[发明专利]磁存储器及其制造方法

权利要求书

1.一种磁存储器，包括：

堆叠，其包括磁被钉扎层、隧穿势垒以及磁自由层以形成磁隧道结，其中该磁隧道结具有一长轴，该磁被钉扎层包括：第一铁磁层、第一非磁金属层以及第二铁磁层；该磁自由层包括：第三铁磁层、第二非磁金属层以及第四铁磁层；

第一写入导线，配置于该堆叠下方，且于一投影面上该第一写入导线与该磁隧道结的长轴方向二者夹角小于45度且大于0度；以及

第二写入导线，配置于该堆叠上方，且于该投影面上，该第二写入导线与该磁隧道结的长轴方向二者夹角小于45度且大于0度。

2.如权利要求1所述的磁存储器，其中该第一铁磁层与该第二铁磁层的磁场强度不相等。

3.如权利要求1所述的磁存储器，其中该磁被钉扎层为合成反铁磁结构。

4.如权利要求1所述的磁存储器，其中该磁被钉扎层提供偏置磁场至该磁自由层。

5.如权利要求1所述的磁存储器，其中该磁自由层为合成反铁磁结构。

6.一种磁存储器的制造方法，包括：

提供基底；

在该基底上方形成第一写入导线；

在该第一写入导线上方形成堆叠，其包括磁被钉扎层、隧穿势垒以及磁自由层以形成磁隧道结，其中该磁被钉扎层包括第一铁磁层、第一非磁金属层以及第二铁磁层，该磁自由层包括第三铁磁层、第二非磁金属层以及第四铁磁层，该磁隧道结具有一长轴，且于一投影面上该第一写入导线与该磁隧道结的长轴方向二者夹角小于45度且大于0度；以及

在该堆叠上方形成第二写入导线，且于该投影面上，该第二写入导线与该磁隧道结的长轴方向二者夹角小于45度且大于0度。

7.如权利要求6所述的磁存储器制造方法，其中该第一铁磁层与该第二铁磁层的磁场强度不相等。

8.如权利要求6所述的磁存储器制造方法，其中该磁被钉扎层提供偏置磁场至该磁自由层。

9.如权利要求6所述的磁存储器制造方法，其中该磁自由层为合成反铁磁结构。

10.如权利要求6所述的磁存储器制造方法，其中该磁自由层为合成反铁磁结构。