为产物中唯一晶相,纯度接近100%。扫描电子显微镜显示,生成的莫来石晶须分散良好,晶须长约为5μm、直径约为200nm,长径比达到25。

实例2:

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津大学,未经天津大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200910069218.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top