专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种MoO3印染污水处理设备-CN201520976004.3有效
  • 吴继华;张新华;闫庆军;何绍木;闫书恒 - 绍兴文理学院
  • 2015-12-01 - 2016-04-13 - C02F9/04
  • 本实用新型公开了一种MoO3印染污水处理设备,包括废水过滤池、第一沉积池、第二沉积池、回流泵和MoO3薄膜过滤装置;废水进水管通接废水过滤池的进液口,废水过滤池的出液口通过连接管通接第一沉积池的进液口,第一沉积池的出液口通过三通连接管通接MoO3薄膜过滤装置的进液管,MoO3薄膜过滤装置的出液管通过连接管通接第二沉积池的进液口,第二沉积池的下部侧壁具有回流口它将MoO3纳米线薄膜设置在污水处理装置中对印染废水进行处理,降低有机物污染,提高水质,降低对环境的污染。
  • 一种moo3印染污水处理设备
  • [发明专利]一种MoO2-CN201811141517.7有效
  • 李翔;方超;韩高荣 - 浙江大学
  • 2018-09-28 - 2021-06-25 - A61K41/00
  • 本发明涉及一种MoO2‐ICG多功能纳米颗粒及其制备方法与应用,其中制备方法包含光热剂MoO2纳米颗粒的合成制备,以及表面本发明中的MoO2纳米颗粒合成方法简单,尺寸均一,水中分散性好,ICG水溶性好,加载量高,且在NIR区域响应,可以实现808nm激光辐照下的肿瘤光治疗,并且实现光热光动力协同治疗
  • 一种moobasesub
  • [发明专利]一种肖特基接触及其制备方法-CN201610803653.2在审
  • 陈俊;吕加兵 - 苏州大学
  • 2016-09-06 - 2017-01-04 - H01L29/47
  • 本发明涉及一种肖特基接触及其制备方法,所述肖特基接触包括p‑InP衬底、绝缘介质层和电极金属层,所述p‑InP衬底上生长有欧姆接触金属层,所述绝缘介质层为MoO3。制备时,先在p‑InP衬底上生长欧姆接触金属形成外围环形电极;然后在p‑InP衬底上沉积3~4nm厚的MoO3层;最后在MoO3层上沉积阳极电极。本发明利用MoO3作为绝缘介质层,肖特基接触会有明显的势垒增强效应,从而可以有效的避免p‑InP材料的费米能级钉扎效应继而实现Al/p‑InP肖特基接触更好的整流特性;且在310K温度下的理想因子却依旧在
  • 一种肖特基接触及其制备方法
  • [发明专利]一种量子点发光二极管及其制备方法-CN201611193114.8在审
  • 皮孝东;顾伟;杨德仁 - 浙江大学
  • 2016-12-21 - 2017-04-26 - H01L51/50
  • 本发明公开了一种量子点发光二极管及其制备方法,由下至上依次包括ITO玻璃衬底、MoO3修饰层、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和电极层,所述的MoO3修饰层的厚度为1~7nm。制备方法时依次在ITO玻璃衬底上制备MoO3修饰层、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和电极层即可。本发明的量子点发光二极管通过在空穴注入层和ITO玻璃衬底之间设置MoO3修饰层,以对ITO玻璃衬底和空穴注入层之间的界面进行调控,有效促进了量子点发光二极管中空穴的注入,使量子点发光二极管中电子、空穴的注入平衡
  • 一种量子发光二极管及其制备方法
  • [发明专利]一种基于MoOx-CN202010801996.1在审
  • 杜祖亮;蒋晓红;王安珍 - 河南大学
  • 2020-08-11 - 2020-09-22 - H01L51/50
  • 本发明属于发光二极管技术领域,具体涉及一种基于MoOx空穴注入层的QLED器件及其制备方法。本发明选择具有无毒﹑高功函数﹑良好环境稳定性的MoOX薄膜为空穴注入层,通过对MoOx薄膜进行厚度﹑退火温度﹑UV‑O3处理等实验参数的优化,获得基于MoOx混合空穴注入层的QLED器件,通过对器件性能进行表征,结果表明,当前驱体浓度为
  • 一种基于moobasesub
  • [发明专利]一种柔性自支撑MoO2-CN201911410269.6在审
  • 原长洲;王世超;刘洋;侯林瑞 - 济南大学
  • 2019-12-31 - 2020-04-21 - B01D71/64
  • 本发明属于自支撑柔性薄膜的制备技术领域,具体涉及一种静电纺丝技术合成MoO2@C纳米纤维柔性薄膜材料的方法。本发明静电纺丝技术合成MoO2@C纳米纤维柔性薄膜材料的方法为:取钼源溶于去离子水和乙二醇的混合液中,溶解后得到A溶液;向溶液A中加入聚乙烯吡咯烷酮(PVP)溶解后得到B溶液;将溶液B进行静电纺丝、烘干、预氧化、在惰性气氛条件下烧结,得到MoO2@C纳米纤维柔性薄膜材料。本发明的制备方法简便易控,耗能低,污染少,且该方法制备的MoO2@C纳米纤维薄膜厚度可控,为制备柔性自支撑薄膜材料提供了一种新的方法。
  • 一种柔性支撑moobasesub

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