[发明专利]Ⅲ族氮化物半导体发光元件及其制造方法和灯

权利要求书

1.一种III族氮化物半导体发光元件，是在基板上至少层叠有由III族氮 化物化合物形成的中间层，并在该中间层上依次层叠具有基底层的n型半 导体层、发光层和p型半导体层而成的III族氮化物半导体发光元件，其特 征在于，

在所述中间层的结晶组织中含有采用峰分离方法将所述中间层的X射 线摇摆曲线分离成半值宽为720弧度秒以上的宽成分、和窄成分的情况下 的与所述宽成分对应的无取向成分，

所述中间层的结晶组织中的所述无取向成分的比例以在所述中间层 中的面积比计为30％以下。

2.根据权利要求1所述的III族氮化物半导体发光元件，其特征在于， 在所述中间层上层叠的所述基底层的(0002)面的X射线摇摆曲线半值宽 为50弧度秒以下。

3.根据权利要求1或2所述的III族氮化物半导体发光元件，其特征在 于，所述基板是蓝宝石基板。

4.根据权利要求3所述的III族氮化物半导体发光元件，其特征在于， 所述中间层形成于所述蓝宝石基板的c面上。

5.根据权利要求1或2所述的III族氮化物半导体发光元件，其特征在 于，所述中间层的膜厚为20～40nm的范围。

6.根据权利要求1或2所述的III族氮化物半导体发光元件，其特征在 于，所述中间层由含有Al的组成构成。

7.根据权利要求6所述的III族氮化物半导体发光元件，其特征在于， 所述中间层由AlN形成。

8.根据权利要求1或2所述的III族氮化物半导体发光元件，其特征在 于，所述基底层由GaN系化合物半导体形成。

9.根据权利要求8所述的III族氮化物半导体发光元件，其特征在于， 所述基底层由Al_xGa_1-xN(0≤X≤1)形成。

10.一种III族氮化物半导体发光元件的制造方法，是在基板上至少层 叠由III族氮化物化合物形成的中间层，并在该中间层上依次层叠具有基底 层的n型半导体层、发光层和p型半导体层的III族氮化物半导体发光元件 的制造方法，其特征在于，

具有对所述基板进行等离子处理的预处理工序、和继该预处理工序之 后采用溅射法在所述基板上形成所述中间层的溅射工序，所述预处理工序 中的等离子处理是反溅射，

在所述溅射工序中，使采用峰分离方法将所述中间层的X射线摇摆曲 线分离成半值宽为720弧度秒以上的与所述中间层的结晶组织中含有的无 取向成分对应的宽成分、和窄成分的情况下的所述中间层的结晶组织中的 所述无取向成分的比例以在中间层中的面积比计为30％以下，来形成所述 中间层。

11.根据权利要求10所述的III族氮化物半导体发光元件的制造方法， 其特征在于，所述预处理工序通过使含氮气体在室内流通来进行。

12.根据权利要求11所述的III族氮化物半导体发光元件的制造方法， 其特征在于，在所述预处理工序中，在室内流通的所述含氮气体中的氮气 的流量比为50％以上。

13.根据权利要求10～12的任一项所述的III族氮化物半导体发光元件 的制造方法，其特征在于，所述预处理工序通过使室内的压力为1Pa以上 来进行。

14.根据权利要求10～12的任一项所述的III族氮化物半导体发光元件 的制造方法，其特征在于，所述预处理工序通过使处理时间为30秒以下来 进行。

15.根据权利要求10～12的任一项所述的III族氮化物半导体发光元件 的制造方法，其特征在于，所述预处理工序通过使所述基板的温度为25～ 1000℃的范围来进行。

16.根据权利要求10～12的任一项所述的III族氮化物半导体发光元件 的制造方法，其特征在于，在同一室内进行所述预处理工序和所述溅射工 序。