[发明专利]像素结构的制作方法

权利要求书

1.一种像素结构的制作方法，包括：

提供一基板；

形成一栅极于所述的基板上；

形成一门介电层于所述的基板上，以覆盖所述的栅极；

形成一半导体层于所述的门介电层上；

提供一第一遮罩于所述的半导体层上方，且所述的第一遮罩暴露出部分的所述的半导体层；

使用激光经由所述的第一遮罩照射所述的半导体层，以移除所述的第一遮罩所暴露的部分半导体层，而形成一通道层；

形成一源极以及一漏极于所述的栅极两侧的所述的通道层上，其中所述的栅极、所述的通道层、所述的源极以及所述的漏极构成一薄膜晶体管；

形成一图案化保护层于所述的薄膜晶体管上，以覆盖所述的通道层并暴露出所述的漏极；以及

形成一导电层，以覆盖所述的图案化保护层与暴露的所述的漏极，并且通过所述的图案化保护层使所述的导电层图案化，以形成一像素电极。

2.如权利要求1所述的像素结构的制作方法，更包括在形成所述的图案化保护层之后，烘烤所述的图案化保护层，以使所述的图案化保护层具有一蕈状的顶表面。

3.如权利要求2所述的像素结构的制作方法，其特征在于，图案化保护层的所述的蕈状的顶表面略大于其底表面。

4.如权利要求1所述的像素结构的制作方法，更包括在形成所述的像素电极之后，移除所述的图案化保护层。

5.如权利要求1所述的像素结构的制作方法，其特征在于，形成所述的栅极的方法包括：

形成一第一金属层于所述的基板上；以及

图案化所述的第一金属层，以形成所述的栅极。

6.如权利要求1所述的像素结构的制作方法，其特征在于，形成所述的栅极的方法包括：

形成一第一金属层于所述的基板上；

提供一第二遮罩于所述的第一金属层上方，且所述的第二遮罩暴露出部分的所述的第一金属层；以及

使用激光经由所述的第二遮罩照射所述的第一金属层，以移除所述的第二遮罩所暴露的部分所述的第一金属层。

7.如权利要求1所述的像素结构的制作方法，其特征在于，形成所述的源极以及所述的漏极的方法包括：

形成一第二金属层于所述的通道层与所述的门介电层上；以及

图案化所述的第二金属层，以形成所述的源极以及所述的漏极。

8.如权利要求1所述的像素结构的制作方法，其特征在于，所述的图案化保护层包括形成于部分所述的门介电层上。

9.如权利要求1所述的像素结构的制作方法，其特征在于，形成所述的图案化保护层的方法包括：

形成一保护层于所述的门介电层与所述的薄膜晶体管上；以及

图案化所述的保护层。

10.如权利要求1所述的像素结构的制作方法，其特征在于，形成所述的图案化保护层的方法包括：

形成一保护层于所述的门介电层与所述的薄膜晶体管上；

提供一第三遮罩于所述的保护层上方，且所述的第三遮罩暴露出部分的所述的保护层；以及

使用激光经由所述的第三遮罩照射所述的保护层，以移除所述的第三遮罩所暴露的部分所述的保护层。

11.如权利要求1所述的像素结构的制作方法，其特征在于，形成所述的导电层的方法包括通过溅镀形成一铟锡氧化物层或一铟锌氧化物层。

12.如权利要求1所述的像素结构的制作方法，其特征在于，所述的激光的能量介于10至500mJ/cm²之间。

13.如权利要求1所述的像素结构的制作方法，其特征在于，所述的激光的波长介于100nm至400nm之间。

14.如权利要求1所述的像素结构的制作方法，更包括在形成所述的栅极的同时形成一下层电容电极，而在形成所述的源极以及漏极的同时形成一上层电容电极，其中所述的下层电容电极与所述的上层电容电极构成一储存电容器。