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[发明专利]一种Zn-P-As晶体材料及其制备方法和应用-CN202110768899.1有效
发明人：梁彦杰;刘振兴;柴立元;邓方杰;彭聪;杨志辉;周元;丁风华;周艺伟 -专利权人：中南大学
申请日： 2021-07-07 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： C30B29/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种Zn‑P‑As晶体材料及其制备方法和应用，所述Zn‑P‑As晶体材料中Zn、P、As的原子比为3：5：2.6，正交晶系，空间群为Cmcm，晶胞参数为α＝β＝γ＝90°，保护性气氛或真空环境下，将单质As、单质P以及单质Zn球磨混合，升温至620℃～820℃下保温反应不低于6h即得。本发明所载的Zn‑P‑As晶体材料，其光学带隙约为1.2eV，与单晶Si(Eg:1.1～1.3eV)的带隙接近，作为半导体材料，在新型电子器件领域以及光伏领域具有潜在的应用前景
一种 zn as 晶体材料及其制备方法应用

[发明专利]包含可多次顺序形成和断开的可逆共价键的颗粒-CN201280077733.4有效
发明人： R·尼科莱;C·苏利耶-齐亚科维克;L·莱布勒;A·普雷沃托;N·格里菲特 -专利权人：法国巴黎市立高等工业物理化学学院;居里-巴黎第六大学;国家科学研究中心
申请日： 2012-10-23 - 公布日： 2018-07-13 - 主分类号： C09B67/00 文献下载
摘要：本发明涉及包含颗粒的实体P‑(A‑‑B‑M)x，其中P为通过一个或几个可逆共价键‑A‑‑B‑连接至至少一个聚合物M的固体颗粒，其中A和B为分别接枝到P和M从而形成P‑(A‑‑‑B‑M)x包含颗粒的实体的官能团，其中x大于或等于1，M具有包含在5至1000之间、优选5至500的聚合度，和其中所述可逆共价键‑A‑‑‑B‑选自亚胺、二硫化物、硼酸酯或缩醛。本发明还涉及制备该包含颗粒的实体的方法，顺序形成和断开所述包含颗粒的实体P‑(A‑‑‑B‑M)x中的可逆共价键‑A‑‑‑B‑的方法以及包含其的分散体。
可逆共价键顺序形成断开二硫化物聚合物分散体聚合度硼酸酯接枝缩醛亚胺优选制备

[发明专利]减少触摸温度的方法和设计为减少触摸温度的外表材料-CN201580013484.6有效
发明人： U·瓦达坎马鲁韦杜;J·J·安德森;V·米特;P·王 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2015-03-13 - 公布日： 2019-11-29 - 主分类号： G06F1/16 文献下载
摘要：该材料具有导热系数(k)和位于10％和70％之间的导致该材料的比热(C_p)和密度(ρ)的孔隙度，使得k*ρ*C_p位于0(J*W)/(m⁴该材料可以是：导热系数位于0.5‑2W/(m*K)之间，密度位于1000–2500kg/m³之间，比热位于500‑1000J/(kg*K)之间的基于玻璃的材料；导热系数位于300–K)之间，密度位于4000–8000kg/m³之间，比热位于200–300J/(kg*K)之间的基于金属的材料；以及导热系数位于0.1–0.4W/(m*K)之间，密度位于400–1000kg
用于减少触摸温度外表材料设计方案

[发明专利]一种极低膨胀高模量张力索及其制作方法-CN201010546688.5有效
发明人：武高辉;刘宇通 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2010-11-17 - 公布日： 2011-06-01 - 主分类号： D04C1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种极低膨胀高模量张力索及其制作方法，张力索由碳纤维和胶黏剂制成，所述碳纤维采用T系列(T300、T700或T1000)、M系列(M35或M40)和P系列(P100)碳纤维，所述胶黏剂选用SY最终的张力索强度在1000MPa以上，弹性模量在200GPa以上，纵向膨胀系数小于1×10-6/℃，耐温范围为±120℃，具有一定的柔性和耐磨性，可以适应大温差，高强度等复杂环境。
一种膨胀高模量张力及其制作方法

[发明专利]具有弹性枢轴的振荡机构和用于传递能量的可动元件-CN201180035340.2有效
发明人： P·卡森;C·沙邦;M·韦拉尔多 -专利权人：尼瓦洛克斯-法尔股份有限公司
申请日： 2011-07-04 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： G04B13/02 文献下载
摘要：一种用于计时器机芯（1000）的振荡机构（1），包括第一刚性元件（200）和第二刚性元件（600），每一个刚性元件都被固定在所述机芯（1000）的不同元件上并且其中的至少一者相对于另一者是可动的并绕枢转轴线之间产生弹性连接的第一弹性回复装置（300）以及在所述中间元件（400）与所述第二刚性元件（600）之间产生弹性连接的第二弹性回复装置（500），所述第一弹性回复装置（300）和所述第二弹性回复装置（500）在一个平面（P）上是共面的并且被设计成在所述平面（P）上变形。
具有弹性枢轴振荡机构用于传递能量元件

