[发明专利]晶片结构

说明书

技术领域

本发明涉及一种晶片结构，特别是涉及一种具有软性凸块的晶片结构。

背景技术

在半导体产业中，集成电路(integrated circuits，IC)的生产主要可分为三个阶段：集成电路的设计(IC design)、集成电路的制作(ICprocess)及集成电路的封装(IC package)。

在集成电路的制作中，晶片(chip)是经由晶圆(wafer)制作、形成集成电路、电性测试(electrical testing)以及切割晶圆(wafer sawing)等步骤而完成。晶圆具有一主动面(active surface)，其泛指晶圆的具有主动元件(active device)的表面。当晶圆内部的集成电路完成后，晶圆的主动面将配置有多个焊垫(bonding pad)，以使最终由晶圆切割所形成的晶片可经由这些焊垫而向外电性连接于一承载器(carrier)。

请参阅图1所示，其为现有的一种晶片结构的侧视示意图。现有晶片结构100包括一基材(substrate)110、多个晶片焊垫(chip bonding pad)120、一保护层(passivation layer)130与多个导电凸块(conductive bump)140。基材110具有一主动面112，而这些晶片焊垫120配置于主动面112上。保护层130覆盖主动面112，且暴露出这些晶片焊垫120。此外，这些导电凸块140分别配置于这些晶片焊垫120上，以作为电性连接至玻璃基板(glass substrate)(未绘示)的媒介。

然而，在玻璃基板上，被设计要与这些导电凸块140对应电性连接的这些电性接点(未绘示)有时由于布线设计或其他因素而无法完全与这些导电凸块140的位置对应对齐，进而使得这些晶片焊垫120无法对应电性连接至这些电性接点。因此，对于这些晶片焊垫120作进一步的重新配置(redistribution)的处理是必要的。

发明内容

本发明的目的是提供一种晶片结构，其晶片焊垫可借由软性凸块与重配置导电迹线而适于对应连接至承载器的电性接点。

为达上述或是其他目的，本发明提出一种晶片结构，其包括一基材、至少一晶片焊垫、一保护层、至少一软性凸块(compliant bump)与至少一重配置导电迹线(redistribution conductive trace)。基材具有一主动面，晶片焊垫配置于主动面上，保护层配置于主动面上，且暴露出晶片焊垫。软性凸块具有一顶面与一侧面，其中至少部分软性凸块配置于保护层上。重配置导电迹线的一端与晶片焊垫电性连接，且重配置导电迹线的另一端覆盖于软性凸块的部分侧面与至少部分顶面。

在本发明的一实施例中，上述的软性凸块可配置于晶片焊垫与保护层上，且软性凸块可覆盖部分晶片焊垫。

在本发明的一实施例中，上述的软性凸块可配置于保护层上。

在本发明的一实施例中，上述的软性凸块可配置于保护层上。此外，上述部分重配置导电迹线可配置于保护层上。

在本发明的一实施例中，上述的软性凸块的顶面可为规则形状。

在本发明的一实施例中，上述的软性凸块的顶面可为规则形状。此外，上述的软性凸块的顶面可为矩形。

在本发明的一实施例中，上述的软性凸块的顶面可为规则形状。此外，上述的软性凸块的顶面可为圆形。

在本发明的一实施例中，上述的软性凸块的顶面可为规则形状。此外，上述的软性凸块的顶面可为环形。

在本发明的一实施例中，上述的软性凸块的顶面可为不规则形状。

在本发明的一实施例中，上述的软性凸块的数量可为多个。

在本发明之一实施例中，上述的软性凸块的数量可为多个。此外，上述这些软性凸块可排列为阵列(array)。

在本发明之一实施例中，上述的软性凸块的材质包括聚亚酰胺(polyimide)。

在本发明之一实施例中，上述的软性凸块的厚度可大于等于5微米且可小于等于11微米。

在本发明之一实施例中，上述的位于软性凸块的顶面上的重配置导电迹线的一端的表面粗糙度可大于0微米且可小于等于1微米。

在本发明的一实施例中，上述的重配置导电迹线的厚度可大于等于2微米且可小于等于6微米。

在本发明的一实施例中，上述的晶片结构更包括一异方性导电膜(anisotropic conductive film)，配置于位于软性凸块的顶面上的重配置导电迹线的一端上。