[发明专利]互连及其形成方法

权利要求书

1.一种互连，包括：

金属导体，具有顶表面和下表面，以及

形成于所述金属导体的所述顶表面上的帽盖，所述帽盖由层叠膜形成，所述层叠膜包括紫外UV阻挡膜和扩散阻挡膜。

2.根据权利要求1所述的互连，其中：

所述扩散阻挡膜形成在所述金属导体的所述顶表面上；

所述金属导体实质上由铜构成；以及

所述UV阻挡膜形成在所述扩散阻挡膜之上。

3.根据权利要求2所述的互连，其中，中间膜形成在所述扩散阻挡膜和所述UV阻挡膜之间，所述中间膜由选自粘合膜和递变膜的材料构成。

4.根据权利要求3所述的互连，其中，所述粘合膜选自Si_aL_bR_c构成的集合，并且a+b+c＝1；其中，“L”从由羟基、甲氧基、乙氧基、乙酸基、烷氧基、羧基、胺、卤素构成的集合中选择；“R”从由氢化物、甲基、乙基、乙烯基、苯基-烷基和苯基-芳基构成的集合中选择；其中“a”处于从大约0.25到大约0.5的范围内，“b”处于从大约0.1到大约0.8的范围内，“c”处于从大约0到大约0.7的范围内。

5.根据权利要求1所述的互连，其中：

所述UV阻挡膜形成在所述金属导体的所述顶表面之上；并且

所述扩散阻挡膜形成在所述UV阻挡膜上。

6.根据权利要求1所述的互连，其中：

所述扩散阻挡膜形成在所述金属导体的所述顶表面上；

所述UV阻挡膜形成在所述扩散阻挡膜之上；以及

第二扩散阻挡膜形成在所述UV阻挡膜上。

7.根据权利要求1所述的互连，其中：

所述扩散阻挡膜形成在所述金属导体的所述顶表面上；

所述UV阻挡膜形成在所述扩散阻挡膜之上；

至少一第二扩散阻挡膜形成在所述UV阻挡膜上；以及

至少一第二UV阻挡膜形成在所述第二扩散阻挡膜之上。

8.根据权利要求1所述的互连，其中：

所述UV阻挡膜形成在所述金属导体的所述顶表面上；

所述扩散阻挡膜形成在所述UV阻挡膜之上；以及

第二UV阻挡膜形成在所述扩散阻挡膜上。

9.根据权利要求1所述的互连，其中，所述UV阻挡膜包括从由适于在化学气相淀积CVD室内淀积的氮化碳CN_x膜、硼氮化物膜、硅硼氮化物膜、碳硼氮化物膜、硅碳硼氮化物膜和硅碳膜构成的集合中选择的UV阻挡高带隙膜、以及由具有较低带隙但是具有更好的机械、电和Cu扩散特性的氮化碳CN_x或/和掺硼氮化碳CB_xN_y构成的膜。

10.一种互连，包括：

具有凹槽的第一电介质膜，所述凹槽具有凹槽底部和凹槽侧壁；

形成于所述凹槽底部和所述凹槽侧壁上的下部扩散阻挡膜；

具有侧表面、下表面和顶表面的金属导体，所述侧表面和所述下表面与所述下部扩散阻挡接触；

形成于所述金属导体的所述顶表面上的帽盖，所述帽盖由层叠膜形成，所述层叠膜包括紫外UV阻挡膜和扩散阻挡膜。

11.根据权利要求10所述的互连，其中：

所述扩散阻挡膜形成在所述金属导体的所述顶表面上；

所述金属导体实质上由铜构成；以及

所述UV阻挡膜形成在所述扩散阻挡膜上。

12.根据权利要求11所述的互连，其中，中间膜形成在所述扩散阻挡膜和所述UV阻挡膜之间，所述中间膜由选自粘合膜和递变膜的材料构成。

13.根据权利要求12所述的互连，其中，所述粘合膜选自由Si_aL_bR_c构成的集合，并且a+b+c＝1；其中，“L”从由羟基、甲氧基、乙氧基、乙酸基、烷氧基、羧基、胺、卤素构成的集合中选择；“R”从由氢化物、甲基、乙基、乙烯基、苯基-烷基和苯基-芳基构成的集合中选择；其中“a”处于从大约0.25到大约0.5的范围内，“b”处于从大约0.1到大约0.8的范围内，“c”处于从大约0到大约0.7的范围内。