[发明专利]电荷耦合元件取像芯片封装结构

说明书

本发明涉及一种CCD取像芯片封装结构，主要是以缩减该CCD(电荷耦合元件Charge Coupled Device)取像芯片封装模组的厚度为目的，利用倒装片式(Flip Chip)接合技术，并直接将镜面玻璃作为基板(Substrate)制作电路来封装；或以倒装片式接合技术搭配各种不同基板(BTsubstrate、Metal Cap Substrate、1 Metal PI Substrate、Gavity DownSubstrate)来制作薄型CCD取像芯片封装模组。

目前，以固态影像元件应用在摄像机最尖端的技术非CCD(电荷耦合元件charge CoupIed Device)莫属，而在发展至今，分别可应用在医疗、产业、教育、电脑信息、交通、一般管理等领域，而在该传统CCD封装模组1’的结构一般如图1所示，先在一导线架11’上的基板12’以打线Wire Bond法将取像芯片2’粘贴在基板12’上，并在取像芯片2’的周围设置高起的屏障dam，3’，并在屏障3’上盖上玻璃4’，使玻璃4’与取像芯片2’隔一适当距离，以便使取像轨迹P透过玻璃4’后在取像芯片2’上成形，最后，将整个模组以导线架11’与印刷电路PCB5’板结合。

上述传统CCD封装模组1’，由于结构设计所限，无法使整个模组的高度降低，如此一来，在一些利用超小型应用场合，如超小工业内视镜、数字摄像机…等，即必须要超小高度的封装模组，才能有效缩小该模组面积。

本发明的主要目的是提供一种电荷耦合元件取像芯片封装结构，其应用一新颖制作程序，采用倒装片式封装技术，结合高度设计的基板来大大地降低整体CCD封装模组的高度，使得一些应用于超小高度、轻量化的商品化成功得以实现。

本发明的目的是这样实现的：主要是由一取像芯片与一高度设计的基板作倒装片式封装接合，其结构A为：其电荷耦合元件CCD封装模组主要是在玻璃的底面上直接制作出电路，并与取像芯片作倒装片式封装结合，再以锡球结合电路与印刷电路板作电路结合。

其中玻璃电路与取像芯片之间是以透明胶料或特殊化学材料填入，且经过该玻璃的取像轨迹仍能穿过透明胶料或特殊化学材料而进入取像芯片。

本发明的目的也可以是这样实现的：主要是由一取像芯片与一高度设计的基板作倒装片式封装接合的结构B：先以中心开孔的BT或Metal Cap基板的顶面粘合一玻璃；同时在该BT或Metal Cap基板底面先制作出适当电路，再将取像芯片以倒装片式接合法与该BT或Metal Cap基板上电路接合成电荷耦合元件CCD封装模组，再将整个CCD封装模组以锡球与印刷电路板接合。

其中BT或Metal Cap基板与取像芯片之间是以透明胶料或特殊化学材料填入。

本发明的目的还可以是这样实现的：主要是由一取像芯片与一高度设计的基板作倒装片式封装接合结构C：先以中心开孔的PI基板的顶面粘合一玻璃；同时在该PI基板底部先制作出适当电路，再将取像芯片以倒装片式接合法与该PI基板接合成电荷耦合元件CCD封装模组，再将整个CCD封装模组以锡球与印刷电路板接合。

其中该PI基板与取像芯片之间是以透明胶料或特殊化学材料填入。

本发明的目的又可以是这样实现的：主要是由一取像芯片与一高度设计的基板作倒装片式封装接合结构D：先以一开口向下基板的顶面上凹口粘合一玻璃，再在开口向下基板的下凹口上以倒装片式接合法接合一取像芯片，以形成一电荷耦合元件CCD封装摸组，将该CCD封装模组以锡球与印刷电路接合。

其中开口向下基板与取像芯片之间是以透明胶料或特殊化学材料填入，且经过该玻璃的取像轨迹仍能穿过透明胶料或特殊化学材料而进入取像芯片。

其中与印刷电路板的结合方法是以导线架连接，且该开口向下基板与取像芯片之间是以透明胶料或特殊化学材料填入。

下面配合附图详细说明本发明的技术内容、特点及功效：

图1是电荷耦合元件CCD封装模组的传统技术示意图。

图2是本发明的取像芯片与玻璃基板的倒装片式接合示意图。

图3是本发明的取像芯片与玻璃基板倒装片式接合的又一实施例图。

图4是本发明的取像芯片与BT或Metal基板的倒装片式接合示意图。

图5是本发明的取像芯片与BT或Metal基板的倒装片式接合的另一实施例图。

图6是本发明的取像芯片与一层合金PI基板的倒装片式接合示意图。

图7是本发明的取像芯片与一层合金PI基板的倒装片式接合的又一实施例图。