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[发明专利]曝光装置及器件制造方法-CN200480012836.8有效
发明人：石井勇树 -专利权人：株式会社尼康
申请日： 2004-05-14 - 公布日： 2006-06-14 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：器件制造系统(SYS)的曝光装置主体(EX)用液体(5)充满投影光学系(PL)与基板(P)之间的至少一部分，通过投影光学系(PL)与液体(50)将掩模M图形的像投影到基板(P)上，对基板(P)进行曝光；其中：具有基板保持托盘(PH)和液体供给机构(12)；该基板保持托盘(PH)保持基板(P)，同时，使基板(P)浸入其中地保持液体(50)；该液体供给机构(12)在投影光学系(PL)的投影区域(AR1)的近旁从基板(P)的上方将液体(50)供给到基板(P)上。
曝光装置器件制造方法

[发明专利]蓄电模块-CN202180075728.9在审
发明人：冈本夕纪;大森修;水野佳世;高桥睦;村濑加内江 -专利权人：株式会社丰田自动织机
申请日： 2021-10-05 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H01G11/12 文献下载
摘要：一种蓄电装置(1)(蓄电模块)，具备：层叠体(5)，其包含沿着层叠方向层叠的多个蓄电单元(2)；以及密封构件(50)，其用于封闭层叠体(5)，层叠体(5)包含沿着层叠方向延伸的多个外侧面(P)，密封构件(50)与多个外侧面(P)接触设置，蓄电单元(2)包含：正极(11)、负极(12)以及间隔件(14)，密封构件(50)中的至少设置在1个外侧面(P)的密封构件(50)是具有比间隔件(14)小的弹性模量的低弹性模量部
模块

[发明专利]具有改进的渗透性的双层多线股帘线-CN201980048597.8在审
发明人： M·舍瓦莱;E·克莱芒;A·贾内蒂;S·洛朗;R·皮诺 -专利权人：米其林集团总公司
申请日： 2019-06-04 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： D07B1/06 文献下载
摘要：本发明公开一种帘线(50)，其包括内部线股(TI)和L1根外部线股(TE)。内部线股(TI)包括：由Q＝2、3、或4根内部丝线(F1)组成的内层(C1)；由以捻距p2进行缠绕的M根中间丝线(F2)组成的中间层(C2)；由以捻距p3进行缠绕的N根外部丝线(F3)组成的外层(C3)帘线的外层(CE)在帘线(50)的缠绕方向上进行缠绕。每根内部线股和每根外部线股(TI、TE)的各自外层(C3、C3’)在相同的缠绕方向上进行缠绕，所述缠绕方向与帘线(50)的缠绕方向相反。帘线(50)的外层(CE)为未饱和的。内部线股(TI)的中间层(C2)为未饱和的并且内部线股(TI)的外层(C3)为未饱和的。以下适用于捻距p2和p3：如果Q＝2，则0.33≤(p3‑p2)/p3≤0.45；如果Q＝3，则0.35≤(p3‑p2)/p3≤0.42；如果Q＝4，则0.28≤(p3‑p2)/p3≤0.43。
具有改进渗透性双层多线股帘线

[发明专利]用于控制具有并联混合系统的车辆的方法、控制器和车辆-CN201680055388.2有效
发明人： A·科恩纳;M·纳尔巴赫;S·卡恩特 -专利权人：黑拉有限责任两合公司
申请日： 2016-09-21 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： B60K6/445 文献下载
摘要：一种用于控制具有并联混合系统的汽车的方法，该并联混合系统至少包括成Po0和/或Po1配置的内燃机(10)和电机(20)以及离合器，离合器用于连接内燃机的输出轴与至少一个驱动轴(40、50)，该方法包括以下步骤：确定功率需求Pd；如果功率需求Pd低于第一阈值P1，则使内燃机(10)与驱动轴(40、50)解耦；如果功率需求Pd高于第一阈值P1，则将内燃机(10)与驱动轴(40、50)耦合。:Sub>2之间，则关闭内燃机(10)，并且通过向电机(20)提供电功率来向驱动轴(40、50)提供功率以驱动汽车，其中，所述第二阈值P2大于第一阈值P1，即，P1PdP2
用于控制具有并联混合系统车辆方法控制器

[发明专利]功率用半导体装置-CN200980152025.0有效
发明人：中田修平;渡边昭裕;大塚健一;三浦成久 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2009-06-30 - 公布日： 2011-11-30 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及功率用半导体装置的构造，特征在于，以使面积大的P阱区域(41)与栅电极(50)不经由栅极绝缘膜(70)相向的方式，使面积大的P阱区域(41)与栅电极(50)经由厚度比栅极绝缘膜(70)厚的场氧化膜(30)而相向，或者在下部具有面积大的P阱区域(41)的栅极绝缘膜(70)的上部不设置栅电极(50)。
功率半导体装置

