[发明专利]非易失性半导体存储装置及其制造方法

权利要求书

1.一种非易失性半导体存储装置，特征在于：

具有

半导体衬底；

形成多个存储单元的上述半导体衬底上的存储单元部分；

形成控制上述存储单元的电路的上述半导体衬底上的周边电路部分；

在上述存储单元部分和周边电路部分上分别形成的由多个槽分离了的多个元件区；

在上述槽的内壁形成的氮氧化膜；

填埋上述槽的绝缘膜；

在上述周边电路部分的元件区上，通过用上述氮氧化膜规定了端部的栅极绝缘膜形成的栅极电极。

2.一种非易失性半导体存储装置，特征在于：

具有

形成多个存储单元晶体管，由埋入元件分离区把上述存储单元晶体管的元件区绝缘分离的存储单元阵列区；

形成多个存储单元阵列的周边电路晶体管，由埋入元件分离区把上述周边电路晶体管的元件区绝缘分离的周边电路晶体管区，

与上述存储单元晶体管的元件区端部的曲率相比较实质地较大设定上述周边电路晶体管的元件区端部的曲率。

3.如权利要求2中记述的非易失性半导体存储装置，特征在于：

上述元件区的平坦部分的高度与位于其上部的栅极电极的最低部分的高度的差是4nm以上。

4.如权利要求2中记述的非易失性半导体装置，特征在于：

在上述周边电路晶体管的动作为待机状态时，提供流过亚阈值电流的偏置电位。

5.如权利要求2中记述的非易失性半导体装置，特征在于：

上述存储单元晶体管的栅极电极的至少一部分与上述存储单元阵列区的埋入元件分离区自匹配。

6.如权利要求2中记述的非易失性半导体装置，特征在于：

上述存储单元晶体管是具备了浮置栅极的非易失性半导体存储器的存储单元。

7.一种非易失性半导体存储装置的制造方法，这是具有用槽型元件分离形成元件区，而且包括浮置栅极的存储单元部分和其周边电路部分的非易失性半导体存储装置的制造方法，特征在于：

具有

在硅衬底上经由绝缘膜形成多晶硅层的工艺；

为了形成元件区，自匹配地腐蚀该多晶硅层与绝缘膜、硅衬底，形成在硅衬底中具有底部并且包围元件区的元件分离用的多个槽的工艺；

通过氧化把元件区与多晶硅层相对的面的每一个端部进行圆加工的工艺；

用具有耐氧化性的膜覆盖存储单元部分的工艺；

在上述耐氧化膜的形成后加入氧化，在周边电路部分的元件区，在硅衬底与多晶硅层相对的面的端部之间，形成比存储单元部分厚的鸟嘴形氧化膜的工艺。

8.如权利要求7中记述的非易失性半导体存储装置的制造方法，特征在于：

还具有在淀积了上述耐氧化膜以后，在进行对于周边电路部分的氧化之前，选择性地去除上述耐氧化膜使得在存储单元部分中仅在浮置栅极侧面部分以及元件分离用槽的内壁残留耐氧化膜的工艺。

9.如权利要求7中记述的非易失性半导体存储装置的制造方法，特征在于：

在进行了对于周边电路部分的氧化以后，去除覆盖存储单元部分的耐氧化膜。

10.一种非易失性半导体存储装置的制造方法，这是具有用槽型元件分离形成元件区，而且包括浮置栅极的存储单元部分和其周边电路部分的非易失性半导体存储装置的制造方法，特征在于：

具有

在硅衬底上经由绝缘膜形成多晶硅层的工艺；

仅在周边电路部分，自匹配地腐蚀多晶硅层与绝缘膜、硅衬底，形成第1元件分离用槽的工艺；

在周边电路部分，氧化元件区与第1多晶硅层相对的面的每一个端部，形成鸟嘴形氧化膜的工艺；

自匹配地腐蚀存储单元部分的多晶硅层与绝缘膜、硅衬底，形成第2元件分离用槽的工艺；

在形成第2元件分离用槽以后，氧化存储单元部分的元件区与多晶硅层相对的面的每一个端部，形成比形成在周边电路部分的鸟嘴形氧化膜更薄的鸟嘴形氧化膜的工艺。