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[发明专利]一种减少SiO2-CN202111642178.2在审
发明人：赵晓丽;郉锡祥;张馨予;戴明磊;杜宏强;王维;刘晓芳;王正芳 -专利权人：天津环鑫科技发展有限公司
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：本发明提供一种减少SiO2表面颗粒的通气管路及方法，包括依次设置的TEOS装载容器、TEOS存储装置以及TEOS分解装置，TEOS装载容器与TEOS存储装置之间设有第一管路，TEOS存储装置与TEOS分解装置之间设有第二管路，其中：TEOS装载容器内设有氦气通入管路；第一管路上设有第一阀；第二管路上依次设有第二阀、流量计以及吹扫气体通入管路，其中，流量计与TEOS分解装置之间的进气口之间设有控制阀；TEOS分解装置内设有弥散管，弥散管与第二管路连通设置。
一种减少 sio base sub

[实用新型]一种减少SiO2表面颗粒的通气管路-CN202123374427.2有效
发明人：赵晓丽;郉锡祥;张馨予;戴明磊;杜宏强;王维;刘晓芳;王正芳 -专利权人：天津环鑫科技发展有限公司
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：本实用新型提供一种减少SiO2表面颗粒的通气管路，包括依次设置的TEOS装载容器、TEOS存储装置以及TEOS分解装置，TEOS装载容器与TEOS存储装置之间设有第一管路，TEOS存储装置与TEOS分解装置之间设有第二管路，其中：TEOS装载容器内设有氦气通入管路；第一管路上设有第一阀；第二管路上依次设有第二阀、流量计以及吹扫气体通入管路，其中，流量计与TEOS分解装置之间的进气口之间设有控制阀；TEOS分解装置内设有弥散管，弥散管与第二管路连通设置。
一种减少 sio2 表面颗粒通气管路

[实用新型]一种LPCVD炉用TEOS气体生成装置-CN202121102080.3有效
发明人：张天鹏;李艳巧;乔光辉;王军;陈伊林 -专利权人：麦斯克电子材料股份有限公司
申请日： 2021-05-21 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：一种LPCVD炉用TEOS气体生成装置，包括用于盛装TEOS液体的TEOS罐和用于加热TEOS罐的壳体，所述壳体包括设置在壳体外层的保温层和设置在壳体内层的加热层，加热层围成用于放置TEOS罐的凹槽，加热层内均布有加热电阻丝和用于检测加热层内温度的温度传感器本实用新型能够为TEOS液体提供均匀、稳定的加热环境，产生稳定流量的TEOS气体，保证半导体硅抛光片的产品质量。
一种 lpcvd 炉用 teos 气体生成装置

[发明专利]采用PE-TEOS工艺制备二氧化硅薄膜的方法及设备-CN201711189426.6在审
发明人：侯龙;刘品;邱通令;凃维 -专利权人：中航（重庆）微电子有限公司
申请日： 2017-11-24 - 公布日： 2018-05-11 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：本发明提供一种采用PE‑TEOS工艺制备二氧化硅薄膜的方法及设备，所述制备方法包括：步骤1)对TEOS液体进行气化处理，以产生TEOS气体；步骤2)将氧气和所述TEOS气体通入反应腔室，其中，所述氧气的气体流量与所述TEOS液体的液体流量的比值不小于3.2；步骤3)对所述氧气和所述TEOS气体进行解离后反应，生成二氧化硅薄膜。通过本发明提供的采用PE‑TEOS工艺制备二氧化硅薄膜的方法及设备，解决了现有PE‑TEOS工艺制备的二氧化硅薄膜无法作为沟槽掩膜的问题。
采用 pe teos 工艺制备二氧化硅薄膜方法设备

[发明专利]ONO侧墙的工艺方法-CN202011361902.X有效
发明人：任小兵;熊伟;陈华伦 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2020-11-27 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L21/308 文献下载
摘要：本发明公开了一种ONO侧墙的工艺方法，通过增加最外层的TEOS厚度，使得最小硅栅间距处的TOES层能够连成一体。刻蚀开始后，疏区的TEOS正常刻蚀。密集区需要先刻蚀顶部连接起来的TEOS。刻完顶部TEOS后，硅栅侧壁的TEOS才会被刻蚀到，这样疏区多晶硅栅侧壁TEOS经受横向刻蚀的时间，要多于密集区的TEOS，从而平衡了疏区横向厚度大于密集区横向厚度的差异，侧墙中间层SiN的宽度是由TEOS
ono 工艺方法

