[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其中设有：

包括第1及第2主面并含有第1导电型的第1杂质区的半导体基板；

在所述半导体基板的所述第1主面上形成的、在所述第1主面上由所述第1杂质区围住的第2导电型的第2杂质区；

在所述第1主面上形成的、与所述第1杂质区之间夹着所述第2杂质区的第1导电型的第3杂质区；

在所述半导体基板的所述第2主面上有选择地形成的、与所述第2杂质区之间夹着所述第1杂质区的第2导电型的第4杂质区；

在所述半导体基板的所述第2主面上有选择地形成的、与所述第2杂质区之间夹着所述第1杂质区且其杂质浓度比所述第1杂质区高的第1导电型的第5杂质区；以及

在夹在所述第1杂质区和所述第3杂质区之间的所述第2杂质区上隔着绝缘膜相对而形成的控制电极层，

与所述第1主面上形成有所述第1杂质区的部分正对的所述第2主面的部分，是在所述第2主面上围住所述第4和第5杂质区的形成区域的、且具有所述第1杂质区的杂质浓度以下的浓度的第1导电型区域及第2导电型区域中的任一区域。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

还设有在所述第1主面上隔着所述第1杂质区而围住所述第2杂质区的第2导电型的第6杂质区。

3.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于：

还设有在所述半导体基板的所述第1主面上形成的、与所述第6杂质区电气连接的保护电极层。

4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

所述第4杂质区位于与所述第3杂质区正对的所述第2主面的部分。

5.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

在所述第2主面上，所述第4杂质区和所述第5杂质区在同一方向上延伸。

6.如权利要求5所述的半导体装置，其特征在于：

在所述第2主面上，所述第5杂质区由所述第4杂质区夹着。

7.一种半导体装置制造方法，包括以下工序：

通过在具有第1及第2主面、且具有第1导电型的第1杂质区的半导体基板的所述第1主面上有选择地导入杂质，从而在所述第1主面上形成由所述第1杂质区围住的第2导电型的第2杂质区；

在所述第2杂质区内的所述第1主面上形成第1导电型的第3杂质区，该区与所述第1杂质区之间夹着所述第2杂质区；

在夹于所述第1杂质区和所述第3杂质区之间的所述第2杂质区上形成隔着绝缘膜相对的控制电极层；

在所述第2主面上有选择地形成第2导电型的第4杂质区；以及

在与所述第2杂质区正对的所述第2主面的部分上有选择地形成其杂质浓度高于所述第1杂质区的第1导电型的第5杂质区。

8.如权利要求7所述的半导体装置制造方法，其特征在于：

在形成所述第4和所述第5杂质区后，进行所述第2主面的热处理。