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[发明专利]注入合成后连续LEC与VGF结合制备化合物半导体晶体的系统-CN202110606846.X有效
发明人：王书杰;孙聂枫;卜爱民;付莉杰;邵会民;刘峥;徐森锋;史艳磊;李晓岚;王阳;孙同年 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2021-06-01 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种注入合成后连续LEC与VGF结合制备化合物半导体晶体的系统，包括机架、设置在机架上的密封炉室、籽晶杆和合成注入系统，密封炉室包括主炉体、位于主炉体内的合成坩埚、上炉体、位于上炉体内的VGF坩埚以及设置在VGF坩埚底部的吸液管，所述吸液管的下端部位于合成坩埚的底部上方；所述合成注入系统位于所述主炉体内，所述籽晶杆中的籽晶位于所述VGF坩埚内。本发明的有益效果是：上部为VGF生长部，下部为合成部；通过倒吸的方式进入VGF生长部，同时VGF生长部配置籽晶杆和观察系统，还能气体控制。实施在开始LEC高温度梯度引晶体和放肩，然后利用已经长大的晶体进行低温度梯度下的VGF晶体生长，实现较高成品率下制备高品质低缺陷晶体。
注入合成连续 lec vgf 结合制备化合物半导体晶体系统

[发明专利]VGF基因在转移性前列腺癌治疗中的应用-CN202210186004.8在审
发明人：欧俐苹;王蕾蕾;武莹莹;陈婷梅;罗春丽 -专利权人：重庆医科大学国际体外诊断研究院
申请日： 2022-02-28 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： G01N33/574 文献下载
摘要：本发明属于生物医药技术领域，VGF基因在转移性前列腺癌治疗中的应用。VGF基因抑制剂在制备前列腺癌药物中的应用。本发明首次发现VGF可以促进前列腺癌的侵袭和转移，VGF在恶性程度更高的前列腺癌组织中表达更高，抑制VGF能够抑制前列腺癌的发生发展。制备VGF小分子抑制剂siRNA从而治疗前列腺癌以及抑制前列腺癌的转移，抑制PI3K/AKT信号通路。本发明为进一步研究前列腺癌的发病机制以及VGF基因的功能提供了新的思路，为前列腺癌药物的开发提供新的方向。
vgf 基因转移性前列腺癌治疗中的应用

[实用新型]倒吸式化合物半导体晶体合成系统中VGF坩埚的连接组件-CN202121203824.0有效
发明人：王书杰;孙聂枫;卜爱民;付莉杰;邵会民;刘峥;徐森锋;史艳磊;李晓岚;王阳;孙同年 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2021-06-01 - 公布日： 2022-02-15 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种倒吸式化合物半导体晶体合成系统中VGF坩埚的连接组件，包括用于连接VGF坩埚和上炉体的转接卡具，在所述VGF坩埚下方设有倒吸管，其特征在于：所述转接卡具与所述上炉体的上炉盖相连，在所述转接卡具上设有用于形成坩埚卡槽的卡环和冷却柱、向上穿过所述上炉盖的平衡气管，所述VGF坩埚的顶部限位在所述坩埚卡槽内。本实用新型的有益效果是：通过设计转接卡具，实现炉盖和VGF坩埚的密封连接，同时还能将籽晶杆引入VGF坩埚中，是倒吸熔体和LEC和VGF联合晶体生长的关键部件，并且转接卡具还可以重复使用。
倒吸式化合物半导体晶体合成系统 vgf 坩埚连接组件

[发明专利]去除天坛株VGF基因的打靶质粒及其制备方法-CN201910012357.4在审
发明人：马茜;汪洋;姚佳;李浩;辛邦;温阳 -专利权人：西安医学院
申请日： 2019-01-07 - 公布日： 2019-05-14 - 主分类号： C12N15/63 文献下载
摘要：本发明公开了一种去除天坛株VGF基因的打靶质粒，包括痘苗病毒天坛株VGF基因的上游同源重组臂VTT‑VGFL和下游同源重组臂VTT‑VGFR，上游同源重组臂VTT‑VGFL和下游同源重组臂VTT‑VGFR本发明还公开了去除天坛株VGF基因的打靶质粒的制备方法。本发明的去除天坛株VGF基因的打靶质粒，能够去除天坛株痘苗病毒中的VGF基因，从而制备出去除VGF基因的减毒天坛株痘苗病毒。
去除同源重组臂基因质粒荧光标记基因制备天坛株痘苗病毒痘苗病毒天坛株核苷酸序列上游启动子插接减毒

