[发明专利]具有沉积在其上的多个金属层的半导体器件无效
申请号: | 200710006727.0 | 申请日: | 2007-02-02 |
公开(公告)号: | CN101013723A | 公开(公告)日: | 2007-08-08 |
发明(设计)人: | 丁英洙;韩成基;丁炯硕;李炯益 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L29/78 | 分类号: | H01L29/78;H01L29/49;H01L21/336;H01L21/283 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 张波 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 沉积 金属 半导体器件 | ||
【说明书】:
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