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[发明专利]一种CdSe/ZnTe核壳型量子点及其制备方法-CN201210040663.7无效
发明人：黄朝表;孙启壮;付沙沙;董美婷;刘淑贤 -专利权人：浙江师范大学
申请日： 2012-02-22 - 公布日： 2012-07-25 - 主分类号： C09K11/88 文献下载
摘要：一种CdSe/ZnTe核壳型量子点，由CdSe量子点和ZnTe组成，CdSe量子点表面包覆ZnTe层，CdSe量子点与ZnTe的摩尔比为5∶1。该物质的制备方法为先制备CdSe量子点，再用CdSe量子点制备CdSe核前躯体储备液，然后按CdSe、ZnCl2、巯基丙酸的摩尔比为5∶3∶4在CdSe核前躯体储备液加入ZnCl2和巯基丙酸调节节pH为该CdSe/ZnTe核壳型量子点低毒、具有水溶性、高荧光效率。
一种 cdse znte 核壳型量子及其制备方法

[发明专利]核壳结构CdSe/CdS量子点及其合成方法和用途-CN201711318410.0在审
发明人：赵勤;贾雪平;石健 -专利权人：南通大学
申请日： 2017-12-12 - 公布日： 2018-05-18 - 主分类号： C09K11/88 文献下载
摘要：本发明公开了一种核壳结构CdSe/CdS量子点及其合成方法和用途，以氧化镉和硒粉为前驱体，油酸为配体，液体石蜡为有机溶剂，将镉源快速注入硒源中合成得到CdSe量子点。然后将硫化钠溶液和稀硫酸反应在线生成硫化氢气体为前驱体，并可控导入所合成的CdSe量子点溶液中，在CdSe表面进一步包覆CdS壳形成核壳结构的CdSe/CdS量子点。本发明量子点产物纯净、CdSe量子点和CdSe/CdS量子点荧光量子产率高；易操作。
结构 cdse cds 量子及其合成方法用途

[发明专利]一种适用于靶向癌症光热疗法的双核壳量子点CdTe@CdSe@ZnS-CN202110045823.6在审
发明人：苏雪琼;王丽;王进;赵鹏翔;吕青鸿;陈瑞祥 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2021-01-13 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： C09K11/02 文献下载
摘要：一种适用于靶向癌症光热疗法的双核壳量子点CdTe@CdSe@ZnS，属于光热疗法领域和核壳量子点领域。所述的双层壳核壳量子点CdTe@CdSe@ZnS，是以CdTe纳米晶体为核心，CdTe核心的外层为CdSe中间壳层，CdSe中间壳层的外层为ZnS外壳，即最终产品为CdTe@CdSe@ZnS双层壳核壳结构制备惰性ZnS，包裹CdTe@CdSe单层核壳量子点，制备出双层壳核壳量子点CdTe@CdSe@ZnS减少重金属Cd带来的毒性，使其更适合于生物医药使用。
一种适用于靶向癌症光热疗法双核壳量子 cdte cdse zns

[发明专利]一种具有核/壳结构的CdS/CdSe异质结量子点及其制备方法-CN202110744642.2有效
发明人：訾由;黄卫春;黄庆秋;董晴;王梦可;朱君 -专利权人：南通大学
申请日： 2021-07-01 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： C09K11/88 文献下载
摘要：本发明公开一种具有核/壳结构的CdS/CdSe异质结量子点及其制备方法，包括核层CdS量子点的制备和壳层CdSe结构的生长两步。首先，在有机膦和氧化镉的混合溶液中，加入硫醚和有机膦的混合溶液，在氮气保护下得到CdS量子点；然后以CdS量子点作为核层结构，加入硒单质和氧化镉，在有机磷溶液中进一步通过溶剂热法生长CdSe壳层结构，最终得到具有核/壳结构的CdS/CdSe异质结量子点。本发明中制备的CdS/CdSe量子点，尺寸分布均一，并且可通过调节反应条件，实现CdS/CdSe异质结中核层CdS量子点的直径和壳层CdSe厚度的精确控制。与目前常用的CdSe/CdS核壳结构量子点相比，本发明中制备的CdS/CdSe核/壳结构量子点充分利用了CdSe优异的光电性能，在光致发光、电致发光和光电二极管领域中具有广泛的应用前景。
一种具有结构 cds cdse 异质结量子及其制备方法

