[发明专利]Ⅲ－Ⅴ族氮化物系半导体衬底及其制造方法和Ⅲ－Ⅴ族氮化物系半导体有效
| 申请号： | 200510064396.7 | 申请日： | 2005-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN1734247A | 公开（公告）日： | 2006-02-15 |
| 发明（设计）人： | 柴田真佐知 | 申请（专利权）人： | 日立电线株式会社 |
| 主分类号： | G01L21/20 | 分类号： | G01L21/20;H01L33/00;H01S5/00;C30B29/38 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人： | 钟晶 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 衬底 及其 制造 方法 | ||
【说明书】：
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