[发明专利]具有分级引线接合的电子组件

说明书

技术领域

本发明总的涉及电子组件及其形成方法，更具体地，涉及具有分级引线接合的电子组件。

背景技术

通常，将射频(RF)功率晶体管器件用作无线通信应用中(通常在计算系统中)的信号放大器是公知的。最近几年，这种器件的工作频率显著增加，并且目前已经很好地达到了千兆赫的范围。随着频率持续增加，晶体管器件的特殊设计特点逐渐变得重要。

典型的RF功率放大器包括封装或封装基板，具有设置在封装基板上的一个或多个微电子芯片，每一个微电子芯片具有在其上形成的多个晶体管，以及还具有一个或多个分流电容(shunt cap)，以改变功率放大器的整体阻抗。输入和输出引线也连接至封装基板，并且引线接合通常用于构成各个元件之间的电连接。

随着RF信号经过RF功率放大器，与该信号相关的电流的不同部分行进了不同的路径长度。例如，由于“趋肤效应”，当电流通过输出引线离开RF功率放大器时，大量的电流将位于引线的外部边缘附近。结果，电流不均匀地经过RF功率放大器。此外，增量电流趋向于流经晶体管芯片的端部。这种不均匀的流动导致某些引线接合过热，并且被损坏。

此外，流经RF功率放大器的电流的不同部分将经历不同的阻抗。这些阻抗的不匹配性阻碍了放大器的性能。

因此，期望提供一种RF功率放大器，其具有用以处理通过其不同部分的不同量电流的能力。此外，还期望提供一种RF功率放大器，其具有通过其不同部分的特定控制(例如，更加恒定)的阻抗。此外，结合附图和上述技术领域与背景技术，根据随后的具体实施方式和所附权利要求，本发明的其它期望特征和特性将变得清楚。

发明内容

根据本发明的一个方面，提供一种电子组件。该电子组件包括：基板；与所述基板连接的引线；在所述基板上的具有第一和第二部分的第一微电子元件；在所述基板上的第二微电子元件；和多个导体，用于将第一接触区与第二接触区互连，所述第一接触区在所述第一微电子元件上，而所述第二接触区在从所述引线与所述第二微电子元件中选择的一个上，所述多个导体中的第一导体具有第一感应系数，所述多个导体中的第二导体具有第二感应系数，所述第二感应系数大于所述第一感应系数。其中所述导体中的每一个导体接触相应的一对第一和第二接触点，所述第一接触点在所述第一接触区中而所述第二接触点在所述第二接触区中，并且所述第一导体接触的第一和第二接触点之间的距离与所述第二导体接触的第一和第二接触点之间的距离相同。

根据本发明的另一方面，提供一种RF功率放大器。该RF功率放大器包括：基板；与所述基板连接的引线；在所述基板上的具有第一、第二和第三部分的第一微电子元件，所述第一和第三部分在所述第二部分的对侧上；在所述基板上的第二微电子元件；和多个导体，用于将第一接触区与第二接触区互连，所述第一接触区在所述第一微电子元件上，而所述第二接触区在从所述引线与所述第二微电子元件中选择的一个上。其中所述导体中的每一个导体接触相应的一对第一和第二接触点，所述第一接触点在所述第一接触区中而所述第二接触点在所述第二接触区中，并且在所述第一微电子元件的每单位长度上，在所述第一微电子元件的所述第一和第三部分上的所述第一接触点的数目大于在所述第一微电子元件的第二部分上的所述第一接触点的数目，并且对于每一对第一和第二接触点来说，所述第一和第二接触点之间的距离相同。