“znse”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果490个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种ZnSe/ZnS核壳结构量子点及其制备方法-CN202110264088.8有效
发明人：申怀彬;杨花威;张营;王垒;杜祖亮;李林松 -专利权人：河南大学
申请日： 2021-03-11 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： C09K11/88 文献下载
摘要：本发明提出的是一种ZnSe/ZnS核壳结构量子点，其结构包括准体相ZnSe量子点和ZnS壳层；其中，以准体相ZnSe量子点为核，在准体相ZnSe量子点外包覆ZnS壳层。一种制备ZnSe/ZnS核壳结构量子点的方法，该方法包括以下步骤：（1）制备准体相ZnSe晶核；（2）在准体相ZnSe晶核外包覆ZnSe壳层形成准体相ZnSe量子点；（3）在准体相ZnSe量子点外包覆ZnS本发明的有益效果：1）本发明制备的ZnSe/ZnS核壳结构量子点，具有稳定性佳，荧光量子产率高，尺寸分布均匀，单分散性良好，半峰宽窄的优点；2）本发明制备的ZnSe/ZnS核壳结构量子点具有准体相特征。
一种 znse zns 结构量子及其制备方法

[发明专利]ZnSe/III-V族/ZnSexS1-x或ZnSe/III-V族/ZnSe/ZnS量子点及其制备方法-CN201610834857.2有效
发明人：谢松均;汪均;涂丽眉;高静 -专利权人：纳晶科技股份有限公司
申请日： 2016-09-20 - 公布日： 2019-04-30 - 主分类号： C09K11/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种ZnSe/III‑V族/ZnSe_xS_1‑x或ZnSe/III‑V族/ZnSe/ZnS量子点及其制备方法。该制备方法包括：S1，制备含ZnSe核和非配位溶剂的第一混合液；S2，向第一混合液中加入III族元素前体溶液形成第二混合液，升温至180～320℃，加入V族元素前体溶液进行反应；S3，包覆ZnSe_xS_1‑x或ZnSe/ZnS壳层，得到ZnSe/III‑V族/ZnSe_xS_1‑x或ZnSe/III‑V族/ZnSe/ZnS先在低温加III族元素前体溶液，然后高温加V族元素前体溶液，避免III‑V的自成核，实现III‑V族元素壳层在ZnSe核上完美的包覆。
znse iii znsexs1 zns 量子及其制备方法

[发明专利]一种高荧光产率的ZnSe/CdSe/ZnSe阱式量子点的制备方法-CN201911168464.2在审
发明人：伏燕军;倪武;邹时兵;王朝旭;钟可君 -专利权人：南昌航空大学
申请日： 2019-11-25 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： C09K11/88 文献下载
摘要：本发明公开了一种高荧光产率的ZnSe/CdSe/ZnSe阱式量子点的制备方法。本发明制备的ZnSe/CdSe/ZnSe阱式量子点选择CdSe作为发射层，以ZnSe作为核和最外壳层材料，减少CdSe发射层的表面缺陷和悬键，有效抑制了量子点的闪烁，提高了ZnSe/CdSe/ZnSe量子阱量子点的荧光产率本发明制备ZnSe/CdSe/ZnSe量子阱量子点的步骤包括：首先制备Zn、Se、Cd的前驱体溶液，然后使用高温注入法制备ZnSe量子点溶液，ZnSe量子点溶液通过控制反应条件如温度、浓度、时间等调节各层的晶格常数
一种荧光 znse cdse 量子制备方法

