[发明专利]一种生长高质量具有双缓冲层的单晶氮化铟薄膜的方法无效
| 申请号： | 200810072029.5 | 申请日： | 2008-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN101388337A | 公开（公告）日： | 2009-03-18 |
| 发明（设计）人： | 张双翔;蔡建九;张银桥;王向武 | 申请（专利权）人： | 厦门乾照光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/205 |
| 代理公司： | 厦门市新华专利商标代理有限公司 | 代理人： | 李 宁 |
| 地址： | 361000福建省*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 生长 质量 具有 缓冲 氮化 薄膜 方法 | ||
1、一种生长高质量具有双缓冲层的单晶氮化铟薄膜的方法，其特 征在于：在硅衬底上利用金属有机化学气相沉积技术先生长AlN缓冲层， 在AlN缓冲层上继续生长AlInN缓冲层，最后生长InN单晶外延。
2、如权利要求1所述一种生长高质量具有双缓冲层的单晶氮化铟薄 膜的方法，其特征在于：所述AlN缓冲层的生长温度范围为1050℃-1110 ℃。
3、如权利要求1所述一种生长高质量具有双缓冲层的单晶氮化铟薄 膜的方法，其特征在于：所述AlN缓冲层的生长厚度范围为10nm-200nm。
4、如权利要求1所述一种生长高质量具有双缓冲层的单晶氮化铟薄 膜的方法，其特征在于：所述AlN缓冲层的生长V/III比为4000-6000。
5、如权利要求1所述一种生长高质量具有双缓冲层的单晶氮化铟薄 膜的方法，其特征在于：所述AlN缓冲层的生长压力为20Torr-100Torr。
6、如权利要求1所述一种生长高质量具有双缓冲层的单晶氮化铟薄 膜的方法，其特征在于：所述AlN缓冲层生长时，先通入金属有机源铝， 通入金属有机源的时间为5秒-300秒，然后才通入氨气。
7、如权利要求1所述一种生长高质量具有双缓冲层的单晶氮化铟薄 膜的方法，其特征在于：所述InN单晶外延的生长温度范围为400℃-600 ℃。
8、如权利要求1所述一种生长高质量具有双缓冲层的单晶氮化铟薄 膜的方法，其特征在于：所述InN单晶外延的生长压力范围为 20Torr-700Torr。
9、如权利要求1所述一种生长高质量具有双缓冲层的单晶氮化铟薄 膜的方法，其特征在于：所述InN单晶外延的生长V/III比为3000-20000。
10、如权利要求1所述一种生长高质量具有双缓冲层的单晶氮化铟 薄膜的方法，其特征在于：所述AlInN缓冲层是单一组分的一层AlInN缓 冲层，或是渐变组分的一层AlInN缓冲层，In组分由少到多呈线性变化， 或是不同组分的多层AlInN缓冲层，各层In组分由少到多呈线性变化。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
