[发明专利]一次性可编程存储器、制造及编程读取方法

权利要求书

1.一种半晶体管结构的一次性可编程存储器，其特征在于，所述半晶体 管包括：

由多晶硅层、栅氧层、轻掺杂漏区、离子注入区形成的可编程电容；

由所述离子注入区与重掺杂区形成的二极管；

所述可编程电容与所述二极管串联连接；其中，

所述离子注入区位于与其紧邻的绝缘层上；

所述多晶硅层与字线相连接，所述重掺杂区与位线相连接。

2.根据权利要求1所述的一次性可编程存储器，其特征在于，所述半晶 体管包括：

隔离沟槽，用于将所述离子注入区隔离；其中，所述隔离沟槽深入至所述 绝缘层。

3.根据权利要求1所述的一次性可编程存储器，其特征在于，所述半晶 体管包括：

所述离子注入区的掺杂浓度小于所述重掺杂区的掺杂浓度。

4.根据权利要求1所述的一次性可编程存储器，其特征在于，

所述离子注入区包括n型或p型离子注入区。

5.根据权利要求1所述的一次性可编程存储器，其特征在于，

所述重掺杂区包括n型或p型重掺杂区。

6.根据权利要求1所述的一次性可编程存储器，其特征在于，

所述轻掺杂漏区与所述重掺杂区的掺杂类型相反。

7.根据权利要求1所述的一次性可编程存储器，其特征在于，

所述绝缘层包括氧化硅层或蓝宝石层。

8.一种半晶体管结构的一次性可编程存储器的制造方法，其特征在于， 包括以下步骤：

生成浅隔离沟槽；

在绝缘层上形成离子注入区；

在所述离子注入区上生成栅氧层；

在所述栅氧层上生成多晶硅层；

在所述离子注入区内或形成轻掺杂漏区；

在所述栅氧层和所述多晶硅层的两侧形成侧墙；

在所述离子注入区内形成重掺杂区；

所述多晶硅层、所述栅氧层、所述轻掺杂漏区、所述离子注入区形成可编 程电容；

所述离子注入区与所述重掺杂区形成二极管；

所述可编程电容和所述二极管串联连接。

9.根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于，

所述隔离沟槽用于将所述离子注入区隔离；其中，所述隔离沟槽深入至所 述绝缘层。

10.根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于，

所述离子注入区的掺杂浓度小于所述重掺杂区的掺杂浓度。

11.根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于，

所述离子注入区包括n型或p型离子注入区。

12.根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于，

所述重掺杂区包括n型或p型重掺杂区。

13.根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于，

所述轻掺杂漏区与所述重掺杂区的掺杂类型相反。

14.根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于，

所述绝缘层包括氧化硅层或蓝宝石层。

15.一种半晶体管结构的一次性可编程存储器的编程方法，其特征在于，

所述半晶体管包括：

由多晶硅层、栅氧层、轻掺杂漏区、离子注入区形成的可编程电容；

由离子注入区与重掺杂区形成的二极管；

所述可编程电容与所述二极管串联连接；其中，

所述离子注入区位于与其紧邻的绝缘层上；

所述多晶硅层与字线相连接，所述重掺杂区与位线相连接；

所述编程方法包括：

在所述字线上施加第一电压，在所述位线上施加第二电压，将所述可编程 电容击穿形成导通电阻，并使所述二极管导通。