[发明专利]白光发光二极体的制作方法无效
申请号: | 200810168793.2 | 申请日: | 2008-09-24 |
公开(公告)号: | CN101364549A | 公开(公告)日: | 2009-02-11 |
发明(设计)人: | 李克新;孙增保 | 申请(专利权)人: | 阿尔发光子科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L25/075 |
代理公司: | 吉林长春新纪元专利代理有限责任公司 | 代理人: | 单兆全 |
地址: | 台湾省*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 白光 发光 二极体 制作方法 | ||
技术领域
本发明涉及机电类,特别涉及一种白光发光二极体的制作方法。
背景技术
众所周知,白光为多种颜色的混合光,可被人类视觉所感受为白光者,且至少包括两种以上波长的混合光;例如:当人眼同时受红、蓝及绿光的刺激时,或同时受到蓝光或黄光的刺激时,均可感受为白光,因此,可依照此原理,制作可发出白光的半导体发光装置,而常用的白光半导体发光装置的制作方式如下:
第一种方式是使用以磷化铝镓铟(AlInGaP)氮化镓铟(InGaN)与磷化镓(GaP)为材质三颗红蓝绿发光二极体,控制通过各发光二极体的电流,而使其分别发出红、绿及蓝光;将此三颗发光二极体晶粒配置在同一个灯泡(lamp)中,并利用透镜将三种颜色的光加以混合而产生白光。如附图2所示,常用形成白光单元的示意图,在基座10上可安置红色发光二极体LR、绿色发光二极体LG及蓝光发光二极体LB,并在上面覆盖封闭胶体11以做保护用途。如附图1所示,常用的白光的光谱图,可看出红色发光二极体LR、绿色发光二极体LG及蓝色发光二极体LB发射光谱中心分隔且并非宽广分布;由于白光是400~720nm间连续分布的光谱形成,因此该常用白光发光二极体色彩饱和度较低。虽然人类的眼睛可忽略此现象而只看白色光,但在一些精度较高的光学侦检器的感测下,例如,摄影机或相机等,其演色性(color rendering property)在实质上仍偏低,再者当不同光色发光二极体其中之一发生故障时,将无法得到正常的白光,且总体而言发光效率差,如此,其整体的亮度则被降低,再者演色性虽然高,但色彩饱和度较低。
第二种方式为1996年日本日亚化学(Nichia Chemical)公司所发展出的技术,其是以氮化铟镓蓝光发光二极体配合受激发可发出黄光的钇铝石榴石型荧光粉,来制成一白光光源;由于此种方式仅需使用一组发光二极体晶片,可大幅地降低制造成本,如附图3所示,为另一种常用形成白光单元的示意图,在基材10上可安置蓝色发光二极体LB,并在上面覆盖黄色荧光体PY,以吸收蓝色发光二极体LB并发出黄光,并与蓝光混合成为白光,现今其所搭配的荧光粉调制技术已臻成熟,故已有商品呈现,虽然其可产生高亮度的白光,但此种演色性更差,急需加以改进。
发明内容
本发明的目的在于提供一种白光发光二极体的制作方法,解决了常用方法存在的发光效率差,色彩饱和度低及演色性差等问题。
本发明的技术方案是:包含基材;至少一个以上具有红、蓝、绿三基色混合的白光发光单元位于基材上,且连接电极至具有红、蓝、绿三基色混合的该白光发光单元,在该白光发光单元表面涂覆有黄色荧光体,藉此白光发光单元所产生的白光,并激发黄色荧光体使产生高亮度的白光光源;
其中,黄色荧光体为YAG:Ce、TbAG:Ce、矽酸盐(Sr3SiO5:Eu)或氮化物、氮氧化物(BaSi7N10:Eu、(Ca,Sr,Ba)Si2N2O2)所构成;
黄色荧光体为YAG,其致活物也可单独选择Pr或Dy,或Pr与Dy的组合;
黄色荧光体为TbAG,其致活物也可单独选择Pr或Dy,或Pr与Dy的组合;
白光发光单元是由红绿蓝色晶片、蓝绿色晶片与红荧光体或蓝色晶片与红绿荧光体其中之一;
红色晶片波长介于625nm~650nm;
绿色晶片波长介于515nm~550nm;
蓝色晶片波长介于450nm~475nm;
红荧光体采用SrS:Eu,CaS:Eu或Y2O2S:Eu、Gd其中之一;
绿荧光体采用ZnS:(Cu,Al),Ca2MgSi2O2:CI或SrCa2S4:Eu其中之一。
本发明的优点在于:不仅可兼顾高发光亮度和极佳演色性的白光,且色采饱和度更佳,呈现出更广的色域范围,实用性强。
附图说明:
图1为常用白光的光谱图;
图2为常用形成白光单元的示意图;
图3为另一常用形成白光单元的示意图;
图4为本发明的形成白光单元的示意图;
图5为本发明的光谱图之一;
图6为本发明的光谱图之二;
图7为本发明的另一形成白光单元的示意图;
图8为本发明的另一光谱图之一;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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