[发明专利]互连结构及其制造方法

权利要求书

1.一种互连结构，包括：

其中嵌入有至少一个导电特征的电介质材料，所述至少一个导电特征具有与电介质材料的上表面共面的表面；

设置在所述至少一个导电特征上的含金属罩，所述含金属罩具有氧化表面区域；以及

位于所述至少一个导电特征之间的所述电介质材料的所述表面上的完全氧化的金属微粒。

2.如权利要求1所述的互连结构，其中所述电介质材料是SiO₂、倍半硅氧烷、掺杂C的氧化物或者热固聚亚芳基醚中的一个，其中掺杂C的氧化物包括Si、C、O和H原子。

3.如权利要求1所述的互连结构，其中所述至少一个导电特征是过孔、线或者其组合。

4.如权利要求1所述的互连结构，其中所述至少一个导电特征包括Cu、W、Al或者其合金。

5.如权利要求4所述的互连结构，其中所述至少一个导电特征包括Cu或者含Cu合金。

6.如权利要求1所述的互连结构，其中所述至少一个导电特征通过扩散阻挡层与所述电介质材料部分地分隔。

7.如权利要求1所述的互连结构，其中所述含金属罩包括元素Co、元素Ni、CoP、CoWP、CoB、CoWB、NiP、NiWP或者NiWB。

8.如权利要求7所述的互连结构，其中所述含金属罩包括CoWP或者CoP。

9.如权利要求1所述的互连结构，还包括用于覆盖所述含金属罩和所述完全氧化的金属微粒的至少一个其它电介质材料，其中所述至少一个其它电介质材料包括电介质覆盖层、第二电介质材料中的一个，所述第二电介质材料与其中嵌入有所述至少一个导电特征的所述电介质材料相同或者不同。

10.一种互连结构，包括：

其中嵌入有至少一个含Cu导电特征的电介质材料，所述至少一个含Cu导电特征具有与电介质材料的上表面共面的表面；

设置在所述至少一个导电特征上的CoWP或者CoP罩，所述CoWP或者CoP具有氧化表面区域；以及

位于所述至少一个含Cu导电特征之间的所述电介质材料的所述表面上的完全氧化的Co微粒。

11.如权利要求10所述的互连结构，还包括用于覆盖所述CoWP或CoP罩和所述完全氧化的Co微粒的至少一个其它电介质材料，其中所述至少一个其它电介质材料包括电介质覆盖层或者第二电介质材料中的一个，所述第二电介质材料与其中嵌入有所述至少一个含Cu导电特征的所述电介质材料相同或者不同。

12.一种用于制造互连结构的方法，包括：

提供一种结构，所述结构包括其中嵌入有至少一个导电特征的电介质材料，所述至少一个导电特征具有与电介质材料的上表面共面的表面；

通过无电镀敷在所述至少一个导电特征上设置含金属罩，其中在所述无电镀敷期间，在位于至少一个导电特征之间的电介质材料的表面上形成金属微粒；并且

氧化所述含金属罩以便在其上形成氧化表面区域，同时完全氧化所述金属微粒，附带条件是所述氧化是在沉积覆盖电介质之前进行的。

13.如权利要求12所述的方法，其中所述氧化包括热氧化、等离子氧化或者湿化学氧化的其中一个。

14.如权利要求13所述的方法，其中所述氧化包括热氧化，并且所述热氧化是在含氧气体处于100°至450℃的温度内并在0.1秒至100秒的持续时间内执行的。

15.如权利要求13所述的方法，其中所述氧化包括等离子氧化，并且所述等离子氧化是在含氧等离子处于20°至300℃的温度并在5秒至200秒的持续时间内执行的。

16.如权利要求13所述的方法，其中所述氧化包括湿化学氧化，并且所述湿化学氧化是在氧化剂处于20°至80℃的温度中并在10秒至200秒的持续时间内执行的。

17.如权利要求12所述的方法，其中所述至少一个导电特征包括Cu、W、Al或者其合金。

18.如权利要求17所述的方法，其中所述至少一个导电特征包括Cu或者含Cu合金。