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201010134596.6有效
发明人：高桥彻雄;大月高实 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2010-03-15 - 公布日： 2010-10-13 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：在半导体装置中，在衬底(50)内形成有N型杂质区域(1)。P型表面降场层(18)在N型杂质区域(1)内的衬底(50)上表面形成。P型阱(2)与P型表面降场层(18)相比具有高杂质浓度，并且在N型杂质区域(1)内的衬底(50)上表面中与P型表面降场层(18)接触而形成。第一高压侧板(8)与N型杂质区域(1)电连接，并且第一低压侧板(7)与P型杂质区域(2)电连接。下部场板(20)在与衬底(50)之间能够形成下部电容耦合。上部场板(17)在与下部场板(20)相比从衬底(50)离开的位置形成，并且在与下部场板(20)之间能够形成比下部电容耦合的电容大的上部电容耦合。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]夹头、游丝摆轮以及钟表-CN201310166023.5有效
发明人：井畑贵吉;平野圭;菊池圣志;多田健太郎 -专利权人：精工电子有限公司
申请日： 2013-05-08 - 公布日： 2017-06-13 - 主分类号： G04B17/34 文献下载
摘要：本发明的夹头的特征在于，在夹头(50)的径方向外侧的侧面，形成焊接游丝(40)的内周侧端部(43)的焊接面(57)，在将夹头(50)外嵌于摆轴(30)时，从夹头(50)的轴方向观察，在将焊接面(57)处的夹头(50)的周方向的中央部(P1)与夹头(50)的中心轴(O)连结的直线(T)上，具有与摆轴(30)的外周面抵接的一对抵接点(P2、P3)，并且在直线(T)上以外的区域的至少一部分，具有宽度比焊接面(57)的中央部(P1)与第一抵接点(P2)的分离距离更窄的宽度狭窄部(54)。
夹头游丝摆轮以及钟表

[发明专利]一种生产低温高磁感取向硅钢的常化控制方法-CN201510730202.6有效
发明人：高洋;郭小龙;毛炯辉;王若平;胡守天;董春明;赵胜利;陈文聪;党宁员 -专利权人：武汉钢铁（集团）公司
申请日： 2015-11-02 - 公布日： 2015-12-23 - 主分类号： C22C38/42 文献下载
摘要：0.005~0.010%、N：0.006~0.010%、Cu：0.014~0.015%、Sn：0.040~0.042%、Cr及Ni总含量小于0.25%；冶炼并连铸成坯；热轧后进行两段式常化；检测钢板的P_1.1/50值并判断该值是否在α≤P_1.1/50≤β内；时效轧制；进行脱碳退火及渗氮退火；涂布氧化镁退火隔离剂等后工序。本发明利用低温Hi-B钢常化板铁损值P_1.1/50与常化热处理高温段钢板温度之间的联系进行常化温度设定，使不同Als常化卷的P_1.1/50值控制在所需的P_1.1/50范围内，从而获得磁性优良的产品。
一种生产低温高磁感取向硅钢控制方法

[发明专利]曝光装置以及器件制造方法-CN200810082276.3有效
发明人：马込伸贵;高岩宏明;荒井大 -专利权人：株式会社尼康
申请日： 2003-12-05 - 公布日： 2008-07-30 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：器件制造系统(SYS)具备：在投影光学系统(PL)与基片(P)之间用液体(50)充满，经由投影光学系统(PL)和液体(50)将图案像投影到基片(P)上的曝光装置本体(EX)；曝光装置本体(EX)与进行基片(P)曝光后的处理的涂敷器·显影器本体(C/D)的接口部(IF)；以及在基片(P)曝光后、经由接口部(IF)将基片(P)搬出至涂敷器·显影器本体(C/D)之前，除去附着于基片(P)的液体(50)的液体除去装置
曝光装置以及器件制造方法

[发明专利]曝光装置以及器件制造方法-CN200810082277.8有效
发明人：马込伸贵 -专利权人：株式会社尼康
申请日： 2003-12-05 - 公布日： 2008-08-13 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：器件制造系统(SYS)具备：在投影光学系统(PL)与基片(P)之间用液体(50)充满，经由投影光学系统(PL)和液体(50)将图案像投影到基片(P)上的曝光装置本体(EX)；曝光装置本体(EX)与进行基片(P)曝光后的处理的涂敷器·显影器本体(C/D)的接口部(IF)；以及在基片(P)曝光后、经由接口部(IF)将基片(P)搬出至涂敷器·显影器本体(C/D)之前，除去附着于基片(P)的液体(50)的液体除去装置
曝光装置以及器件制造方法

