[发明专利]白光发光二极体的制作方法无效
| 申请号: | 200810168793.2 | 申请日: | 2008-09-24 |
| 公开(公告)号: | CN101364549A | 公开(公告)日: | 2009-02-11 |
| 发明(设计)人: | 李克新;孙增保 | 申请(专利权)人: | 阿尔发光子科技股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L25/075 |
| 代理公司: | 吉林长春新纪元专利代理有限责任公司 | 代理人: | 单兆全 |
| 地址: | 台湾省*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 白光 发光 二极体 制作方法 | ||
1.一种白光发光二极体的制作方法,其特征在于:包含基材;至少一个以上具有红、蓝、绿三基色混合的白光发光单元位于基材上,且连接电极至具有红、蓝、绿三基色混合的该白光发光单元,在该白光发光单元表面涂覆有黄色荧光体,藉此白光发光单元所产生的白光,并激发黄色荧光体而产生高亮度的白光光源。
2.根据权利要求1所述的白光发光二极体的制作方法,其特征在于:所述的黄色荧光体为YAG:Ce、TbAG:Ce、矽酸盐(Sr3SiO5:Eu)或氮化物、氮氧化物(BaSi7N10:Eu、(Ca,Sr,Ba)Si2N2O2)所构成。
3.根据权利要求2所述的白光发光二极体的制作方法,其特征在于:所述的黄色荧光体为YAG,其致活物也可单独选择Pr或Dy,或Pr与Dy的组合。
4.根据权利要求2所述的白光发光二极体的制作方法,其特征在于:所述的黄色荧光体为TbAG,其致活物也可单独选择Pr或Dy,或Pr与Dy的组合。
5.根据权利要求1所述的白光发光二极体的制作方法,其特征在于:所述的白光发光单元是由红绿蓝色晶片、蓝绿色晶片与红荧光体或蓝色晶片与红绿荧光体其中之一。
6.根据权利要求5所述的白光发光二极体的制作方法,其特征在于:所述的红色晶片波长介于625nm~650nm。
7.根据权利要求5所述的白光发光二极体的制作方法,其特征在于:所述的绿色晶片波长介于515nm~550nm。
8.根据权利要求5所述的白光发光二极体的制作方法,其特征在于:所述的蓝色晶片波长介于450nm~475nm。
9.根据权利要求5所述的白光发光二极体的制作方法,其特征在于:所述的红荧光体采用SrS:Eu,CaS:Eu或Y2O2S:Eu、Gd其中之一。
10.根据权利要求5所述的白光发光二极体的制作方法,其特征在于:所述的绿荧光体采用ZnS:(Cu,Al),Ca2MgSi2O2:CI或SrCa2S4:Eu其中之一。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





