[发明专利]氮化镓系半导体的成长方法有效
| 申请号： | 200610001595.8 | 申请日： | 2006-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN101009339A | 公开（公告）日： | 2007-08-01 |
| 发明（设计）人： | 陈政权;陈铭章;洪昆明 | 申请（专利权）人： | 新世纪光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/20 |
| 代理公司： | 北京邦信阳专利商标代理有限公司 | 代理人： | 王昭林;崔华 |
| 地址： | 中国台湾台南县善化*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氮化 半导体 成长 方法 | ||
【说明书】：
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