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[实用新型]一种偶极辐射式扬声器系统-CN201520046959.9有效
发明人：邹士磊 -专利权人：邹士磊
申请日： 2015-01-22 - 公布日： 2015-07-15 - 主分类号： H04R1/28 文献下载
摘要：一种偶极辐射式扬声器系统(DRLS)——声腔刚性壁具有导声孔，相邻导声孔间距d≥9mm；当频响范围f＜1000Hz时，100μm≤孔径Φ≤300μm，孔隙率p≤0.1‰；当f≥1000Hz时，300μm＜Φ＜1000μm，p≤3％。
一种辐射扬声器系统

[发明专利]具有挠度补偿辊子的压花装置-CN200580027471.0无效
发明人： R·科霍南;P·科伊武库纳斯 -专利权人：阿万托尼有限公司
申请日： 2005-08-05 - 公布日： 2008-01-09 - 主分类号： F16C13/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于在基片(30)的表层(40)成型微结构的压花设备(1000)。压花设备(1000)包括施加压花压力到基片(30)的表层(40)上的压花辊子(10)和支持辊子(20)。为补偿挠曲，压花设备(1000)包括用于设置通过压花辊子(10)中心区域(CR)施加到基片(30)的表层(40)上的压花压力(p3)至少等于或高于通过压花辊子(10)端部区域(ER1，ER2)施加到基片(30)的表层(40)上的压花压力(p1，p2)的装置。
具有挠度补偿辊子压花装置

[发明专利]改进包含聚异氰脲酸酯的反应产物的断裂韧性的方法-CN201680058547.4有效
发明人： S.A.沃特斯 -专利权人：亨茨曼国际有限公司
申请日： 2016-05-26 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： C08G18/48 文献下载
摘要：通过在至少100的异氰酸酯指数下组合和混合至少多异氰酸酯组合物、具有1000‑5000 g/mol的平均分子量的聚四氢呋喃多元醇（P‑THF）作为增韧剂和平均分子量1000 g/mol的二醇获得的用于制备包含聚异氰脲酸酯的产物的可固化组合物
改进包含聚异氰脲酸酯反应产物断裂韧性方法

[发明专利]一种屈服强度1000MPa级调质超高强钢及其制造方法-CN201110410802.6无效
发明人：宋欣;王根矶;刘春明;邹阳;顾林豪;陈楠;何元春;白学军;姜中行 -专利权人：秦皇岛首秦金属材料有限公司;首钢总公司
申请日： 2011-12-12 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： C22C38/54 文献下载
摘要：本发明提供一种屈服强度1000MPa级调质超高强钢及制造方法，其化学成分为(重量)，C：0.15％～0.20％；Si：0.10％～0.40％；Mn：1.00％～1.50％；Cr：0.30％～0.50％；Ni：0.20％～0.50％；B：0.0010％～0.0030％；Nb：0.010％～0.030％；V：0.030％～0.050％；Ti：0.010％～0.020％；Alt：0.030％～0.050％；P：该钢种可以满足1000MPa级调质超高强钢的性能要求。
一种屈服强度 1000 mpa 级调质超高强及其制造方法

[发明专利]一种非转基因木瓜的栽培方法-CN202010159671.8在审
发明人：侯源耀;梁可平;程金坚 -专利权人：三亚耀众农业发展有限公司
申请日： 2020-03-10 - 公布日： 2020-07-03 - 主分类号： A01G17/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种非转基因木瓜的栽培方法，包括浸种、种苗处理、练苗、田地处理、定植及开花结果等步骤，其中，种苗过程中，使用广谱低毒农药及复合肥喷洒，广谱低毒农药包括1000倍的30%的吡虫啉以及1000倍的40%的百菌清，复合肥包括N23‑P10‑K12，以300倍的生根剂浇灌；定植过程中，以如下农药交替喷施：甲维盐5% 1000‑1500倍，阿维螺螨酯5% 1000‑1500倍，唑螨酯5% 800‑1200倍，吡虫啉30% 500‑1000倍，噻虫嗪1000‑1500倍，百菌清40% 500‑1000倍，嘧菌酯25% 2000‑2500倍，波尔多液400‑800倍。
一种转基因木瓜栽培方法

