[发明专利]具有密封环结构的半导体器件及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

衬底；

元件形成区域，形成在所述衬底上，并具有形成在其中的通孔和 布线；以及

密封环，形成在所述衬底上，所述密封环形成在所述元件形成区 域的外围以便环绕所述元件形成区域，所述密封环包括第一金属层和 第二金属层，其中，所述第一金属层具有形成在其中以便环绕元件形 成区域的贯通孔，所述第二金属层形成在所述第一金属层上以便与所 述第一金属层接触，

其中，在所述第一金属层中的所述贯通孔中，其下部设置有绝缘 材料，而未设置有所述绝缘材料的上部设置有构成所述第二金属层的 金属材料，所述金属材料被形成为突出到所述上部中。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中

所述第一金属层中的所述贯通孔由布置成分散为环绕所述元件形 成区域的多个贯通孔构成；并且

在所述多个贯通孔中的每个中，其下部设置有所述绝缘材料，而 未设置有所述绝缘材料的上部设置有构成所述第二金属层的金属材 料，所述金属材料被形成为突出到所述上部中。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第一金属层中 的所述多个贯通孔被布置成格子图案。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：

所述密封环还包括在所述第二金属层上形成为与所述第二金属层 接触的第三金属层；

所述第二金属层包括在不与所述第一金属层中的任何贯通孔重叠 的部分中形成为环绕所述元件形成区域的贯通孔；并且

在所述第二金属层的所述贯通孔中，其下部设置有绝缘材料，而 未设置有所述绝缘材料的上部设置有构成所述第三金属层的金属材 料，所述金属材料被形成为突出到所述第二金属层的所述贯通孔的所 述上部中。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中：

所述第二金属层中的所述贯通孔由布置成分散为环绕所述元件形 成区域的多个贯通孔构成；并且

在所述第二金属层的所述多个贯通孔中的每个中，其下部设置有 所述绝缘材料，而未设置有所述绝缘材料的上部设置有被形成为突出 到所述上部中的构成所述第三金属层的金属材料。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述第二金属层中 的所述多个贯通孔被布置成格子图案。

7.根据权利要求4所述的半导体器件，其中：

所述密封环还包括在所述第一金属层下面被形成为与所述第一金 属层接触的下层金属层；并且

所述密封环在沿着从其内围到外围延伸的直线而截取的剖面中具 有如下构造，其中，所述绝缘材料被布置成在分别构成所述下层金属 层、所述第一金属层、所述第二金属层和所述第三金属层的金属材料 中分散成岛状。

8.根据权利要求4所述的半导体器件，其中：

所述密封环在沿着从其内围到外围延伸的直线而截取的剖面中具 有在从所述内围到所述外围的方向上交替布置的、具有形成在所述第 一金属层中的所述贯通孔的列和具有形成在所述第二金属层中的所述 贯通孔的列。