[发明专利]半导体存储器件和字线接触部的布局结构

权利要求书

1.一种半导体存储器件，包括：

有源区，沿第一方向在半导体衬底上延伸，并且作为字线；

多个存储单元，设置在有源区上，并且每一个均具有一个可变电阻器件和一个二极管器件；以及

多个字线接触部，每隔预定数目的连续存储单元设置至少一个所述字线接触部。

2.根据权利要求1所述的器件，其中，字线接触部与设置在存储单元上、并且沿第一方向延伸的多个字线带状线电连接。

3.根据权利要求2所述的器件，其中，设置在一个有源区上的字线接触部，沿与第一方向交叉的第二方向，不与设置在沿第二方向与所述一个有源区相邻的另一有源区上的字线接触部相邻。

4.根据权利要求3所述的器件，其中，所述一个有源区上的字线接触部的位置与所述一个有源区中与相邻有源区上的位线接触部相邻的部分的位置偏离至少一个存储单元区。

5.根据权利要求4所述的器件，其中，组成存储单元的二极管器件的负极区与有源区相连，并且所述二极管器件的正极区与可变电阻器件相连。

6.根据权利要求5所述的器件，其中，每隔8个或4个连续的存储单元设置至少一个字线接触部。

7.根据权利要求6所述的器件，其中，半导体存储器件包括相变随机存取存储器，其中，可变电阻器件由相变材料Ge_xSb_yTe_z形成。

8.根据权利要求6所述的器件，其中，半导体存储器件包括电阻随机存取存储器，其中，可变电阻器件由过渡金属氧化物形成。

9.一种半导体存储器件中的字线布局结构，所述半导体存储器件包括：多个有源区，沿第一方向延伸，并且作为字线；多个字线带状线；多个存储单元，设置在有源区上；以及多个字线接触部，设置在有源区上，并且将有源区与字线带状线电连接，

其中，在每一个有源区上每隔预定数目的连续存储单元设置至少一个字线接触部，并且设置在一个有源区上的字线接触部，沿与第一方向交叉的第二方向，不与设置在沿第二方向与所述一个有源区相邻的另一有源区上的字线接触部相邻。

10.根据权利要求9所述的结构，其中，所述一个有源区上的字线接触部的位置与所述一个有源区中与相邻有源区上的位线接触部相邻的部分的位置偏离至少一个存储单元区。

11.根据权利要求10所述的结构，其中，每一个存储单元包括一个可变电阻器件和一个二极管器件。

12.根据权利要求11所述的结构，其中，组成存储单元的二极管器件的负极区与有源区相连，并且所述二极管器件的正极区与设置在所述二极管器件上的可变电阻器件相连。

13.根据权利要求12所述的结构，其中，每隔8个或4个连续的存储单元设置至少一个字线接触部。

14.根据权利要求13所述的结构，其中，半导体存储器件包括相变随机存取存储器，其中，可变电阻器件由相变材料Ge_xSb_yTe_z形成。

15.根据权利要求13所述的结构，其中，半导体存储器件包括电阻随机存取存储器，其中，可变电阻器件由过渡金属氧化物形成。