[发明专利]消除CVD-ZnSe缺陷的方法-CN202011582585.4在审
发明人：王和风;于金凤;刘羊 -专利权人：广东先导先进材料股份有限公司
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本公开提供了一种消除CVD‑ZnSe缺陷的方法，其包括步骤：S1：对CVD‑ZnSe晶片进行研磨抛光，得到CVD‑ZnSe抛光片；S2：将CVD‑ZnSe抛光片用酒精擦拭表面，然后置于热等静压炉的装料框中，在CVD‑ZnSe抛光片的上下表面分别放置隔离垫片，然后合炉；S3：对热等静压炉抽真空并通入氩气，控制热等静压炉内的热压压力为100‑200Mpa，升高炉体温度至热压温度达到500‑800℃，然后对CVD‑ZnSe抛光片热等静压；S4：热等静压完成后，将热等静压炉降至室温并泄压恢复常压；S5：CVD‑ZnSe抛光片经过热等静压处理后成为CVD‑ZnSe晶片，取出CVD‑ZnSe晶片；S6：对CVD‑ZnSe晶片研磨抛光获得无缺陷的CVD‑ZnSe晶片。本公开的消除CVD‑ZnSe缺陷的方法，有效消除了云雾缺陷，提高了CVD‑ZnSe抛光片的光学透光率。
消除 cvd znse 缺陷方法

[发明专利]高效黄绿光发射ZnTeSe阱型量子点的制备方法-CN202211696279.2在审
发明人：王跃;王森森 -专利权人：南京理工大学
申请日： 2022-12-28 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： C09K11/88 文献下载
摘要：所述方法包括：1)向油酸锌的十八烯溶液中快速注入Se‑DPP合成ZnSe内核；2)同时加入Se‑TOP与Te‑TOP，保温合成ZnSe‑ZnTeSe量子点；3)加入油酸锌后，滴加Se‑TOP，保温合成ZnSe‑ZnTeSe‑ZnSe量子点；4)加入油酸锌后，滴加S‑TOP，保温合成ZnSe‑ZnTeSe‑ZnSe‑ZnS量子点；5)重复4)制得具有双层ZnS壳的ZnSe‑ZnTeSe‑ZnSe‑ZnS‑ZnS量子点。
高效黄绿发射 zntese 量子制备方法

[发明专利]一种Au纳米颗粒复合纳米片及其制备方法-CN201610052266.X有效
发明人：俞书宏;胡增文;徐亮 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2016-01-25 - 公布日： 2018-01-30 - 主分类号： B22F9/24 文献下载
摘要：本发明提供了一种Au‑ZnSe‑Amine复合纳米片，包括ZnSe‑Amine无机‑有机杂化纳米片及复合在其片层边缘的Au纳米颗粒。本发明还提供了一种Au‑ZnSe复合纳米片，包括ZnSe纳米片及复合在其片层边缘的Au纳米颗粒。本发明利用有机无机杂化材料层状取向和缺陷优先生长原理，在ZnSe‑Amine无机‑有机杂化复合纳米片上，实现了选择性边缘生长Au纳米颗粒，得到Au‑ZnSe‑Amine复合纳米片。
一种 au 纳米颗粒复合及其制备方法

[发明专利]一种ZnSe基底7.7-9.5μm波段高耐用性减反膜及制备方法-CN202011445875.4在审
发明人：李刚;董力;张友良;杨伟声;张红梅;吴栋才;耿曙;王宇彤 -专利权人：云南北方驰宏光电有限公司
申请日： 2020-12-08 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： G02B1/115 文献下载
摘要：本发明涉及红外镀膜技术领域，具体涉及一种ZnSe基底7.7‑9.5μm波段高耐用性减反膜及制备方法，其中ZnSe基底7.7‑9.5μm波段高耐用性减反膜，为设置在基层表面并与空气接触的膜层结构，并由依次叠层连接的ZnSe层、Ge层、ZnSe层、Ge层、ZnSe层、YbF3层、ZnS层构成。本发明的ZnSe基底7.7‑9.5μm波段高耐用性减反膜，用于为解决现有技术中，ZnSe材料基底7.7‑9.5μm波段减反膜光学性能不佳，抗盐溶液浸泡和抗摩擦能力不强，无法很好地满足新型光学仪器的使用要求的技术问题
一种 znse 基底 7.7 9.5 波段耐用性减反膜制备方法

