[发明专利]半导体集成电路器件及其制作方法无效
| 申请号： | 200710136897.0 | 申请日： | 2002-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN101097888A | 公开（公告）日： | 2008-01-02 |
| 发明（设计）人： | 石川憲辅;齋藤逹之;宫内正敬;斎藤敏男;芦原洋司 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立制作所 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/522;H01L23/528 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 集成电路 器件 及其 制作方法 | ||
1.一种制造半导体集成电路器件的方法，包括步骤：
(a)在半导体衬底上形成第一绝缘膜；
(b)在所述第一绝缘膜中形成第一布线；
(c)在所述第一布线上形成第二绝缘膜；
(d)在所述第二绝缘膜上形成第三绝缘膜；
(e)通过蚀刻所述第二和第三绝缘膜形成开孔，所述开孔延伸至所述第一布线；
(f)蚀刻所述第一布线的表面；
(g)在所述开孔的底部和侧壁上形成第一导电膜；及
(h)在所述第一导电膜上形成第二导电膜，使得所述第二导电膜嵌入在所述开孔中，
其中在所述开孔的底部中心处所述第一导电膜的厚度小于所述步骤(f)中的所述蚀刻量。
2.根据权利要求1的制造半导体集成电路器件的方法，
其中所述开孔的侧壁的所述第一导电膜的厚度大于在所述开孔的底部中心处所述第一导电膜的所述厚度。
3.根据权利要求1的制造半导体集成电路器件的方法，
其中所述第一导电膜在限定所述开孔的底部的整个区域具有从所述开孔的底部的中心向所述开孔的侧壁的向上斜坡的膜厚度。
4.根据权利要求1的制造半导体集成电路器件的方法，
其中所述第一导电膜在限定所述开孔的底部的整个区域具有从所述开孔的侧壁向底部的中心下降的下降部分。
5.根据权利要求1的制造半导体集成电路器件的方法，
其中所述第一导电膜由钽(Ta)、氮化钽(TaN)、钛(Ti)、氮化钛(TiN)、钨(W)、氮化钨(WN)、硅氮化钛(TiSiN)或硅氮化钨(WSiN)、或其合金、或其叠层膜制成。
6.根据权利要求1的制造半导体集成电路器件的方法，
其中所述第二导电膜是铜(Cu)膜或铜合金膜。
7.根据权利要求1的制造半导体集成电路器件的方法，
其中所述第一导电膜具有对所述第二导电膜的阻挡膜的功能。
8.根据权利要求1的制造半导体集成电路器件的方法，
其中在所述步骤(g)中，所述第一导电膜由偏压溅射法形成。
9.一种制造半导体集成电路器件的方法，包括步骤：
(a)在半导体衬底上形成第一绝缘膜；
(b)在所述第一绝缘膜中形成第一布线；
(c)在所述第一布线上形成第二绝缘膜；
(d)在所述第二绝缘膜上形成第三绝缘膜；
(e)通过蚀刻所述第二和第三绝缘膜形成开孔，所述开孔延伸至所述第一布线；
(f)蚀刻所述第一布线的表面；
(g)在所述开孔的底部和侧壁上形成第一导电膜；及
(h)在所述第一导电膜上形成第二导电膜，使得所述第二导电膜嵌入在所述开孔中，
其中在所述开孔的底部中心处所述第一导电膜的厚度小于所述步骤(f)中的所述蚀刻的表面量，及
其中在所述第一布线的所述表面下形成的所述第二导电膜的宽度小于在所述第一布线的所述表面上形成的所述第二导电膜的宽度。
10.根据权利要求9的制造半导体集成电路器件的方法，
其中所述开孔的侧壁的所述第一导电膜的厚度大于在所述开孔的底部中心处所述第一导电膜的所述厚度。
11.根据权利要求9的制造半导体集成电路器件的方法，
其中所述第一导电膜在限定所述开孔的底部的整个区域具有从所述开孔的底部的中心向所述开孔的侧壁的向上斜坡的膜厚度。
12.根据权利要求9的制造半导体集成电路器件的方法，
其中所述第一导电膜在限定所述开孔的底部的整个区域具有从所述开孔的侧壁向底部的中心下降的下降部分。
13.根据权利要求9的制造半导体集成电路器件的方法，
其中所述第一导电膜由钽(Ta)、氮化钽(TaN)、钛(Ti)、氮化钛(TiN)、钨(W)、氮化钨(WN)、硅氮化钛(TiSiN)或硅氮化钨(WSiN)、或其合金、或其叠层膜制成。
14.根据权利要求9的制造半导体集成电路器件的方法，
其中所述第二导电膜是铜(Cu)膜或铜合金膜。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社日立制作所，未经株式会社日立制作所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200710136897.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
