[发明专利]具备电容器的半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其中包括：

具有主表面的半导体衬底；

在上述半导体衬底的主表面上形成的场效应晶体管；

与上述场效应晶体管的源极区或漏极区电连接的导电体；

与上述导电体电连接并设置成在上述导电体上向上方突出的圆筒状的第1电极；以及

沿着上述第1电极的内壁面地隔着电介质设置的第2电极，

在与上述主表面垂直的一个剖面，上述第1电极包括外壁间的宽度具有第1长度的第1部分和位于上述第1部分之下并且外壁间的宽度具有大于第1长度的第2长度的第2部分，

上述第1部分和上述第2部分的内壁面分别具有粒状结晶。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其中，

在上述剖面，上述第1电极还包括位于上述第2部分之下并且外壁间的宽度具有小于上述第2长度的第3长度的第3部分，

上述半导体装置还具备：

位于与上述导电体相邻的其它导电体之间的第1绝缘膜，和

在上述第1绝缘膜上，从上述第3部分的外壁向外侧扩大地沿着上述主表面形成的不同于上述第1绝缘膜的第2绝缘膜。

3.如权利要求2所述的半导体装置，其中，

上述第2绝缘膜是包含硅和氮的膜。

4.如权利要求1至3中的任一项所述的半导体装置，其中，

在上述第1电极中，上述第1部分和上述第2部分相邻接。

5.如权利要求1至3中的任一项所述的半导体装置，其中，

在与上述主表面垂直的上述剖面的上述第1部分和上述第2部分的边界区，上述第1电极的上述内壁相对上述半导体衬底倾斜，以使内壁之间的距离在上述第1部分到上述第2部分上增大。

6.如权利要求1至3中的任一项所述的半导体装置，其中，

在上述第1电极的侧壁上，与上述主表面垂直的上述剖面的上述第1部分的内壁间的宽度，小于上述第2部分的内壁间的宽度，

在上述第1部分和上述第2部分之间，上述第1电极还具有内壁间的宽度小于上述第1部分的第4部分。

7.如权利要求1至3中的任一项所述的半导体装置，其中，

上述第1电极的外壁具有弯曲面。

8.一种半导体装置，其中包括：

具有主表面的半导体衬底；

在上述半导体衬底的主表面上形成的第1和第2场效应晶体管；

与上述第1和第2场效应晶体管的源极区或漏极区分别电连接的第1和第2导电体；

位于上述第1和第2导电体之间的第1绝缘膜；

与上述第1和第2导电体分别电连接并设置成在上述第1和第2导电体上分别向上方突出的圆筒状的第1电极；以及

沿着上述第1电极的内壁面地隔着电介质设置的第2电极，

上述第1电极包括位于上述第1电极的上端部的第1部分、与上述第1部分的下侧连接的第2部分和与上述第2部分的下侧连接的第3部分，

在与上述主表面垂直的一个剖面，上述第2部分包括上述第1电极中上述第1电极和其它圆筒状电极之间的距离最小的部分，

还具有在上述第1绝缘膜上，从上述第3部分的外壁向外侧扩大地沿着上述主表面形成的不同于上述第1绝缘膜的第2绝缘膜。

9.如权利要求8所述的半导体装置，其中，

具备形成于上述第1电极内侧表面的粒状结晶。

10.一种半导体装置的制造方法，包括：

在半导体衬底的主表面上形成场效应晶体管的工序；

形成与上述场效应晶体管的源极区或漏极区电连接的导电体的工序；

形成圆筒状的第1导电体膜的工序，该第1导电体膜与上述导电体电连接并在上述导电体上向上方突出，并且在与上述主表面垂直的一个剖面，包括外壁间的宽度具有第1长度的第1部分和位于上述第1部分之下并且外壁间的宽度具有大于第1长度的第2长度的第2部分；

在上述第1部分和上述第2部分的内壁面分别形成多个粒状结晶的工序；以及

在上述第1导电体膜和上述粒状结晶上隔着电介质膜形成第2导电体膜的工序。