[发明专利]一种ZNSE透镜抛光工艺-CN201910067327.3在审
发明人：李万福 -专利权人：泉州市友腾光电科技有限公司
申请日： 2019-01-24 - 公布日： 2019-04-30 - 主分类号： B24B1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种ZNSE透镜抛光工艺，包括如下步骤：原料选取：选取ZNSE晶体；原料加工：利用电镀金刚砂轮片进行高速旋转，转速为：13000万/分钟，对大块透镜原料研磨分割，使之变小送下一道工序加工；粗磨本发明通过对ZNSE晶体进行编程分层切割，加快了ZNSE晶体的切割时间，缩短了ZNSE透镜的加工时间，通过含有钻石微粉抛光液的配置，可以对ZNSE进行更精细的抛光作业，并对ZNSE透镜进行保护，防止透镜被划伤，本发明工艺流程简单，缩短了ZNSE透镜的加工时间，且抛光液抛光和防护效果好，值得推广使用。
透镜抛光液透镜抛光防护效果分层切割工序加工金刚砂轮镜片表面抛光作业透镜原料相对旋转原料加工原料选取研磨工艺流程晶体的研磨盘电镀抛光切削镜片变小粗磨大块划伤微粉编程光滑加工加压切割钻石图纸精细分割配置

[发明专利]BaF2-CN202111280911.0在审
发明人：彭浪;杨伟声;张友良;董力;邓苑;李刚;谢海 -专利权人：云南北方光学科技有限公司
申请日： 2021-11-01 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： G02B1/115 文献下载
摘要：‑4.8μm7.7‑9.5μm双波段减反射膜及其制备方法，所述减反射膜包括基底层，所述基底层上依次设置有Y2O3层、ZnSe层、YbF3层、ZnSe层、Ge层、ZnSe层、Ge层、ZnSe层、Ge层、ZnSe层、YbF3层、ZnSe层、Ge层、ZnSe层、YbF3层、ZnS层。
baf base sub

[发明专利]一种涂有ZnSe/ZnS胶体量子点的太阳能电池及其制备方法-CN201710682253.5有效
发明人：刘妮 -专利权人：滨州学院
申请日： 2017-08-10 - 公布日： 2019-03-22 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明涉及太阳能电池技术领域，具体涉及一种涂有ZnSe/ZnS胶体量子点的太阳能电池及其制备方法，所述太阳能电池包括Si基太阳能电池和ZnSe/ZnS胶体量子点，所述ZnSe/ZnS胶体量子点是表面带有负电基团巯基‑SH的ZnSe/ZnS‑SH胶体量子点和正电基团氨基‑NH₂的ZnSe/ZnS‑NH₂胶体量子点的核壳结构，所述Si基太阳能电池和ZnSe/ZnS胶体量子点通过表面静电作用层层成膜；将ZnSe/ZnS‑SH和ZnSe/ZnS‑NH₂胶体量子点溶液分别低速旋涂于Si基太阳能电池表面，均匀成膜后即得太阳能电池，避免传统分散在聚合物导致量子点发光强度降低的缺陷，最大程度利用ZnSe/ZnS量子点的发光特性，成膜参数可控，电池表面反射率降低，外量子效率增加，短路电流升高且电池的转换效率升高5‑10％。
一种 znse zns 胶体量子太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种ZnSe量子点及其制备方法-CN201910831820.8在审
发明人：刘玉婧;韩璐;刘雅俊;林佳丽;高林华 -专利权人：深圳市卓翼科技股份有限公司;天津卓达科技发展有限公司
申请日： 2019-09-04 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： C09K11/88 文献下载
摘要：本发明创造属于纳米材料技术领域，公开了一种ZnSe量子点及其制备方法，在反应温度下，将锌源溶液、硒源溶液注入溶剂中形成晶核，然后注入配体溶液进行降温，随后持续加入锌源溶液和硒源溶液，反应得到ZnSe量子点本发明还公开了一种核壳结构的ZnSe/ZnS量子点及其制备方法。与现有技术相比，本发明制备的ZnSe、ZnSe/ZnS量子点具有无重金属、蓝紫光范围发射、窄半峰宽、高荧光效率、斯托克斯位移低使得其能量损耗更低等优点。制备方法未使用易燃易爆物质，对环境友好，制备方法简单，成本低，能够进行大批量ZnSe量子点及ZnSe/ZnS量子点的制备。
量子点制备硒源溶液锌源纳米材料技术斯托克斯位移易燃易爆物质高荧光效率核壳结构环境友好能量损耗配体溶液注入溶剂半峰宽蓝紫光未使用重金属晶核发射

