[发明专利]IC芯片封装和具有该IC芯片封装的图像显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种封装和具有该封装的图像显示装置，在上述封装中 例如安装有其中具备细间距(Fine Pitch)端子的IC芯片。

背景技术

随着液晶显示装置的高精细化、高性能化发展，就要求液晶显示装 置中搭载的液晶驱动器(IC芯片)具有更多的输出。

一般情况下，通过缩小芯片尺寸以及对芯片的凸点进行细间距(微 细)化配置来实现IC芯片的多输出化。最近，较多地采用可实现细间 距化的、安装裸芯片液晶驱动器的COF(Chip On Film：薄膜覆晶)。

根据最近的COF封装技术，通过加热加压使IC芯片上的凸点与载 带上的内部引线键合，由此实现载带和IC芯片之间的导通。但是，根 据这样的键合方法，为了消除凸点位置和内部引线位置之间的偏差，需 要使用热变形小、高精细的载带材料。即，上述技术的缺陷在于，所要 实现的细间距限制了载带所能选用的材料范围。

为了克服以上缺陷，专利文献1揭示了一种借助于中介基板 (Interposer Substrate)连接IC芯片和电路基板(载带)的方法。图13 表示了专利文献1所述的封装结构的剖面图。

如图13所示，以芯片倒装键合(Flip Chip Bonding)的方式连接IC 芯片104和中介基板101，而且，中介基板101以凸点键合方式连接电 路基板107的电极图案110。中介基板101为硅(Si)基板，且通过硅 晶圆工艺形成，所以，能够以与IC芯片104的电极相同的细间距来形 成和IC芯片104连接的电极。另一方面，以与电路基板107的电极间 距、即较大的间距相同的间距来形成和电路基板107连接的电极。并且， 在连接IC芯片104的电极和连接电路基板107的电极中，对应的电极 在中介基板101上彼此连接。另外，作为电路基板107，可以使用载带。

如上所述，借助于中介基板101实现IC芯片104和电路基板107 之间的互连，这样，可以将IC工艺水平的细间距转换为载带工艺水平 的电极间距。所以，即使是安装其连接电极由于IC芯片小型化及多输 出化而实现高度细间距化的IC芯片的COF封装，其载带基材的选用范 围也能得以扩大。

另外，为了应对细间距化，使用硬度和熔点较高的金属或合金凸点 来连接IC芯片104和中介基板101。例如，使用金(Au)凸点进行Au-Au 键合。通过使用这样的材料，能够抑制凸点变形、防止相邻凸点相互接 触，因此，能够将端子间距缩小到25μm左右，从而能够实现IC芯片的 多输出化。

另一方面，中介基板和载带的连接端子间距可以大于IC芯片的连 接端子间距，例如，可以为50-100μm左右。

在封装制造过程中，在贴合电路基板107和中介基板101时，如果 电路基板107由载带或载膜那样较薄的材料构成使得能够透视电路基板 107从而可对其相反侧进行观察，就能够由电路基板107的与中介基板 101安装面相反一侧的面进行透视观察从而实现电路基板107和中介基 板101的位置对准。但是，中介基板101例如是由硅(Si)构成的基板， 其厚度较大而无法进行上述透视，并且，IC芯片104也具有无法进行透 视的结构，因此，在贴合中介基板101和IC芯片104时，无法使用上 述透视方法来实现中介基板101和IC芯片104的位置对准。

另外，虽然制造设备等对IC芯片的性能并无影响，但是，切割加 工处理可能造成IC芯片的外形发生局部变化从而导致与设计尺寸不符。 所以，即使中介基板预先形成有用于确保该中介基板与IC芯片进行位 置对准的标记，但是，由于该标记是根据按照设计尺寸制造的IC芯片 进行配置的标记，因此，如果要安装的IC芯片的外形发生了上述变化， 就难以准确地实现位置对准。