[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，所述制作方法包括下列步骤：

提供一衬底，包括一P型阱；

定义一低压元件区和一高压元件区于所述P型阱内；

形成一光阻层于所述衬底上；

提供一掩膜，包括一遮光区，其中所述遮光区对应于所述高压元件区； 利用所述掩膜进行一微影工艺，以转移所述掩膜上的图案至所述衬底上的所 述光阻层中；以及

以所述光阻层为掩膜进行一离子布植工艺，以将一P型离子植入所述衬 底内，而形成选择性分布的所述P型离子场于所述高压元件区以外的区域。

2.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述掩膜 的制作方法包括：

提供一集成电路布局数据库，且所述布局数据库包括N型离子布植区数 据和所述高压元件区数据；

读取所述布局数据库，并进行一逻辑运算，以得到一运算结果；以及

利用所述逻辑运算结果形成所述掩膜。

3.如权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述逻辑 运算包括：

定义A，A＝N型离子布植区布局数据和所述高压元件区布局数据；以及

求出B，B＝A以外的布局区域。

4.如权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述逻辑 运算为布尔运算。

5.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述低压 元件区和所述高压元件区是通过形成一隔离结构于所述衬底中而定义出来。

6.如权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述隔离 结构是由浅沟槽工艺所形成的浅沟槽隔离结构。

7.如权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述隔离 结构是由区域氧化法所形成的场氧化层。

8.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述P型 离子场距离所述高压元件区至少0.5μm。

9.一种半导体装置，其特征在于，所述半导体装置包括：

一衬底，包括一P型阱；

一低压元件区和一高压元件区，位于所述P型阱内；以及

一第一型离子场，位于所述P型阱内且分布于所述高压元件区以外的区域。

10.如权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，所述第一型离子场是 由P型离子场构成。

11.如权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，所述第一离子场距离 所述高压元件区至少0.5μm。

12.如权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体装置还包 括一隔离区位于所述衬底中。

13.如权利要求12所述的半导体装置，其特征在于，所述隔离区是由浅 沟槽工艺所形成的浅沟槽隔离区。

14.如权利要求12所述的半导体装置，其特征在于，所述隔离区是由区 域氧化法所形成的场氧化层。