[发明专利]一种ZnSe/ZnS核壳结构量子点玻璃及其制备方法-CN202210928234.7有效
发明人：韩建军;张占蒙;王静;李路瑶;张继承 -专利权人：武汉理工大学
申请日： 2022-08-03 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： C03C12/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种ZnSe/ZnS核壳结构量子点玻璃及其制备方法，包括玻璃基质以及在玻璃基质中均匀析出的量子点，所述量子点是以ZnSe为核、以ZnS为壳的ZnSe/ZnS核壳结构量子点；玻璃基质和量子点的原料总摩尔量记为本发明采用玻璃基质，稳定性好；析出了ZnSe/ZnS核壳结构量子点，ZnS壳钝化了ZnSe量子点表面缺陷，从而提高了ZnSe量子点荧光效率和发光强度。本发明在兼顾稳定性的同时，有效抑制ZnSe量子点的表面缺陷，提高发光效率。
一种 znse zns 结构量子玻璃及其制备方法

[发明专利]具有低半峰全宽的蓝光发射ZnSe1-x-CN202080068876.3在审
发明人： B·纽梅耶尔;C·伊彭;马瑞青 -专利权人：纳米系统公司
申请日： 2020-08-12 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： C09K11/02 文献下载
摘要：本发明提供高度发光的纳米结构，特别是包含ZnSe1‑xTex核和ZnSe和/或ZnSe壳层的高度发光的纳米结构。包含ZnSe1‑xTex核和ZnS和/或ZnSe壳层的纳米结构显示出低半峰全宽和高量子产率。
具有低半峰全宽发射 znse base sub

[发明专利]三波长硒化锌白光发光二极管-CN200310118385.3无效
发明人：陈兴 -专利权人：诠兴开发科技股份有限公司
申请日： 2003-11-25 - 公布日： 2005-06-01 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：目前以ZnSe基板产生白光的方式，是在黄色ZnSe基板上成长蓝色发光层，利用黄蓝互补色产生白光，但因为所产生的白光较缺乏绿色波长的部分，使得产生的白光颜色偏红，无法形成真正的白色光源。今本发明“三波长ZnSe白光LED”是以传统ZnSe白光LED晶粒当作发光源，在此LED上涂附一层绿色荧光体，利用ZnSe所发出的蓝光激发表面的绿色荧光体产生绿色光，形成R、G、B分明的三波长白光LED
波长锌白发光二极管

[发明专利]ZnSe量子点的制备方法、ZnSe量子点、ZnSe结构以及显示装置-CN202080003637.X在审
发明人：钟海政;龙志伟;杨高岭;顾凯;柳杨;陈卓 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2020-12-25 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： C09K11/54 文献下载
摘要：提供了一种ZnSe量子点的制备方法、ZnSe量子点、ZnSe结构以及显示装置。该方法包括以下步骤：制备第一锌前驱体溶液、第二锌前驱体溶液、第一硒前驱体溶液以及反应活性小于所述第一硒前驱体溶液的第二硒前驱体溶液；将所述第一硒前驱体溶液加入到所述第二锌前驱体溶液中，形成所述ZnSe量子点的中间体；执行以下步骤至少一次以形成所述ZnSe量子点：将所述第一锌前驱体溶液和所述第二硒前驱体溶液先后加入到所述ZnSe量子点的中间体中并进行反应。
znse 量子制备方法结构以及显示装置

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 490 条