[发明专利]用于高频测量的芯片式探测器和测量方法

权利要求书

1.一种用于测量被测装置的芯片式探测器，包括：

用于与所述被测装置接触的探针；

与所述探针进行电通信的电压和控制连接器；

芯片载体；和

可编程端接芯片，所述可编程端接芯片具有通过受控坍塌芯片连接而与所述电压和控制连接器以及所述芯片载体相互连接的多个端接。

2.如权利要求1所述的芯片式探测器，其中所述可编程端接芯片通过晶片通孔与所述探针相互连接。

3.如权利要求1所述的芯片式探测器，其中所述受控坍塌芯片连接通过晶片通孔与所述探针相互连接。

4.如权利要求1所述的芯片式探测器，其中所述芯片式探测器用于高频测量，所述高频测量从散射参数、时域反射计和它们的任意组合构成的组中选择。

5.如权利要求1所述的芯片式探测器，其中所述探针包括多个探测接触垫。

6.如权利要求5所述的芯片式探测器，其中所述多个探测接触垫排列成地-信号-地的配置。

7.如权利要求1所述的芯片式探测器，其中所述可编程端接芯片包括多个驻留在其上的校正标准。

8.如权利要求7所述的芯片式探测器，其中经由所述电压和控制连接器可数字选择所述多个校正标准。

9.如权利要求7所述的芯片式探测器，其中将所述多个校正标准配置为校正并测量达到大约110GHz的频率。

10.如权利要求7所述的芯片式探测器，其中将所述多个校正标准配置为校正并测量达到毫米波的频率。

11.如权利要求1所述的芯片式探测器，其中所述多个端接集成在所述可编程端接芯片中。

12.如权利要求1所述的芯片式探测器，其中所述探针直接连接到所述可编程端接芯片上。

13.如权利要求1所述的芯片式探测器，还包括用于减小驻留在所述可编程端接芯片上的可编程端接的寄生效应的电路。

14.如权利要求13所述的芯片式探测器，其中所述电路包括至少两个并联的双极性晶体管。

15.一种测量被测装置的方法，包括：

使用多个集成在芯片式探测器内的可编程端接来测量所述被测装置的高频测量。

16.如权利要求15所述的方法，其中所述高频测量从散射参数、时域反射计和它们的任意组合构成的组中选择。

17.如权利要求15所述的方法，其中在达到大约110GHz的频率处进行所述高频测量的测量。

18.如权利要求15所述的方法，还包括使用所述多个可编程端接来测量被测装置的多于一个的端口。

19.如权利要求15所述的方法，还包括使用所述多个可编程端接来测量被测装置的四端口。

20.一种校正芯片式探测器的方法，包括：

数字选择驻留在所述芯片式探测器的电路上的多个校正标准之一。

21.如权利要求20所述的方法，其中所述多个校正标准包括多个数字可选择的阻抗。

22.如权利要求20所述的方法，还包括获得多个联立方程以识别芯片式探测器的校正误差项。

23.一种减小芯片式探测器中可编程端接的寄生效应的电路，包括至少两个并联的双极性晶体管。

24.如权利要求23所述的电路，其中所述电路配置为测量达到毫米波的频率。

25.如权利要求23所述的电路，还包括电阻器。

26.如权利要求23所述的电路，其中将所述至少两个双极性晶体管之一的尺寸调整，以便于与所述至少两个双极性晶体管中的另一个相比，提供不同的导通电阻。