[发明专利]电子芯片接触点结构有效
| 申请号： | 200680029466.8 | 申请日： | 2006-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN101496164A | 公开（公告）日： | 2009-07-29 |
| 发明（设计）人： | 约翰·特雷扎;约翰·卡拉汉;格雷戈里·杜多夫 | 申请（专利权）人： | 确比威华有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/34 | 分类号： | H01L23/34;H01L23/48 |
| 代理公司： | 上海市华诚律师事务所 | 代理人： | 傅强国 |
| 地址： | 美国新罕*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电子 芯片 接触 结构 | ||
1.芯片接触点，其特征在于，包含：
集成电路(IC)焊盘；
在所述IC焊盘上方的阻挡层；以及
在所述阻挡层上方的韧性材料；
其中，当所述芯片接触点和另一个接触点接合时，所述韧性材料被构成为在压力 下变形并被所述另一个接触点的刚性材料穿进；以及
其中，所述韧性材料被构成为与所述另一接触点的扩散阻挡层互相扩散。
2.如权利要求1所述的芯片接触点，其特征在于，进一步地包含：
在所述阻挡层上方的基座。
3.如权利要求1所述的芯片接触点，其特征在于，进一步地包含：
在所述阻挡层下方的基座。
4.如权利要求1所述的芯片接触点，其特征在于，进一步地包含：
在所述韧性材料上方的粘附层。
5.如权利要求4所述的芯片接触点，其特征在于，进一步地包含：
在所述粘附层上方的氧化阻挡层。
6.如权利要求1所述的芯片接触点，其特征在于，进一步地包含：
在所述韧性材料上方的氧化阻挡层。
7.如权利要求1所述的芯片接触点，其特征在于，所述阻挡层包含下列的一个或 多个：
Ni，Cr，Ti/Pt，Ti/Pd/Pt，Ti/Pt/Au，Ti/Pd，Ti/Pd/Au，Ti/Pd/Pt/Au，TiW，Ta，TaN，Ti，TaW， W或其合金。
8.如权利要求2或3所述的芯片接触点，其特征在于，所述基座包含下列的一个 或多个：
Ni，Cu，Al，Au，W，Pt，Pd，Co，Cr或其合金。
9.如权利要求1所述的芯片接触点，其特征在于，所述韧性材料包含下列的一个 或多个：
Sn，In，Pb，Bi，Al，Zn，Mg或其合金。
10.如权利要求1所述的芯片接触点，其特征在于，进一步地包含：
粘附层，其包含下列之一
Sn，In，Pb，Zn，或其合金。
11.一种电连接，其特征在于，包含：
集成电路(IC)焊盘；
在所述IC焊盘上方的阻挡层；
在所述阻挡层上方的刚性材料；
在所述刚性材料上方的扩散阻挡层；以及
符合所述刚性材料的端部的变形的韧性材料；
其中，当所述刚性材料与所述韧性材料接合时，所述韧性材料被构成为在压力下 变形并被所述刚性材料穿进；以及
其中，所述韧性材料与所述扩散阻挡层互相扩散。
12.如权利要求11所述的电连接，其特征在于，进一步地包含：
在所述扩散阻挡层上方的覆盖层，其中，所述韧性材料还与所述覆盖层互相扩散。
13.如权利要求11所述的电连接，其特征在于，所述扩散阻挡层包含下列之一：
Ni，Cr，Ti/Pt，Ti/Pd/Pt，Ti/Pt/Au，Ti/Pd，Ti/Pd/Au，Ti/Pd/Pt/Au，TiW，Ta，TaN，Ti，TaW， W，或其合金。
14.如权利要求12所述的电连接，其特征在于，其中，所述覆盖层是抗氧化覆 盖层。
15.如权利要求11所述的电连接，其特征在于，所述阻挡层包含下列的一个或多 个：
Ni，Cr，Ti/Pt，Ti/Pd/Pt，Ti/Pt/Au，Ti/Pd，Ti/Pd/Au，Ti/Pd/Pt/Au，TiW，Ta，TaN，Ti，TaW， W，或其合金。
16.如权利要求11所述的电连接，其特征在于，所述刚性材料包含下列之一：
Al，Au，Co，Cr，Cu，Ni，Pd，Pt，Ta，W，或其合金.
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于确比威华有限公司，未经确比威华有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200680029466.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