[发明专利]含CdSe量子点的硅树脂基复合材料及制法和用途-CN200910089218.8有效
发明人：付绍云;杨洋 -专利权人：中国科学院理化技术研究所
申请日： 2009-07-09 - 公布日： 2011-01-12 - 主分类号： C08L83/00 文献下载
摘要：本发明涉及的含CdSe量子点的硅树脂复合材料由无色透明的硅树脂和均匀分散于该硅树脂之内的CdSe量子点颗粒构成的纳米复合材料；该复合材料中的CdSe量子点与硅树脂的质量比为0.1-10；其制备步骤是将不同粒径的CdSe量子点颗粒溶于有机溶剂中，得CdSe量子点溶液；同时将硅树脂溶于合适的溶液中得硅树脂溶液；然后按复合材料中CdSe含量取相应的CdSe量子点溶液与硅树脂溶液均匀混合，真空使溶剂挥发完全，然后置于烘箱，固化成型，得到含CdSe量子点的硅树脂复合材料；该复合材料具一定的透明性和良好的发光性能，适用于光电器件、LED固体照明器件或户外霓虹灯的表面封装。
cdse 量子硅树脂复合材料制法用途

[发明专利]一种CdSe纳米颗粒的改性方法及所得产品-CN202310493478.1在审
发明人：亓德胜;杨萍;卡塔日娜•马特拉斯•波斯托莱克;张晓;蒋三平;张爱玉;朱元娜;曹永强;李忠春;孙燕燕;武建伟;陈国宁;孙相美;杨彩月;沈付娆 -专利权人：济南德亨医学科技有限公司
申请日： 2023-05-05 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： C01B19/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种CdSe纳米颗粒的改性方法及所得产品，将预水解的含氨基的硅烷试剂加入CdSe纳米颗粒溶液中搅拌，得到含有硅烷层的CdSe纳米颗粒溶液；将含有硅烷层的CdSe纳米颗粒溶液均匀分散到含氨基的硅烷试剂水解形成的粘性溶胶中，静置得到含CdSe纳米颗粒的SiO2凝胶玻璃；将SiO2凝胶玻璃进行高温热处理，然后放入液氮中进行淬冷处理，再用强碱进行清洗本发明解决了CdSe量子点稳定性差及发光效率低的问题，改性后CdSe量子点发光稳定性好，发光效率高，分散性好不易团聚，在发光显示及过敏源检测等领域有很好的应用前景。
一种 cdse 纳米颗粒改性方法所得产品

[发明专利]油相法合成稀土掺杂纳米晶及其表面功能化的方法-CN201811638780.7在审
发明人：高俊芳 -专利权人：内蒙古科技大学包头师范学院
申请日： 2018-12-29 - 公布日： 2019-03-15 - 主分类号： C09K11/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种油相法合成稀土掺杂纳米晶及其表面功能化的方法，包括：(1)制备CdSe:X纳米晶的前驱体溶液，X为稀土元素Eu或者稀土元素Nd；制备前驱体溶液时，Cd源采用CdO，Se源采用Se粉，Eu源采用Eu₂O₃，Nd源采用Nd(CH₃COO)₃·6H₂O；(2)采用前驱体注入法制备CdSe然后采用反相微乳法或表面聚合法对CdSe:X固体进行表面功能化处理。与纯CdSe纳米晶相比，本发明制备的CdSe:Eu纳米晶的吸收峰和发生峰都红移，Eu³⁺成功掺入到CdSe纳米晶内，且对CdSe纳米晶的形貌和光学性质有着很大的影响，经过表面功能化处理，进一步改善了CdSe:X纳米晶的光学性能。
纳米晶表面功能化合成稀土稀土元素油相法制备掺杂制备前驱体溶液形貌反相微乳法前驱体溶液光学性能光学性质前驱体吸收峰掺入红移合法成功

[发明专利]复合荧光纳米探针的制备及其对过氧化氢的检测方法-CN201911159390.6有效
发明人：周志强;杨立云;黄凌;刘义 -专利权人：南宁师范大学
申请日： 2019-11-22 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： C09K11/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种CdSe@ZnS/AgNCs复合荧光纳米探针的制备方法，其中，包括：将CdSe@ZnS量子点和纳米银簇在一定pH条件下混合制备CdSe@ZnS/AgNCs复合荧光纳米探针；其中，混合后，所述CdSe@ZnS量子点的浓度为0.032mg/mL，纳米银簇的浓度为0.015mg/mL。本发明利用CdSe@ZnS量子点和纳米银簇直接混合构建得到CdSe@ZnS/AgNCs复合荧光纳米探针，具有合成方法简单的优点。所构建得到的CdSe@ZnS/AgNCs复合荧光纳米探针通过过氧化氢氧化分解银簇，释放银离子，银离子对CdSe@ZnS量子点荧光具有猝灭作用，实现对过氧化氢的高效检测目标，从而解决传统技术存在的检测反应时间长
复合荧光纳米探针制备及其过氧化氢检测方法