[发明专利]TEOS膜的制作方法-CN202111010449.2有效
发明人：方合;宋维聪 -专利权人：陛通半导体设备（苏州）有限公司
申请日： 2021-08-31 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本申请公开了一种TEOS膜的制作方法，涉及半导体技术领域。该方法包括在硅晶圆上沉积第一层TEOS薄膜以及在第一层TEOS薄膜上沉积第二层TEOS薄膜，其中第一层TEOS薄膜沉积过程中未采用低频射频电源进行电离，而第二层TEOS薄膜的沉积过程中采用了低频射频电源进行电离第一层TEOS薄膜的厚度为20～400nm，第二层TEOS薄膜的厚度为2000～6000nm。第一层TEOS薄膜具有较低的压应力，使得其与硅晶圆的粘附力较强而不容易脱膜。第二层TEOS薄膜的具有较佳的致密性，从而降低漏电流。因此，采用本申请提供的制作方法制得的TEOS膜既保持了较好的绝缘性能，同时也不容易从硅晶圆上脱落。
teos 制作方法

[发明专利]改善TEOS气体管路结晶问题的方法-CN202310240084.5在审
发明人：苏双斌;孙维凡;扬奕 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2023-03-14 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： B08B9/032 文献下载
摘要：本发明提供一种改善TEOS气体管路结晶问题的方法，所述方法包括：在于晶圆表面完成沉积工艺后，先向TEOS气体管路通入清洗气体，再对腔体进行抽真空，多次循环上述过程以去除所述TEOS气体管路的颗粒，达到改善所述TEOS气体管路的结晶累积的目的，其中，所述TEOS气体管路与所述腔体连接。通过本发明解决了以现有的方法无法有效改善TEOS气体管路结晶现象的问题。
改善 teos 气体管路结晶问题方法

[实用新型]一种TEOS炉管机台-CN201721250652.6有效
发明人：尹广丰 -专利权人：中航（重庆）微电子有限公司
申请日： 2017-09-27 - 公布日： 2018-07-10 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本实用新型提供一种TEOS炉管机台，所述TEOS炉管机台包括反应腔室；安装于所述反应腔室下方、且与所述反应腔室贯通的转换器出口；及安装于所述转换器出口内的第一保护件。通过本实用新型提供的TEOS炉管机台，解决了现有TEOS炉管机台存在清理维护耗时长、且容易造成TEOS炉管机台损坏的问题。
炉管机台反应腔室本实用新型转换器出口保护件耗时贯通维护

[发明专利]净化管路及炉管杂质的装置和方法-CN200910046890.9有效
发明人：唐兆云;何有丰 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-03-02 - 公布日： 2010-09-08 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种净化管路和炉管杂质的装置，应用于晶圆片沉积工序结束后，正硅酸乙酯TEOS气体管路中设置有流量控制器，该装置包括：加热带和清洗气体管路；所述加热带位于所述的TEOS气体管路外；所述清洗气体管路与所述的TEOS气体管路及炉管连接。本发明还公开了一种净化管路和炉管杂质的方法，对TEOS气体管路及炉管内的TEOS气体进行加热，并通入清洗气体。采用该装置和方法能够有效去除残留在TEOS气体管路和炉管内的TEOS气体，使MFC准确控制流量，并且可以达到控制集成电路制造工艺过程中由于残留杂质引起的产品缺陷的问题。
净化管路炉管杂质装置方法

[发明专利]高频三极管基极与发射极之间侧墙的制作方法-CN201710576664.6在审
发明人：罗灿 -专利权人：罗灿
申请日： 2017-07-14 - 公布日： 2017-09-19 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：一种高频三极管基极与发射极之间侧墙的制作方法，其包括如下提供衬底，在所述衬底表面形成N型外延层、第一多晶硅层、第一TEOS层；形成贯穿所述第一多晶硅层及所述第一TEOS层的基区沟槽；在所述第一P型多晶硅层下方的N型外延层形成P型扩散区域，对所述N型外延层进行基区掺杂形成所述基区；在所述基区上、所述基区沟槽中、所述第一多晶硅层及所述第一TEOS层上依序形成第二多晶硅层及所述第二TEOS层；干法回刻所述第二多晶硅层形成多晶硅侧墙；及湿法腐蚀所述第二TEOS层去除所述第一TEOS层上以及所述基区上中间部分的第二TEOS层，而所述多晶硅侧墙接触的第二TEOS层被保留，所述被保留的第二TEOS层作为所述基极与发射极之间侧墙。
高频三极管基极发射极之间制作方法

