[发明专利]密封硅衬底中的过孔的材料和方法有效
申请号: | 200680016231.5 | 申请日: | 2006-05-12 |
公开(公告)号: | CN101176203A | 公开(公告)日: | 2008-05-07 |
发明(设计)人: | 约汉·A.·卡塞伊;迈克尔·伯格;莉娜·P.·布奇沃尔特;多纳尔德·F.·卡纳佩利;雷蒙德·R.·霍顿;阿努莱格·简恩;埃里克·D.·皮尔菲克托;詹姆斯·A.·托尔尼罗 | 申请(专利权)人: | 国际商业机器公司 |
主分类号: | H01L23/22 | 分类号: | H01L23/22;H01L23/24;H01L23/04;H01L23/14 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 王永刚 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 利用无溶剂的、低粘滞度的、高度温度稳定的聚合物或者低粘滞度的高固体成份聚合物溶液来密封过孔,其中聚合材料在提高的温度下被注入过孔(100)。提供供给室(630)以在提高的温度下处理聚合材料,典型地足够高至使聚合材料液化的温度下。聚合材料经加热的供给管在来自泵、活塞或者保持在所述供给室内的真空的力量作用下被导入。 | ||
搜索关键词: | 密封 衬底 中的 材料 方法 | ||
【主权项】:
1.一种半导体芯片封装组件,包括:衬底;至少一个半导体芯片;在所述衬底中的至少一个导电过孔,所述导电过孔具有至少一个露出端和填入其中的多孔材料;和密封所述至少一个导电过孔处的所述多孔材料的密封剂。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国际商业机器公司,未经国际商业机器公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200680016231.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:半导体存储器件和字线接触部的布局结构
- 下一篇:一种自毁式注射器及其止回结构
- 同类专利
- 具有表面改性液态金属球的集成电路封装及其制作方法-202210804965.0
- M·马尤卡;S·P·滕德尔;S·卡里卡兰;N·A·布特尔 - 安华高科技股份有限公司
- 2022-07-08 - 2023-02-03 - H01L23/22
- 本申请案的实施例涉及具有表面改性液态金属球的集成电路封装及其制作方法。一种集成电路IC封装包含一或多个裸片、封装衬底、热界面材料及覆盖物。所述覆盖物安置在所述一或多个裸片上方或之上。所述热界面材料包含表面改性金属及硅单体。
- 密封硅衬底中的过孔的材料和方法-200680016231.5
- 约汉·A.·卡塞伊;迈克尔·伯格;莉娜·P.·布奇沃尔特;多纳尔德·F.·卡纳佩利;雷蒙德·R.·霍顿;阿努莱格·简恩;埃里克·D.·皮尔菲克托;詹姆斯·A.·托尔尼罗 - 国际商业机器公司
- 2006-05-12 - 2008-05-07 - H01L23/22
- 利用无溶剂的、低粘滞度的、高度温度稳定的聚合物或者低粘滞度的高固体成份聚合物溶液来密封过孔,其中聚合材料在提高的温度下被注入过孔(100)。提供供给室(630)以在提高的温度下处理聚合材料,典型地足够高至使聚合材料液化的温度下。聚合材料经加热的供给管在来自泵、活塞或者保持在所述供给室内的真空的力量作用下被导入。
- 专利分类