[发明专利]电容器制作方法有效
| 申请号： | 200910056280.7 | 申请日： | 2009-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN101996860A | 公开（公告）日： | 2011-03-30 |
| 发明（设计）人： | 罗飞;邹立 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/28;H01L21/3115 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 20120*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电容器 制作方法 | ||
1.一种电容器制作方法，包括：
提供层间介质层以及贯穿所述层间介质层的互连结构；
在所述层间介质层上依次沉积刻蚀阻挡层，第一绝缘层，对所述的第一绝缘层表面进行磷离子注入，形成磷掺杂的中间绝缘层；
在磷掺杂的中间绝缘层上形成第二绝缘层；
依次刻蚀所述第二绝缘层，磷掺杂的中间绝缘层，第一绝缘层形成沟槽，所述沟槽的位置与所述互连结构的位置对应；
刻蚀所述沟槽，使沟槽宽度增加，并使沟槽底部宽度接近沟槽顶部的宽度；
去除所述刻蚀阻挡层；
在所述沟槽内壁依次沉积掺杂多晶硅层和非掺杂多晶硅层；
进行高温退火；
在所述沟槽内壁形成位于非掺杂多晶硅层上的半球状多晶硅颗粒；
沉积覆盖所述非掺杂多晶硅层以及半球状多晶硅颗粒的介电层；沉积覆盖所述介电层的上电极。
2.根据权利要求1所述的电容器制作方法，其特征在于，所述磷掺杂的中间绝缘层中磷离子的掺杂浓度大于3.0E20atoms/cm3。
3.根据权利要求2所述的电容器制作方法，其特征在于，对所述的第一绝缘层表面进行磷离子注入，形成磷掺杂的中间绝缘层的工艺为离子束注入工艺或者等离子体处理注入工艺。
4.根据权利要求3所述的电容器制作方法，其特征在于，离子束注入工艺中，磷离子注入的能量范围为5～100KeV，离子注入的剂量范围为1.0E14～5.0E16atoms/cm2。
5.根据权利要求1所述的电容器制作方法，其特征在于，高温退火的温度范围为400～800摄氏度，退火时间范围为5分钟～2小时。
6.根据权利要求1所述的电容器制作方法，其特征在于，所述的磷掺杂的中间绝缘层的厚度范围为50埃～800埃，
7.根据权利要求1所述的电容器制作方法，其特征在于，所述第一绝缘层为掺磷氟硅玻璃，所述第二绝缘层为掺磷的TEOS。
8.根据权利要求1所述的电容器制作方法，其特征在于，所述沟槽的深宽比范围为10∶1～50∶1。
9.根据权利要求1所述的电容器制作方法，其特征在于，所述介电层为氧化铝。
10.根据权利要求1所述的电容器制作方法，其特征在于，所述上电极为氮化钛。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