[发明专利]一种常温下制备CdSe/CdS核壳半导体量子点的方法-CN201510636880.6在审
发明人：董安钢;杨东;刘丽敏;汲丽;胡建华;汪碧微 -专利权人：复旦大学
申请日： 2015-09-29 - 公布日： 2015-12-16 - 主分类号： C09K11/88 文献下载
摘要：本发明属于无机材料技术领域，具体为一种常温下制备CdSe/CdS核壳半导体量子点的方法。本发明在常温下用硫化铵或硫化钾的甲酰胺溶液处理CdSe纳米粒子，得到CdSe/CdS核壳半导体纳米粒子，同时S^2-取代掉CdSe纳米粒子表面的有机长碳链配体，使纳米粒子溶于甲酰胺等极性溶剂(NH₄)₂S处理2nm CdSe纳米粒子可使其量子产率增加到39.8%，3nm CdSe纳米粒子可增加到9.4%。K₂S处理2nm CdSe纳米粒子可使其量子产率增加到26.1%，3nm CdSe纳米粒子可增加到3.3%。本发明方法简单、反应条件温和，制得的CdSe/CdS核壳半导体量子点可溶于极性溶剂、高量子产率。在光电二极管、荧光标记等领域具有广泛的应用前景。
一种常温制备 cdse cds 半导体量子方法

[发明专利]一种有机胺配位CdSe纳米片及其作为光催化剂的用途-CN202310017598.4有效
发明人：刘跃辉;余睽;沈悦海;孙郭程港;张猛;田小强;王俊 -专利权人：四川大学
申请日： 2023-01-06 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： B01J31/22 文献下载
摘要：本发明属于半导体纳米片催化材料技术领域，具体涉及一种有机胺配位CdSe纳米片及其作为光催化剂的用途。该有机胺配位CdSe纳米片包括CdSe纳米片和通过配位键连接在所述CdSe纳米片表面的有机胺，其中，在制备所述有机胺配位CdSe纳米片时，原料中Cd、Se和有机胺的摩尔比为（1‑4）：1：（2‑8）。本发明提供的有机胺配位CdSe纳米片可以用于氨基酸衍生物制备过程中的光催化剂，具有成本低、效率高的优势，因而具有很好的应用前景。
一种有机胺配位 cdse 纳米及其作为光催化剂用途

[发明专利]一种CdSe/CdS量子棒的制备方法-CN201910465588.0在审
发明人：王恺;孙小卫;刘皓宸;周子明;刘培朝;郝俊杰 -专利权人：深圳扑浪创新科技有限公司
申请日： 2019-05-30 - 公布日： 2019-07-23 - 主分类号： C09K11/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种CdSe/CdS量子棒的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：(1)将CdSe量子点分散于三正辛基膦中，得到CdSe前驱体溶液，然后向CdSe前驱体溶液中加入硫前驱体溶液，得到混合溶液；(2)将CdO、正己基膦酸、长链膦酸配体和三正辛基氧膦混合，加热溶解得到混合溶液；(3)将步骤(1)得到的混合溶液与步骤(2)得到的混合溶液加热反应得到所述CdSe/CdS量子棒。本发明提供的制备方法制备得到的CdSe/CdS量子棒的荧光量子产率(PLQY)可达到75％，在显示技术中具有广阔的应用前景。
制备混合溶液量子前驱体溶液三正辛基氧膦荧光量子产率三正辛基膦长链膦酸加热反应加热溶解硫前驱体正己基配体膦酸应用

[发明专利]一种蓝色荧光核壳结构量子点及其制备方法-CN202110330808.6有效
发明人：申怀彬;王芳芳;花清照;宋姣姣;杜祖亮;李林松 -专利权人：河南大学
申请日： 2021-03-29 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： C09K11/02 文献下载
摘要：本发明提出的是一种蓝色荧光核壳结构量子点，其结构包括大尺寸合金CdSe//ZnSe晶核，在大尺寸合金CdSe//ZnSe晶核外包覆壳层。一种制备蓝色荧光核壳结构量子点的方法，该方法包括以下步骤：（1）采用反向注射方法制备合金CdSe//ZnSe晶核；（2）采用反复成核的方法，将合金CdSe//ZnSe晶核的尺寸做大形成含有大尺寸合金CdSe本发明的有益效果：本发明制备的蓝色荧光核壳结构量子点具有单分散性、尺寸分布均匀、量子产率高、半峰宽窄，解决了以往采用小峰位CdSe为核，出现严重激子泄漏的问题。
一种蓝色荧光结构量子及其制备方法

