[发明专利]具有用作识别标记的符号图案的半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

多个器件图案，形成在衬底表面上，构成部分电子电路；以及

符号图案，形成在与所述器件图案同一层中，将要用作识别标记；

其中，所述器件图案的宽度位于设计规则的图案宽度范围内，所述符号图案由隔离的多个要素图案形成，所述要素图案是线性图案或者点图案，并且所述要素图案的宽度大于等于所述设计规则的图案宽度范围的下限值的0.8倍，且小于等于所述设计规则的图案宽度范围的上限值的1.2倍。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述多个要素图案中相邻的要素图案之间的最小间隔大于等于所述多个器件图案中相邻的器件图案之间的最小间隔的0.8倍。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述设计规则的图案宽度范围的上限值小于等于1μm。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述衬底是分割为多个芯片之前的晶片，在所述晶片的表面上定义由划片槽划分的多个器件区域，在所述器件区域内设置所述器件图案，并且在所述划片槽内设置所述符号图案。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述符号图案表示从识别标记演变的原始图案，所述识别标记的所述原始图案包括弯曲部分或者交叉部分，所述符号图案具有设置在与所述原始图案的所述弯曲部分或者所述交叉部分相对应的位置处的点图案。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中由没有设置构成所述符号图案的多个要素图案的区域来表示从识别标记演变的原始图案。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述器件图案和所述符号图案的所述要素图案包括填充在所述衬底的表面层中形成的凹口的部件。

8.一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：

在衬底的表面层中形成凹口，所述凹口包括构成部分电子电路的多个器件图案和将要用作识别标记的符号图案；

在所述衬底上设置导电膜以填充所述凹口；以及

通过化学机械抛光去除沉积在所述衬底的平坦表面上的导电膜，以留下所述凹口内的导电膜，

其中，所述器件图案的宽度位于设计规则的图案宽度范围内，所述符号图案由隔离的多个要素图案形成，所述要素图案是线性图案或者点图案，并且所述要素图案的宽度大于等于所述设计规则的图案宽度范围的下限值的0.8倍，且小于等于所述设计规则的图案宽度范围的上限值的1.2倍。

9.根据权利要求8所述的制造半导体器件的方法，其中所述多个要素图案中相邻的要素图案之间的最小间隔大于等于所述多个器件图案中相邻的器件图案之间的最小间隔的0.8倍。

10.根据权利要求8所述的制造半导体器件的方法，其中所述设计规则的图案宽度范围的上限值小于等于1μm。

11.根据权利要求8所述的制造半导体器件的方法，其中所述衬底是分割为多个芯片之前的晶片，在所述晶片的表面上定义由划片槽划分的多个器件区域，在所述器件区域内设置所述器件图案，在所述划片槽内设置所述符号图案，所述制造半导体器件的方法还包括沿着所述划分槽切割所述衬底的步骤。

12.根据权利要求8所述的制造半导体器件的方法，其中所述符号图案表示从识别标记演变的原始图案，所述识别标记的所述原始图案包括弯曲部分或者交叉部分，所述符号图案具有设置在与所述原始图案的所述弯曲部分或者所述交叉部分相对应的位置处的点图案。

13.根据权利要求8所述的制造半导体器件的方法，其中由没有设置构成所述符号图案的多个要素图案的区域来表示从识别标记演变的原始图案。