[发明专利]一种单拷贝VGF基因溶瘤痘苗病毒载体的构建方法及应用-CN202211477531.0在审
发明人：王鹏举;宋圣禹;王亚峰 -专利权人：郑州大学
申请日： 2022-11-23 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： C12N15/863 文献下载
摘要：本发明涉及一种肿瘤靶向性痘苗病毒载体WRDD‑VGF的构建方法及应用,该病毒载体是痘苗病毒WR株，删除原有两个VGF基因和J2R(TK)基因，并在TK区域插入单拷贝VGF基因序列，获得的TK基因缺失的单拷贝VGF基因的溶瘤痘苗病毒载体。本发明WRDD‑VGF具有靶向性、安全性、有效性的特点，具有肿瘤靶向性和抗肿瘤作用，可用于各种肿瘤的治疗，为溶瘤病毒药物研究提供一种新型的肿瘤靶向病毒骨架载体。
一种拷贝 vgf 基因痘苗病毒载体构建方法应用

[发明专利]注入合成后连续LEC与VGF结合制备化合物半导体晶体的方法-CN202110606788.0有效
发明人：王书杰;孙聂枫;卜爱民;付莉杰;邵会民;刘峥;徐森锋;史艳磊;李晓岚;王阳;孙同年 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2021-06-01 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种注入合成后连续LEC与VGF结合制备化合物半导体晶体的方法，包括步骤A、将制备化合物的系统抽真空并充入惰性气体；步骤B、加热使合成坩埚内的金属原料和氧化硼Ⅰ熔化；步骤C、加热使氧化硼Ⅱ熔化，合成注入系统向下移动使注入合成管的端部移动至合成坩埚的金属原料内合成第一熔体；步骤D、缓慢降低VGF坩埚内的压力使第一熔体进入VGF坩埚内形成第二熔体等步骤。本发明的上部为VGF生长部，下部为合成部；通过倒吸进入VGF生长部，同时VGF生长部配置籽晶杆和观察系统，还能进行气体控制。实施在开始LEC高温度梯度引晶体和放肩，然后利用已经长大的晶体进行低温度梯度下的VGF晶体生长，实现较高成品率下制备高品质低缺陷晶体。
注入合成连续 lec vgf 结合制备化合物半导体晶体方法

[发明专利]一种VGF法制备砷化镓晶体的装置及方法-CN201711346301.X有效
发明人：刘留;王金灵;周铁军;廖斌 -专利权人：广东先导先进材料股份有限公司
申请日： 2017-12-15 - 公布日： 2020-08-28 - 主分类号： C30B11/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种VGF法制备砷化镓晶体的装置及方法，该装置包括：VGF炉体，所述VGF炉体内部设有石英管和设置在所述石英管外侧加热器；所述石英管由上下两部分管体组成，其中上部管体的直径大于下部管体的直径；所述上部管体设有与所述上部管体的直径相匹配的第一PBN坩埚，所述下部管体设有与所述下部管体的直径相匹配的第二PBN坩埚；贯穿所述VGF炉体底部的支撑体；与所述支撑体相连的升降平台，所述升降平台设有与所述VGF炉体底部相连的所述旋转轴。本发明提供的VGF法制备砷化镓晶体的装置通过改进石英管结构，减少一次密封，并提高PBN坩埚的使用寿命，因此该装置稳定性好、长晶成品率高；同时通过改进VGF炉体结构，制备得到的砷化镓晶体长度大且缺陷少。
一种 vgf 法制备砷化镓晶体装置方法