[发明专利]一种用于胶体CdSe纳米晶体的蚀刻剂及方法-CN201510290806.3有效
发明人：杨伯平;段文勇;杨晓冬 -专利权人：盐城工学院
申请日： 2015-05-29 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： C01B19/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于胶体CdSe纳米晶体的蚀刻剂，所述的蚀刻剂包含醋酸铜、硬脂酸锌和硒粉，其中，醋酸铜、硬脂酸锌和硒粉的摩尔比为1∶(10～15)∶(10～15)。本发明同时提出了用上述蚀刻剂蚀刻CdSe纳米晶体的方法。利用本发明的方法可以使CdSe纳米晶体由最初的5.6nm刻蚀到2.6nm。本发明的蚀刻剂原料简单，成本低廉，利用本发明的蚀刻剂对CdSe纳米晶体进行蚀刻，可以方便地实现CdSe纳米晶体尺寸的裁剪，可以实现对CdSe纳米晶体的发光峰从红光到蓝光的宽范围刻蚀，且荧光光谱半高宽较窄，同时，刻蚀过程中CdSe纳米晶体形貌和组成元素不发生改变，且无任何附加产物，可控性强，重复性好。
一种用于胶体 cdse 纳米晶体蚀刻方法

[发明专利]一种高荧光量子产率且近似球形CdZnS/CdSe/CdZnS量子阱的制备方法-CN201811471095.X在审
发明人：张婷婷;白锦科;徐兵;李栋宇 -专利权人：岭南师范学院
申请日： 2018-12-04 - 公布日： 2019-02-22 - 主分类号： C09K11/88 文献下载
摘要：本发明涉及一种高荧光量子产率且近似球形CdZnS/CdSe/CdZnS量子阱的制备方法，属于纳米晶材料制备技术领域；具体制备方法为通过高温热注入法制备粒径在4.0nm左右的CdZnS核量子点，CdZnS量子点沉淀与相应配位溶剂混合，通过连续离子层吸附的方法，即按照一定的速率滴加一定量的阳离子与阴离子的混合前驱体，制备得到包覆有CdSe壳层为0.7nm的CdZnS/CdSe量子点；继续滴加混合的阴阳离子前驱体合成CdZnS/CdSe/CdZnS量子点量子阱；该发明方法可以缓解CdZnS核与CdSe发光层之间的晶格适配度，使得CdSe相干应变层很好的结晶，有效改进了传统的核壳结构的量子点的荧光量子产率；制备的CdS/CdSe/CdS量子点量子阱使得CdSe发光层很好的被厚的外壳层修饰表面缺陷，最终使得发光效率达到100％。
量子点制备量子阱近似球形发光层高荧光产率滴加量子荧光量子产率制备技术领域混合前驱体纳米晶材料前驱体合成发光效率核壳结构连续离子配位溶剂修饰表面阴阳离子有效改进传统的适配度外壳层阳离子阴离子应变层相干包覆晶格壳层粒径吸附沉淀缓解

[发明专利]一种CdSe/CdS核壳纳米片材料及其制备方法-CN201910886237.7在审
发明人：唐建国;杨兰兰;胡中艺;韩董妮;高梵;杜中林;王瑶;袁泽;黄林军 -专利权人：青岛大学
申请日： 2019-09-19 - 公布日： 2019-11-29 - 主分类号： C09K11/88 文献下载
摘要：本发明公开了一种CdSe/CdS核壳纳米片材料及其制备方法，以镉源和硒粉为前驱体，有机长链溶剂为保护剂，镉盐为生长剂，高温合成得到CdSe纳米片。然后通过加入硫化物溶液得到包裹了硫层的CdSe纳米片，再加入镉盐溶液得到一层CdS壳的CdSe/CdS核壳结构纳米片。并且重复上述步骤合成多层CdS壳的CdSe/CdS核壳结构纳米片。本发明制备得到的CdSe/CdS核壳纳米片具有较高的量子产率，更好的光稳定性和化学稳定性。并且合成方法比传统的高温包覆法更加简单，易操作，效率高。
纳米片核壳结构核壳制备合成化学稳定性硫化物溶液纳米片材料高温合成光稳定性镉盐溶液保护剂传统的高温包前驱体生长剂溶剂产率多层硫层硒粉镉盐镉源量子重复

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