[发明专利]用于半导体制造的导电层的低温氧化

权利要求书

1、一种形成用于半导体制造的阀用金属氧化物的方法，包括以下步骤：

提供半导体晶片；

在晶片上淀积阀用金属材料；

将晶片放置在电化学单元中，当在阀用金属材料和溶液之间提供电位差时，使包括电解质的溶液与阀用金属材料互相作用，形成金属氧化物；和

使用金属氧化物层处理晶片。

2、根据权利要求1的方法，其特征在于淀积阀用金属材料的步骤包括淀积选自由铝、铌、钽、钛、氮化钛、铪和锆组成一组的阀用金属材料。

3、根据权利要求1的方法，还包括在阀用金属材料和溶液之间施加电压以便产生电位差，使施加的电压控制金属氧化物的厚度的步骤。

4、根据权利要求1的方法，其特征在于溶液包括在含水溶液中的乙酸盐缓冲剂。

5、根据权利要求1的方法，其特征在于乙酸盐缓冲剂溶液具有在约4和约7之间的pH值。

6、根据权利要求1的方法，其特征在于将晶片放置在电化学单元内的步骤包括以下步骤：

将晶片放置在电化学单元内，使晶片具有阀用金属材料的暴露表面区域；和

在溶液中提供对置电极，使其具有比阀用金属的暴露表面区域大的暴露表面区域。

7、根据权利要求6的方法，其特征在于将晶片放置在电化学单元内的步骤包括密封阀用金属材料的暴露表面区域之外的其它部分以便防止与溶液接触的步骤。

8、根据权利要求1的方法，其特征在于包括电解质的溶液与阀用金属材料在约室温下互相作用，形成金属氧化物。

9、根据权利要求1的方法，其特征在于使用金属氧化物处理晶片的步骤包括采用金属氧化物作为蚀刻掩模和蚀刻停止之一的步骤。

10、一种在半导体衬底中蚀刻沟槽的方法，包括以下步骤：

提供半导体衬底；

形成衬底的衬垫叠层；

在衬垫叠层上淀积阀用金属材料；

将衬底放置在电化学单元中，当在阀用金属材料和溶液之间提供电位差时，使包括电解质的溶液与阀用金属材料互相作用，形成金属氧化物；和

采用金属氧化物作为在衬底中蚀刻沟槽的蚀刻掩模。

11、根据权利要求1的方法，其特征在于淀积阀用金属材料的步骤包括淀积选自由铝、铌、钽、钛、氮化钛、铪和锆组成一组的阀用金属材料。

12、根据权利要求10的方法，还包括在阀用金属材料和溶液之间施加电压以便产生电位差，使施加的电压控制金属氧化物的厚度的步骤。

13、根据权利要求10的方法，其特征在于溶液包括在含水溶液中的乙酸盐缓冲剂。

14、根据权利要求10的方法，其特征在于乙酸盐缓冲剂溶液具有在约4和约7之间的pH值。

15、根据权利要求10的方法，其特征在于将晶片放置在电化学单元内的步骤包括以下步骤：

将晶片放置在电化学单元内，使晶片具有阀用金属的暴露表面区域；和

在溶液中提供对置电极，使其具有比阀用金属的暴露表面区域大的暴露表面区域。

16、根据权利要求15的方法，其特征在于将晶片放置在电化学单元内的步骤包括密封阀用金属材料的暴露区域之外的其它部分以便防止与溶液接触的步骤。

17、根据权利要求10的方法，其特征在于包括电解质的溶液与阀用金属材料在约室温下互相作用，形成金属氧化物。

18、根据权利要求10的方法，其特征在于采用金属氧化物作为在衬底中蚀刻沟槽的蚀刻掩模的步骤包括构图阀用金属材料以在用于沟槽的位置开孔的步骤。

19、根据权利要求10的方法，其特征在于采用金属氧化物作为在衬底中蚀刻沟槽的蚀刻掩模的步骤包括构图金属氧化物以便在用于沟槽的位置开孔的步骤。