[发明专利]KDP调Q开关-CN201510892593.1在审
发明人：尚旭川;董涛;唐刚锋 -专利权人：中国航空工业集团公司洛阳电光设备研究所
申请日： 2015-12-08 - 公布日： 2016-04-06 - 主分类号： H01S3/115 文献下载
摘要：KDP调Q开关包括外壳，外壳中设有KD*P晶体，在沿光路方向上，KD*P晶体的两侧设有密封光窗，在垂直光路方向上，KD*P晶体与外壳之间由内向外依次设有晶体支架、加热套和加热丝，加热丝固定在加热套上，加热套将加热丝和晶体支架隔离开，晶体支架上安装有用于连接驱动高压的驱动电极，驱动电极与KD*P晶体电连接。通过驱动电极将调Q的驱动高压加注到KD*P晶体上，利用电光效应，能够实现激光器主动式调Q工作；KD*P晶体具有高消光比（大于1000:1）的优势，通过加热丝进行加热，防止KD*P晶体低温雾化，解决宽温（
kdp 开关

[发明专利]一种发光二极管外延片及其制作方法-CN201410111793.4有效
发明人：郭炳磊;王群;胡加辉;童吉楚;陶章峰;魏世祯 -专利权人：华灿光电(苏州）有限公司
申请日： 2014-03-24 - 公布日： 2014-08-27 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：外延片包括：衬底、以及在衬底上向上生长的成核层、缓冲层、未掺杂的GaN层、n型层、多量子阱层、第一p型GaN层、第二p型GaN层、电子阻挡层和p型层，电子阻挡层的厚度为50～150nm，第一p型GaN层的生长温度为600～800℃、生长压力为400～800Torr，第二p型GaN层的生长温度为800～1000℃、生长压力为50～500Torr。本发明通过设置高压低温生长的第一p型GaN层，提供了空穴的注入通道，从而提高空穴的注入效率，低压高温生长的第二p型GaN层提高了晶体质量，限制了电子阻挡层的厚度，增加了空穴的注入效率。
一种发光二极管外延及其制作方法

[发明专利]抗拉强度1000MPa级热轧超高强钢板及其制备方法-CN202211039248.X在审
发明人：唐帅;熊杰;蓝慧芳;刘振宇;李建平;王国栋 -专利权人：东北大学
申请日： 2022-08-29 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： C22C38/04 文献下载
摘要：一种抗拉强度1000MPa级热轧超高强钢板及其制备方法，属于冶金技术领域。该抗拉强度1000MPa级热轧超高强钢板，其含有的成分及其质量百分比为：C：0.06～0.12％；Mn：1.0～2.0％；Si：0.08～0.2％；Ti：0.05～0.13％；Cr：0.7～1.5％；P得到的抗拉强度1000MPa级热轧超高强钢板，微观组织主要包括贝氏体、残余奥氏体、纳米级碳化物，碳化物弥散分布在贝氏体基体上，屈服强度为≥750MPa，抗拉强度为≥1000MPa，延伸率A≥15％。
抗拉强度 1000 mpa 热轧高强钢板及其制备方法

[发明专利]聚合物、聚合物溶液和感光性树脂组合物-CN202180065236.1在审
发明人：田边润壹 -专利权人：住友电木株式会社
申请日： 2021-09-17 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： C08F290/12 文献下载
摘要：本发明的聚合物由下述通式(P)表示。通式(P)中，Y为由2官能以上的含硫醇基化合物衍生的1～6价的碳原子数1以上且30以下的有机基，Chain含有下述通式(AE‑1)所表示的结构单元及下述通式(AE‑2)所表示的结构单元，n为1～6的整数聚合物溶液感光性树脂组合

