[发明专利]汽化器和半导体处理系统

说明书

技术领域

本发明涉及用于从液体原料得到处理气体的汽化器和半导体处理系统。在此，所谓半导体处理是为了按规定的图形在晶片或LCD(液晶显示器)那样的用于FPD(平板显示器)的玻璃基板等被处理基板上形成半导体层、绝缘层、导电层等，由此在该被处理基板上制造半导体器件或包含与半导体器件连接的配线、电极等结构物而实行的各种处理。

背景技术

作为半导体制造处理的一种有在半导体晶片W的表面上形成规定的膜的成膜处理。该处理例如使用减压CVD(化学蒸气沉积)装置进行。该减压CVD装置通过气体状态供给原料，进行化学反应，在晶片表面上堆积薄膜。在该装置中存在以汽化液体原料得到的处理气体作为成膜气体导入处理室内的情况。

作为使用汽化液体原料得到的处理气体的成膜处理的例子有以下的例子。即，使用汽化TEOS(四乙氧基硅烷)得到的处理气体和氧气(O₂)形成SiO₂膜。使用汽化8i₂Cl₆得到的处理气体和氨(NH₃)气，形成氮化硅(Si₃N₄)膜。

特许文献1(特开平3-126872号公报(第3页，段落30，图1))公开了汽化液体原料的汽化器的一种形式。在这种汽化器的情况下，利用喷雾器将雾状液体原料供给到加热至规定温度的汽化室内进行汽化。但是，在该汽化器中，当雾状液体原料在汽化室内流通期间，没有能够进行充分的热交换。因此，在从连接于汽化室的出口侧的管排出的处理气体中包含许多雾(mist)。在将这种处理气体供给到例如减压CVD装置等的反应室内的情况下，该雾附着在晶片表面上，成为颗粒。即，雾成为在晶片上产生颗粒的重要原因。

鉴于这个问题，本发明者们所属的研究组开发了图6所示的汽化器300。该汽化器300包括在侧壁上具有加热器301的汽化室302，在该汽化室内部的底面上配置下部热交换体303。为了在下部热交换体303的表面上也使液体原料汽化，在下部热交换体303内，例如沿着下部热交换体303的周方向埋入4个棒状体的加热器304。加热器301、304与电源部310连接。从汽化室302的上面通过喷注器305而在汽化室302内被雾化的液体原料，通过汽化室302的侧壁的加热器301和下部热交换体303内的加热器304加热至例如150℃并被汽化。并且，汽化后的液体原料作为处理气体从取出口306供给至例如CVD装置等的消费装置。

然而，如后文所述，根据本发明者们的研究发现该汽化器伴随着一些问题。

发明内容

本发明的目的是提供能够高效率地汽化液体原料，还能够抑制颗粒的产生的汽化器。本发明的另一目的是提供处理效率高的半导体处理系统。

本发明的第一观点为一种从液体原料得到处理气体的汽化器，包括：规定所述汽化器的处理空间的容器；具有使所述液体原料呈雾状向下方喷出至所述容器内的排出口的喷注器；在所述排出口的下侧配置在所述容器内的具有中空的内部空间的下部热交换体，并且在所述排出口和所述下部热交换体之间规定所述雾状液体原料的助起动空间，在所述容器的内侧面和所述下部热交换体之间，规定与所述助起动空间连接的环状空间；配置在所述下部热交换体的所述内部空间中的内部加热器，该内部加热器作成为利用陶瓷密封编织有多根碳纤维束的碳线的结构，所述内部加热器加热通过所述环状空间的所述雾状液体原料生成所述处理气体；以从所述环状空间导出所述处理气体的方式与所述容器连接的气体导出路；和当停止来自所述喷注器的所述液体原料的排出时，减少或停止向所述内部加热器的电力供给的控制部。