[发明专利]高性能超βNPN(SBNPN)-CN201780053253.7有效
发明人： B·本纳;W·施瓦兹;B·G·斯图弗 -专利权人：德克萨斯仪器股份有限公司
申请日： 2017-09-11 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：在所描述示例中，一种用于制造超βNPN(SBNPN)晶体管的方法包括：在P型外延层上沉积正硅酸乙酯(TEOS)层(1102)；在TEOS层上沉积氮化物层(1102)；通过选择性地蚀刻掉部分氮化物层和TEOS层来图案化SBNPN晶体管的发射极区域(1104)；在氮化物层的顶部、沿着氮化物层和TEOS层的侧面以及在P型外延层的顶部上沉积第二TEOS层(1110)；以及通过第二TEOS层利用N型离子注入P型外延层
性能 npn sbnpn

[发明专利]半导体集成电路器件及半导体集成电路器件的制造方法-CN200910146878.5无效
发明人：杉山雅夫;金子义之;近藤由宪;平泽贤齐 -专利权人：株式会社瑞萨科技
申请日： 2009-06-17 - 公布日： 2010-05-26 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：在本发明的预金属工艺中，在蚀刻终止膜上形成臭氧TEOS膜后，对臭氧TEOS膜进行回蚀，以使栅极结构上的蚀刻终止膜暂时露出，然后，再在残存臭氧TEOS膜上形成等离子TEOS膜，并通过CMP法对所述等离子TEOS
半导体集成电路器件制造方法

[发明专利]通过在晶片上进行化学气相沉积的热氧化物形成装置和方法-CN200580031976.4无效
发明人：严坪镕 -专利权人：株式会社EUGENE科技
申请日： 2005-08-04 - 公布日： 2007-08-29 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：所述装置还包括：同气体流入线相连以向腔体提供TEOS气体的TEOS气体存储单元；用于控制TEOS气体存储单元内的TEOS气体的控制器，以在需要时提供预定量的TEOS气体同时保持气体的预定温度；用于蒸发TEOS气体存储单元所提供的TEOS气体以使其不低于预定温度的蒸发器；同蒸发器出口相连的载气存储单元，以与所蒸发的TEOS气体一道向腔体提供惰性气体；以及同腔体入口相连以提供第二反应气体O₂
通过晶片进行化学沉积氧化物形成装置方法

[发明专利]一种NOR闪存器件的制造方法-CN202310024658.5在审
发明人：齐翔羽;段松汉;佟宇鑫;顾林;王虎 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2023-01-09 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H10B41/35 文献下载
摘要：本发明提供一种NOR闪存器件的制造方法，包括提供衬底，该衬底上形成有栅极结构；淀积ONO层，ONO层包括减薄的HTO层、减薄的SiN层和加厚的TEOS层；对ONO层进行刻蚀以形成第一侧墙；刻蚀去除外围区的TEOS层；利用光刻工艺在衬底中形成源极区域和漏极区域；刻蚀去除存储单元区的TEOS层；对存储单元区进行源漏极离子注入；淀积TEOS层并刻蚀以形成第二侧墙；对外围区进行源漏极离子注入。本发明在对ONO层刻蚀形成第一侧墙时按照时间进行刻蚀，保留一定厚度的TEOS层，使SiN层无损失，再通过湿法工艺去除该TEOS层，然后第二次淀积TEOS层，使得后续侧墙刻蚀窗口得到有效提升，避免了有源区损伤或者
一种 nor 闪存器件制造方法

[发明专利]高频三极管及其制作方法-CN201711420771.6在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：深圳市晶特智造科技有限公司
申请日： 2017-12-25 - 公布日： 2018-06-15 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：所述制作方法包括：在N型衬底上形成N型外延层、场氧化层、P型基区、P型高掺杂区；依序形成第一氮化硅层、第一TEOS层及第二氮化硅层；形成贯穿所述第二氮化硅层及第一TEOS层的开口；在所述第二氮化硅层上及开口的内壁形成第二TEOS层；去除所述第一氮化硅层及第二氮化硅层上的第二TEOS层，所述开口侧壁的第二TEOS层被保留；采用湿法腐蚀去除所述第一TEOS层上的第二氮化硅层及所述开口底部的第一氮化硅层；在所述开口中及第一TEOS
氮化硅层开口高频三极管去除制作金属表面形成场氧化层高掺杂区开口侧壁湿法腐蚀回刻蚀接触孔热退火保留衬底干法内壁背面贯穿

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