[发明专利]高压实锂离子电池正极材料及其制备方法-CN201611208558.4在审
发明人：王华;吴飞;高腾飞;顾家林;张川;李庆武 -专利权人：五龙动力(重庆)锂电材料有限公司
申请日： 2016-12-23 - 公布日： 2017-06-16 - 主分类号： H01M4/505 文献下载
摘要：本发明公开了一种高压实锂离子电池正极材料的制备方法，包括步骤(1)取D50分别为3～10μm、10～20μm的镍钴锰氢氧化物材料P1和P2混匀，P1和P2的质量比为10～3565～90，P1和P2是同一种物质；(2)称取步骤(1)中的P1和P2混合物，按摩尔比Li(Ni+Co+Mn)为1～1.101称取锂盐与P1和P2的混合物混匀，然后将混合的粉末置于炉中升温至600～1000℃，保温5～30小时即得到高压实镍钴锰三元正极材料
高压锂离子电池正极材料及其制备方法

[发明专利]风光消纳能力测算方法、装置、可读介质、电子设备、可重构式电网的设置方法-CN202310548709.4在审
发明人：郭雪丽;王爽;龚正国;李勇;党伟;王捷;曲晓;李婷婷;周玮;郑峰 -专利权人：国网河南省电力公司南阳供电公司
申请日： 2023-05-16 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H02J3/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种风光消纳能力测算方法、装置、可读介质、电子设备、可重构式电网的设置方法，若电网满足模型约束：|Pij,t|≤αijPT,min≤PT,t≤PT,max和QT,min
风光能力测算方法装置可读介质电子设备可重构式电网设置

[发明专利]一种太赫兹波谱系统噪声模拟方法及系统-CN202110511033.2有效
发明人：吴静睿;郭旭光;朱亦鸣 -专利权人：上海理工大学
申请日： 2021-05-11 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： G01J3/28 文献下载
摘要：因为该方法包括如下步骤：步骤S1，建立模拟方法，模拟方法包括如下公式：；步骤S2，令p＝0，q＝0，r＝0，得理想时域模拟谱图；步骤S3，令q＝0，r＝0，p分别为从预定频率范围内选择的随机多个数值，得第一误差时域模拟谱图；步骤S4，令p＝0，r＝0，q分别为从预定时间范围内选择的随机多个数值，得第二误差时域模拟谱图；步骤S5，令p＝0，q＝0，r分别为从预定幅度范围内选择的随机多个数值，得第三误差时域模拟谱图；步骤S6，将理想时域模拟谱图与上述三种误差时域模拟谱图进行对比，得到重复频率误差
一种赫兹波谱系统噪声模拟方法

[发明专利]一种机械超声处理提高Fe基非晶合金电解水析氢催化活性的方法-CN202010045941.2有效
发明人：林怀俊;吴凯瑶;孟玉英;曾大海;陈小龙;李卫 -专利权人：暨南大学
申请日： 2020-01-16 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： C21D10/00 文献下载
摘要：所述方法为：用超声波焊接机将Fe基非晶合金进行高能机械超声处理，保压，其中超声波焊接机的工作参数为：超声能量为5～10000J，焊接压力为50～1000KPa，接触压力为10～1000N。所述Fe基非晶合金带材的组成为：FemSinBp，35≤m≤85，3≤n≤45，5≤p≤40且m+n+p＝100。
一种机械超声处理提高 fe 基非晶合金电解水催化活性方法

[发明专利]一种供体-受体型电致变色聚合物及其制备方法和一种聚合物薄膜-CN202211489433.9在审
发明人：王义;李瑞;李广德;崔光振;陶益杰;卢洪树;刘煜;路肖;吴新 -专利权人：中国人民解放军96901部队25分队
申请日： 2022-11-25 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： C08G61/12 文献下载
摘要：提供了一种供体‑受体型电致变色聚合物及其制备方法和一种聚合物薄膜，其包括具有如下结构式P1和结构式P2所示的化合物中的一种或两种：结构式P1和结构式P2中：R1为6个碳以上的直链烷基，R2为20个碳以上的支链烷基，n表示聚合度，n的取值为8‑100之间的自然数
一种供体受体型电致变色聚合物及其制备方法薄膜

[发明专利]p53基因突变的快速检测方法-CN201210335283.6有效
发明人：王明;彭南求 -专利权人：上海赛安生物医药科技有限公司
申请日： 2012-09-11 - 公布日： 2013-12-11 - 主分类号： C12Q1/68 文献下载
摘要：本发明提供了一种p53基因突变的快速检测方法，本发明分别设计了p53第6号外显子（p53-E6）和第8号外显子（p53-E8）的野生型引物和突变型引物，分别扩增对应的野生型目的片段和突变型目的片段，不同比例混合这两种片段，使突变型目的片段的含量为1/10、1/100、1/1000和0，最后用HRM方法进行区分；与其它方法相比，本发明方法具有高特异性、高灵敏度与方便快捷的优点；而且通量更高，单次成本更低。
p53 基因突变快速检测方法

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