[发明专利]去除VGF基因的重组天坛株溶瘤痘苗病毒及制备和应用-CN201910012884.5在审
发明人：马茜;汪洋 -专利权人：西安彤盛生物科技有限公司
申请日： 2019-01-07 - 公布日： 2019-09-06 - 主分类号： C12N7/01 文献下载
摘要：本发明公开了一种去除VGF基因的重组天坛株溶瘤痘苗病毒，去除天坛株溶瘤痘苗病毒VGF基因，表达EGFP基因，其中VGF基因的碱基序列如序列表1所示。本发明还公开了该去除VGF基因的重组天坛株溶瘤痘苗病毒的制备方法及应用。本发明去除VGF基因的重组天坛株溶瘤痘苗病毒VTT‑VGFE，降低了天坛株溶瘤痘苗病毒的毒性，提高了天坛株溶瘤痘苗病毒的肿瘤选择性，且具有实时监测病毒颗粒在体内分布的功能，为痘苗病毒作为载体研发活疫苗及肿瘤生物治疗提供了良好工具
痘苗病毒溶瘤去除重组天坛株基因肿瘤生物治疗制备和应用肿瘤选择性病毒颗粒黑色素瘤碱基序列实时监测活疫苗研发肺癌肝癌制备肿瘤体内治疗应用

[发明专利]一种寡核苷酸RNA双链分子及其在制备治疗恶性肿瘤药物中的应用-CN202111034572.8在审
发明人：张小雷;刘培庆;熊小峰;朱剑征;欧阳淑敏;石硕;葛阳 -专利权人：中山大学
申请日： 2021-09-03 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： C12N15/113 文献下载
摘要：本发明首次把VGF作为恶性肿瘤，尤其是黑色素瘤的治疗靶点，设计出针对VGF的siRNA：siRNA‑1和siRNA‑2，该siRNA对VGF蛋白选择型高、特异性强，对VGF蛋白有显著的抑制作用，可作为VGF
一种寡核苷酸 rna 分子及其制备治疗恶性肿瘤药物中的应用

[实用新型]VGF锗单晶生长炉芯模具-CN201420661118.4有效
发明人：董汝昆;李武芳;祝永成;包文臻;高云浩;金之生;王朝思 -专利权人：云南中科鑫圆晶体材料有限公司
申请日： 2014-11-07 - 公布日： 2015-01-28 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：一种VGF锗单晶生长炉芯模具，涉及一种模具，尤其是一种用于VGF锗单晶生长过程中，简化炉芯制作过程，便于固定测温热偶位置的VGF锗单晶生长炉芯模具。本实用新型的VGF锗单晶生长炉芯模具，其特征在于该模具包括底座和连杆，底座与连杆均为圆柱体，连杆的横截面直径小于底座的横截面直径，连杆设置在底座顶部且与底座保持同轴，底座两侧壁上均设置有凹槽，凹槽为两个本实用新型的VGF锗单晶生长炉芯模具，设计科学，结构简单，使用方便，简化了炉芯的制作过程，测温热偶位置放置准确，提高炉芯的制作效率与成功率。
vgf 锗单晶生长模具

[实用新型]VGF锗单晶生长炉支撑底座-CN201620518771.4有效
发明人：肖祥江;董汝昆;李武芳;祝永成;何永彬;高云浩;金之生;杨小瑞;权忠朝 -专利权人：云南中科鑫圆晶体材料有限公司;昆明云锗高新技术有限公司;云南鑫耀半导体材料有限公司
申请日： 2016-06-01 - 公布日： 2016-11-16 - 主分类号： C30B29/08 文献下载
摘要：VGF锗单晶生长炉支撑底座，涉及一种底座，尤其是一种VGF锗单晶生长炉支撑底座。本实用新型的VGF锗单晶生长炉支撑底座，其特征在于该装置由横杆、底板、活动块、散热孔和细圆棒构成；底板通过内六角螺栓固定在两根横杆之间，活动块拼接在底板侧面，底板与活动块相对的一侧都具有一个半圆孔，两者通过外六角螺栓连接构成一个圆孔本实用新型的VGF锗单晶生长炉支撑底座，在保证能平稳、牢固地支撑炉芯、石英管及炉套的情况下，也能固定好石英棒与测温热电偶，且安装方便，使用简单，稳固性好，散热性好，实用性高，适合用在不同尺寸的VGF炉中
vgf 锗单晶生长支撑底座