[发明专利]一种钴酸锰中空微球及其应用-CN202210741021.3有效
发明人：陈建;伍言康;雷智强;唐利平;胡茂源;岳晨曦 -专利权人：四川轻化工大学
申请日： 2022-06-28 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01G11/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种钴酸锰中空微球及其应用，呈中空微球状结构，其直径大约在100~1000nm之间；单个微球由许多大小不一的微粒构成。采用一步水热法制备了钴酸锰前驱体(P‑MCO)，之后对P‑MCO进行低温煅烧，最终获得钴酸锰中空微球(H‑MCO)，其直径大约在100~1000 nm之间，拥有较小的粒径，使得比表面积较大，相应的储存位点更多
一种钴酸锰中空及其应用

[发明专利]1000MPa高强钢免预热焊接用电弧焊条及制备方法-CN202310447985.1在审
发明人：付魁军;张志强;杨鹏聪;刘锦;赵坦;金耀辉;王佳骥;胡奉雅;傅博;韩严法;郭鹏 -专利权人：鞍钢股份有限公司
申请日： 2023-04-24 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： B23K35/30 文献下载
摘要：本发明涉及一种1000MPa高强钢免预热焊接用电弧焊条及制备方法，所述电弧焊条由焊芯和涂料外皮组成；焊芯的成分为C：0.04％～0.08％，Si：0.15％～0.35％，Mn：1.85％～2.1％，Cr：0.4％～0.6％，Ni：4.5％～5.5％，Mo：0.6％～0.9％，S≤0.008％，P≤0.010％，余量为铁；涂料外皮中含有纳米TiN粉末。采用本发明所述电弧焊条焊接1000MPa高强钢，焊接接头强度不低于1000MPa，同时保证室温焊接时不产生裂纹；解决了1000MPa级超高强钢焊接过程中焊接接头低韧性和强度不足，以及焊接过程中焊缝开裂的问题
1000 mpa 高强预热焊接用电焊条制备方法

[发明专利]包含在高薄层电阻晶片上形成的电极的太阳能电池-CN201510522588.1在审
发明人：朴相熙;丘显晋;金泰俊;朴珉秀;郑名成;河贤辰 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2015-08-24 - 公布日： 2016-03-30 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明提供一种包含在高薄层电阻晶片上形成的电极的太阳能电池，具体的包含p-n结衬底以及在其一个表面上形成的电极，其中p-n结衬底的薄层电阻为85到150Ω/sq，且粒径为10到1,000纳米的银晶体存在于电极内，邻接于p-n结衬底与电极之间的界面。组合物包含源于银化合物的玻璃料，银化合物在1000℃或低于1000℃的温度下分解成银离子，从而增强电极与衬底之间的接触效率，且具有被降到最低的接触电阻(Rc)和串联电阻(Rs)，由此展现极佳填充因数和转化效率
包含薄层电阻晶片形成电极太阳能电池

[发明专利]P型层粗化的发光二极管LED生长方法-CN201410427935.8有效
发明人：黄小辉;米亭亭;周德保;康建;梁旭东 -专利权人：圆融光电科技有限公司
申请日： 2014-08-27 - 公布日： 2017-01-18 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种P型层粗化的发光二极管LED生长方法，该方法包括温度为520～560℃时，在衬底上通入金属源，金属源跟氨气发生反应形成缓冲层；温度升高至800～1000℃时，缓冲层形成一非掺杂层；温度升高至1000～1100℃时，在非掺杂层表面生长一层N型掺杂层；在N型掺杂层表面生长一量子阱层；在量子阱层表面生长一P型掺杂层；降低温度至500～700℃，在P型掺杂层表面通入金属源，形成金属源薄层；温度升高至
型层粗化发光二极管 led 生长方法

