专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]铂基合金-CN201280021634.4有效
  • L·韦伯 - 洛桑联邦理工学院
  • 2012-05-02 - 2016-11-16 - C22C5/04
  • sub>Mdx)b的合金制成的物品,其中i)M表示群组Zr、Ti、Fe、Ni、Co、Cu、Pd、Ag、Al的金属元素中的一种或其混合物;ii)Md表示群组Si、P、C、S、As、Ge的若干准金属中的一种或其混合物;iii)a小于0.2;iv)b为0.2‑0.5;v)x为0‑0.8;vi)如果存在P,则总体P含量小于10原子百分比,形成所述合金的元素的比例已经被选择以赋予所述合金至少400HV的硬度、低于1000℃的熔点和改良的可加工性。
  • 合金
  • [发明专利]一种发光二极管的外延片的制备方法-CN201710852359.5在审
  • 孙玉芹;董彬忠;王江波 - 华灿光电(浙江)有限公司
  • 2017-09-19 - 2018-03-30 - H01L33/00
  • 该制备方法包括提供一衬底;在衬底上生长缓冲层;对缓冲层进行温度稳定处理,温度稳定处理包括将生长有缓冲层的衬底置于1000~1050℃环境下,持续时间为t;在生长有缓冲层的衬底上依次生长三维GaN岛状层、n型GaN层、发光层和p型GaN层,通过在衬底上生长了缓冲层之后,对制作中的外延片进行温度稳定处理,将生长有缓冲层的衬底置于1000~1050℃环境下,并持续一段时间,再在缓冲层上依次生长三维GaN岛状层、n型GaN层、发光层和p型GaN层,可使生长出来的外延片厚度更加均匀,从而使该外延片制成的LED芯片发光波长分布更加均匀。
  • 一种发光二极管外延制备方法

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