[发明专利]具有反应副产物沉积防止装置的排气管和沉积防止方法

说明书

技术领域

本发明涉及用于使半导体制造装置等真空室成为真空的真空排气系统的排气管，尤其涉及设有防止反应副产物沉积在内表面上的装置的排气管，以及防止反应副产物沉积到排气管内表面上的方法。

背景技术

减压化学气相沉积装置(CVD)具有石英管反应炉(真空室)，真空泵通过金属制成的排气管连接到该反应炉。这样，尤其在减压化学气相沉积装置中，由于在氧化膜、氮化膜的形成过程等产生大量的反应副产物。因此，由于反应副产物造成的污染，容易造成真空泵在短时间内就不能工作，为了避免这种情况，需要定期清洗，降低了该装置的运转率，这就成为问题。

为了防止由于反应副产物污染造成真空泵不能工作，已经开发出设置在反应炉和真空泵之间的排气管中的各种吸尘罩，这在某种程度上是有效的。但是，在反应炉和吸尘罩之间的排气管中仍然存在反应副产物向该排气管内表面沉积的问题。作为对策是在排气管外表面上缠绕加热用加热器，通过加热排气管，防止反应副产物的冻结沉积。

但是，在现有方法中，加热器的热跑到大气中，因此不能有效提高排气管温度。尤其在氧化膜的形成过程中，反应副产物的升华温度高，反应副产物的产生量也多，因此不能达到完全防止反应副产物沉积的效果。

发明内容

本发明的目的在于解决上述问题，通过在连接真空室和真空泵之间的排气管中设置反应副产物沉积防止装置，避免反应副产物在该排气管内沉积堆积，消除定期维护的必要性，可提高半导体制造装置的运转率。

即，本发明提供一种排气管，其特征在于，具有在内部有排气通路的内筒、在该内筒外侧留有空隙而设置的外筒、和附接到内筒上的加热装置，上述空隙与上述排气通路连通

由于空隙与排气通路连通，在排气时，不仅使该排气通路处于真空状态，而且空隙也处于真空状态，因此，可抑制热从设在其内部的加热装置释放到外部，可有效加热内筒，从而可防止包含在排气中的反应副产物等冻结堆积在内筒内表面。

作为一个实施例，使内筒比外筒短，在内筒的上游端连接到外筒，在下游端形成用于将上述空隙与排气通路连通的连通口。此外，也可在其下游端将内筒连接到外筒，将连通口设置在上游侧。

另外，通过沿着内筒的内壁表面形成惰性气体或氮气层，可更有效她防止上述冻结沉积。作为这种情况的具体实施例，使惰性气体等的导入口和上述空隙不连通，设计为使外筒和内筒在上游端贯通而将上述惰性气体等导入排气通路内。另外，也可以将气体导入口设置在外筒下游端并和上述空隙连通，上述惰性气体等可通过上述空隙和连通口导入排气通路内。这种情况下，从加热装置向外部扩散的热由通过空隙的惰性气体吸收，除了可通过该气体达到防止反应副产物沉积的效果以外，由于气体沿着内筒表面流动，可有效加热内筒表面。

作为另一个实施例，内筒和外筒的长度大致相同，它们在两端连接的同时，在外筒上设置和上述空隙连通的气体导入口，内筒由多孔材料构成，导入上述空隙中的惰性气体通过内筒的多个孔喷到上述排气通路内，由此，防止反应副产物等的沉积。

进一步，根据本发明的排气管的其他基本特征是具有：在内部具有排气通路的内筒、设置在该内筒外侧的外筒、在内筒和外筒之间形成的密闭空间、以及在外筒中设置的、用于将液氮等极低温冷却介质导入密封空间的冷却介质导入口。

在该排气管中，通过将液氮等极低温冷却介质供给密闭空间，冷却内筒内表面，通过将氨气、氩气、氮气等气体导入到该内表面附近，使这些气体冻结在内表面上，排气后，通过通过汽化该冻结气体，可剥离在排气中沉积的反应副产物等。

附图简更说明

图1是根据本发明第一实施例的防止反应副产物在排气管内沉积的装置的结构示意图。

图2是根据本发明第二实施例的防止反应副产物在排气管内沉积的装置的结构示意图。

图3是根据本发明第三实施例的防止反应副产物在排气管内沉积的装置的结构示意图。

图4是根据本发明第四实施例的防止反应副产物在排气管内沉积的装置的结构示意图。

具体实施方式

以下，根据附图说明本发明的实施例。

在图1中，10是根据本发明一个实施例的排气管，在该实施例中，该排气管10的左端部(图中未示出)连接到反应真空室，右端部连接到真空泵(或者，设置在真空泵上游侧上的图中未示出的吸尘罩)。