[发明专利]曝光装置以及器件制造方法-CN200810082275.9无效
发明人：马込伸贵;高岩宏明;荒井大 -专利权人：株式会社尼康
申请日： 2003-12-05 - 公布日： 2008-07-30 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：器件制造系统(SYS)具备：在投影光学系统(PL)与基片(P)之间用液体(50)充满，经由投影光学系统(PL)和液体(50)将图案像投影到基片(P)上的曝光装置本体(EX)；曝光装置本体(EX)与进行基片(P)曝光后的处理的涂敷器·显影器本体(C/D)的接口部(IF)；以及在基片(P)曝光后、经由接口部(IF)将基片(P)搬出至涂敷器·显影器本体(C/D)之前，除去附着于基片(P)的液体(50)的液体除去装置
曝光装置以及器件制造方法

[发明专利]曝光装置以及器件制造方法-CN200380105419.3无效
发明人：马込伸贵;高岩宏明;荒井大 -专利权人：株式会社尼康
申请日： 2003-12-05 - 公布日： 2006-01-18 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：器件制造系统(SYS)具备：在投影光学系统(PL)与基片(P)之间用液体(50)充满，经由投影光学系统(PL)和液体(50)将图案像投影到基片(P)上的曝光装置本体(EX)；曝光装置本体(EX)与进行基片(P)曝光后的处理的涂敷器·显影器本体(C/D)的接口部(IF)；以及在基片(P)曝光后、经由接口部(IF)将基片(P)搬出至涂敷器·显影器本体(C/D)之前，除去附着于基片(P)的液体(50)的液体除去装置
曝光装置以及器件制造方法

[发明专利]一种低频特性优良的高牌号无取向电工钢及制造方法-CN202310313932.0在审
发明人：夏雪兰;裴英豪;施立发;祁旋;杜军;刘青松;程国庆;陈明侠 -专利权人：马鞍山钢铁股份有限公司
申请日： 2023-03-28 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C22C38/02 文献下载
摘要：本发明不添加贵重金属，通过析出相以及织构控制，实现0.50mm厚度产品铁损P1.5/50≤2.60W/kg，磁感B50≥1.66T，同时低频铁损P1.0/30≤0.60W/kg，P1.5/30≤1.50W/kg；0.35mm厚度产品铁损P1.5/50≤2.35W/kg，磁感B50≥1.65T，同时低频铁损P1.0/30≤0.52W/kg，P1.5/30≤1.20W/kg。
一种低频特性优良牌号取向电工制造方法

[发明专利]太赫兹装置-CN202080069429.X在审
发明人：金在瑛;鹤田一魁;西田阳亮 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2020-10-09 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01P5/16 文献下载
摘要：本发明的太赫兹装置(A1)包括：太赫兹元件(50)，其进行太赫兹带的电磁波的振荡和辐射；和波导管(10)，其具有传送电磁波的传送区域(101)。太赫兹元件(50)具有彼此朝向相反侧的元件主面(501)和元件背面(502)，以及在元件主面(501)振荡电磁波的振荡点(P1)和辐射电磁波的辐射点(P2)。太赫兹元件(50)以使振荡点(P1)和辐射点(P2)配置在传送区域(101)内的方式配置。
赫兹装置

[发明专利]液晶装置、投影显示装置以及液晶装置的基片的制造方法-CN200410089842.5有效
发明人：田中孝昭;山崎泰志 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2002-03-13 - 公布日： 2005-04-13 - 主分类号： G02F1/133 文献下载
摘要：一种液晶装置具有设置在一对基片的液晶层一侧的表面上的无机排列层(36，42)，当液晶层的液晶分子(50a)的平均预倾角θ的范围是5度≤θ≤20度时，该液晶层的液晶分子(50a)的扭转角φ、液晶盒间隙d以及液晶层的液晶分子的螺距P满足关系：(0.6/360)φ＜d/P＜(1.4/360)φ，当液晶层的液晶分子(50a)的平均预倾角θ的范围是θ＞20度时，该液晶层的液晶分子(50a)的扭转角φ、液晶盒间隙d以及液晶层的液晶分子的螺距P满足关系：(0.8/360)φ＜d/P＜(1.6/360)φ。
液晶装置投影显示装置以及制造方法