[发明专利]一种利用稀磁半导体测量多量子阱耦合的方法

权利要求书

1.一种利用稀磁半导体测量多量子阱耦合的方法，其特征在于利用稀磁半导体的巨塞曼分裂，用平行于生长方向的磁场调控阱深或垒高，以测定耦合多量子阱能带结构的变化。 

2.按权利要求1所述的利用稀磁半导体测量多量子阱耦合的方法，其特征在于所述稀磁半导体的耦合多量子阱的哈密顿函数为 

式中 m_e或m_h、m、e、ρ、z_e或z_hε、ε₀、U_e或U_h分别为普朗克常数、电子或重空穴有效质量、电子-重空穴折合质量、电子电荷、x-y平面内电子空穴间的距离、电子或重空穴生长方向上的坐标、真空介电函数、材料相对介电函数、电子或重空穴限制势。ω_c是回旋频率，其值为eB/m，B为磁通量。 

3.按权利要求2所述的利用稀磁半导体测量多量子阱耦合的方法，其特征在于对于(II，Mn)VI稀磁半导体，哈密顿函数中U_e，p-d＝x_effJ_p-d<S_x(z_h)>J_z 表示了自由电子和Mn局域自旋之间的交换作用，其中x_eff是Mn的有效摩尔浓度；J_s-d＝N₀αJ_p-d＝N₀β/3是交换积分；s_z＝±1/2(J_z＝±3/2)是电子(重空穴)的自旋；<S_z>是Mn局域自旋在磁场方向上的热平均，其值由布里渊函数给出： 

式中B_J(x)为布里渊函数，g_Mn＝2是Mn²⁺的g因子，μ_B是波尔磁子，k_B 是玻尔兹曼常数，T₀是居里温度。 

4.按权利要求1-3中任一项所述的利用稀磁半导体测量多量子阱耦合的方法，其特征在于所述稀磁半导体通式为Zn_1-x-yCd_xMn_ySe。 

5.按权利要求4所述的利用稀磁半导体测量多量子阱耦合的方法，其特征在于所述的稀磁半导体y＝0.004摩尔的Mn掺杂，垒宽为1.5nm，使不同量子阱间存在耦合，在阱的两侧各有6nm厚的ZnSe缓冲层。