[发明专利]一种制备高电阻率硅晶片的方法-CN201010278602.5有效
发明人：黎坡;曼纽尔 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2010-09-10 - 公布日： 2011-01-05 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种制备高电阻率硅结构的方法，包括以下步骤：首先，提供一掺杂浓度为中等、初始电阻率为200-1000ohm-cm的P型硅结构；其次，对所述硅结构进行热处理，通过所述热处理产生氧热施主，使得所述硅结构中的部分或全部空穴被抵消本发明方法首先提供掺杂浓度为中等、电阻率并不是很高的p型晶片，然后对其进行热处理，通过控制热处理过程的时间使得热处理过程不会产生过多的氧热施主，由于先前提供的晶片的掺杂浓度为中等，因此对于p型晶片，产生的适当氧热施主会使晶片中部分或全部受体空穴产生抵消通过本发明方法可得的电阻率高达1000ohm-cm以上的晶片。
一种制备电阻率晶片方法

[外观设计]灾害预警接收服务器（MH-P1000）-CN202130173049.8有效
发明人：韦瑶;周凯平 -专利权人：成都市美幻科技有限公司
申请日： 2021-03-29 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： 14-02 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：灾害预警接收服务器（MH‑P1000）。2.本外观设计产品的用途：用于灾害信息接收、处理与播报和安全知识宣传。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。
灾害预警接收服务器 mh p1000

[发明专利]制造太阳能电池的方法-CN02816078.9无效
发明人： N·B·马森;R·W·J·鲁塞尔 -专利权人：英国石油太阳能有限公司
申请日： 2002-06-17 - 公布日： 2004-11-03 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种把背面场施加到硅太阳能电池中的方法，该方法包括如下步骤：a)在电池的背面沉积铝层；b)在700～1000℃的温度下使铝层烧结；c)使电池暴露于V族元素化合物的气氛中，并在950～1000℃的温度下进行扩散，以使裸露的p型硅表面中掺入V族元素，优选掺入磷。
制造太阳能电池方法

[发明专利]轨条连接器-CN201980050946.X在审
发明人：大卫·尼古拉斯·埃文斯 -专利权人：卡斯特瑞工程有限公司
申请日： 2019-07-22 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： A63G21/22 文献下载
摘要：描述了一种可释放的轨条连接器(1000)，用于可释放地连接第一轨条(10A)和第二轨条(10B)，第一轨条(10A)提供车轮(120)的行驶表面RS的第一部分P1，第二轨条(10B)提供行驶表面RS的第二部分P2。轨条连接器(1000)包括第一部件(1100)，其具有包括第一公连接件(1111)的第一端(1110)和被设置以与第一轨条(10A)接合的第二端(1120)。轨条连接器(1000)能够布置为第一构造，其中第一公连接件(1111)和第一母连接件(1212)分开。轨条连接器(1000)在第二构造中提供行驶表面RS的第三部分P3。
连接器

[发明专利]燃料电池催化剂用碳载体及燃料电池用催化剂-CN202280016367.5在审
发明人：稲叶稔;初代善夫 -专利权人：东洋炭素株式会社;学校法人同志社
申请日： 2022-10-24 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01M4/90 文献下载
摘要：本发明的一实施方式的碳载体在利用CuKα射线而得的X射线衍射光谱中，至少在2θ＝22.5°～25°、26°及26.5°处观测到(002)面的衍射波峰，2θ＝26°的波峰P1与2θ＝26.5°的波峰P2的强度比I(P1)/I(P2)为1.4以上，BET比表面积为1000m2/g以上。
燃料电池催化剂载体

[发明专利]一种磁电功能材料及其制备方法-CN201010117666.7无效
发明人：邓正;靳常青;望贤成 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2010-03-03 - 公布日： 2010-08-11 - 主分类号： C01B25/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种新材料及其制备方法，该材料为NaxCu2P2，其中0.8＜x＜1.2，x表示原子百分比含量。本发明还提供了NaxCu2P2晶体的高压合成方法，在0～6GPa的压力范围内，600℃～1000℃的温度范围内制备NaxCu2P2的方法。通过上述方法制备出的NaxCu2P2晶体属于四方晶系，具有I4/mmm的空间对称群。
一种磁电功能材料及其制备方法