[发明专利]半导体安装装置以及半导体安装方法有效
| 申请号： | 200880113932.X | 申请日： | 2008-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN101842888A | 公开（公告）日： | 2010-09-22 |
| 发明（设计）人： | 浅山宣明 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 王岳;王忠忠 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 安装 装置 以及 方法 | ||
1.一种半导体安装装置，具有加热台和加热工具，其中，该加热台用于搭载带基材上形成有导体配线的挠性基板，该加热工具用于保持半导体芯片且将该半导体芯片搭载至上述加热台上的上述挠性基板；
通过上述加热工具，使上述半导体芯片的外部连接部与上述挠性基板的半导体芯片搭载区域的电极部进行位置对准，并进行热压接，该半导体安装装置的特征在于：
具有用于将上述挠性基板固定于上述加热台的固定部件，其中，
该固定部件的内部设有用于向上述挠性基板的半导体芯片搭载区域喷出气体的气体喷出机构。
2.根据权利要求1所述的半导体安装装置，其特征在于：
上述气体喷出机构喷出5～100℃的气体。
3.根据权利要求1所述的半导体安装装置，其特征在于：
上述气体喷出机构喷出100～250℃的气体。
4.根据权利要求1至3中任意一项所述的半导体安装装置，其特征在于：
上述固定部件利用由上述气体喷出机构的气体喷出所产生的气压，将上述挠性基板固定于上述加热台。
5.根据权利要求1至4中任意一项所述的半导体安装装置，其特征在于：
上述气体喷出机构具有多个喷出口。
6.根据权利要求1至5中任意一项所述的半导体安装装置，其特征在于：
设有多个上述固定部件，且在该多个上述固定部件的各个中，设有上述气体喷出机构。
7.根据权利要求1至6中任意一项所述的半导体安装装置，其特征在于：
上述气体喷出机构喷出0.05～1.0MPa的气体。
8.根据权利要求1至7中任意一项所述的半导体安装装置，其特征在于：
具有用于使形成为长条状的上述挠性基板沿着长边方向移动的移动机构。
9.一种半导体安装方法，其用于使半导体芯片的外部连接部与加热台上的挠性基板的半导体芯片搭载区域的电极部进行位置对准，并进行热压接，将上述半导体芯片安装于上述挠性基板，该半导体安装方法的特征在于包括：
在将上述半导体芯片搭载于上述挠性基板的半导体芯片搭载区域之前，向通过上述加热台进行加热的上述挠性基板的、形成有电极部的半导体芯片搭载区域喷出气体的工序。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