[实用新型]生产PBN产品的VGF坩埚用变径型套筒-CN201721166626.5有效
发明人：刘汝强;王殿春;孙蕾;赵旭荣;周清波 -专利权人：山东国晶新材料有限公司
申请日： 2017-09-13 - 公布日： 2018-05-08 - 主分类号： C01B21/064 文献下载
摘要：本实用新型涉及生产PBN产品的VGF坩埚用变径型套筒，包括依次连接的筒身、筒颈和筒头，所述筒颈为空腔圆台体，所述筒身和筒头均为空腔圆柱体，所述筒头的内径与筒颈的上底面内径相同，所述筒身的内径与筒颈的下底面内径相同该变径型套筒在应用到VGF坩埚的生产炉内时，能够更为高效地进行氮化硼沉积，并可使氮化硼能够均匀地沉积在VGF坩埚表面。相比传统的制造工艺，采用变径型套筒此种腔室构造生产出的VGF坩埚，坩埚整体的沉积速率较之前在同种条件下提升10％，从而提高反应气体的利用率，同时VGF坩埚的使用寿命提高30％，具有显著的加工效果和良好的经济价值
生产 pbn 产品 vgf 坩埚用变径型套筒

[实用新型]可拆分VGF单晶生长坩埚中环-CN201620584182.6有效
发明人：柳廷龙;董汝昆;李武芳;祝永成;何永彬;高云浩;金之生;杨小瑞;权忠朝 -专利权人：云南中科鑫圆晶体材料有限公司;昆明云锗高新技术有限公司;云南鑫耀半导体材料有限公司
申请日： 2016-06-16 - 公布日： 2017-02-01 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：可拆分VGF单晶生长坩埚中环，涉及一种装料装置部件，尤其是一种可拆分VGF单晶生长坩埚中环。可拆分VGF单晶生长坩埚中环，该中环放置于上层坩埚与下层坩埚中间，上层坩埚与下层坩埚放置在石英管内，其特征在于该中环由石英外环、石英斜面和石英横杆组成，石英斜面放置于石英外环内，石英斜面上设置石英横杆,可拆分VGF单晶生长坩埚中环，设计科学，使用方便，有效降低成本，并且由于石英斜面和石英横杆可以重复利用，大幅提高了单位时间内的加工效率，对企业提高效率、降低成本有重要作用。
拆分 vgf 生长坩埚

[发明专利]脑脊液VGF蛋白试剂盒及其在髓母细胞瘤转移评定中的应用-CN201910400485.6在审
发明人：姚瑜;王玉元;钟平;唐超;李捷 -专利权人：复旦大学附属华山医院
申请日： 2019-05-14 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： G01N33/68 文献下载
摘要：本发明属生物技术领域，涉及肿瘤诊断试剂盒，具体涉及脑脊液VGF蛋白剂盒及其在髓母细胞瘤转移检测预判中的应用。本发明中设计了包括鼠抗人VGF生物素标记单抗、链霉素抗生素蛋白‑过氧化酶工作液等组分的试剂盒，然后通过ELISA的方法，对采集的脑脊液样本进行检测，根据脑脊液中VGF浓度做出相应的诊断，当VGF浓度降低至术后三分之一时
脑脊液 vgf 蛋白试剂盒及其细胞转移评定中的应用

[发明专利]用VGF法生长锗单晶体的预清洗方法-CN201610439088.6在审
发明人：肖祥江;李苏滨;惠峰;李雪峰;柳廷龙;李武芳;周一;杨海超;候振海;囤国超;田东 -专利权人：云南中科鑫圆晶体材料有限公司;昆明云锗高新技术有限公司;云南鑫耀半导体材料有限公司
申请日： 2016-06-20 - 公布日： 2016-08-24 - 主分类号： C30B29/08 文献下载
摘要：本发明属于锗单晶体生长技术领域，特别涉及用VGF法生长锗单晶体的预清洗方法。本发明公开了用VGF法生长锗单晶体的预清洗方法，其特征在于对锗锭、石英管、PBN坩埚及籽晶腐蚀清洗，具体包括用第一、二、三、四、五溶液分别对锗锭、石英管、PBN坩埚及籽晶腐蚀，然后用去离子水清洗，用无水乙醇脱水，通过上述步骤，可实现后续使用VGF法生长出的锗单晶体不受杂质影响，保证了锗单晶片的质量。
vgf 生长单晶体清洗方法

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