[发明专利]III族氮化物晶体、III族氮化物基板及III族氮化物晶体的制造方法在审
| 申请号： | 202110645250.0 | 申请日： | 2021-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN113808926A | 公开（公告）日： | 2021-12-17 |
| 发明（设计）人： | 森勇介;吉村政志;今西正幸;北本启;隅智亮;泷野淳一;冈山芳央 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/223 | 分类号： | H01L21/223 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明提供III族氮化物晶体、III族氮化物基板及III族氮化物晶体的制造方法。提供具有优异的导电性和低吸光系数的III族氮化物晶体。III族氮化物晶体掺杂有N型掺杂剂和氢元素，N型掺杂剂的浓度为1×10 |
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| 搜索关键词： | iii 氮化物 晶体 制造 方法 | ||
【主权项】：
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- 本申请公开了一种晶圆加工装置，该晶圆加工装置包括：反应腔室，能放置多个沿纵向方向堆叠的晶圆；以及多个第一管路，用于输送第一反应气体，每个第一管路从反应腔室的下方沿纵向方向延伸至相应的预设高度，其中，每个第一管路的输气口在相应的预设高度处向反应腔室提供第一反应气体，且多个第一管路的输气口分别与不同位置处的晶圆对应。该晶圆加工装置通过在不同预设高度分别向晶圆提供第一反应气体，使得每个晶圆都可以充分与第一反应气体接触并发生反应。
- 一种高效的硼扩散工艺-202111464207.0
- 董思敏;欧文凯;向亮睿 - 普乐新能源科技（徐州）有限公司
- 2021-12-03 - 2022-04-19 - H01L21/223
- 本发明涉及一种高效的硼扩散工艺，具体包括以下步骤：1)将N型硅片送入低压扩散炉内并完成升温及捡漏；2)升温至预沉积温度一完成前氧及预沉积一；3)升温至预沉积温度二并恒温一定时间完成推结一，预沉积二及氧化；4)升温至推进温度进行推结二及后氧；5)降温并出管。本发明优点在于：提出一种高效的硼扩散工艺，预沉积一为主要掺杂源，保证了掺杂的深度，在二次沉积前后均有通氧进行氧化的步骤，让硼源沉积在氧化层中(BSG)，保证了硅片在硼掺杂过程中，抑制高浓度硼往硅中扩散，使得非激活硼的含量较少，可有效减少复合，降低表面浓度，从而提升转换效率。
- 一种CVD设备-201911232135.X
- 刘子优;肖藴章;陈炳安;钟国仿;张灿 - 深圳市纳设智能装备有限公司
- 2019-12-05 - 2022-03-18 - H01L21/223
- 本发明属于化学气相沉积技术领域，具体涉及一种CVD设备，包括射频组件及反应腔室组件，其中，所述射频组件包括射频发生器及射频转换器，所述反应腔室组件包括上盖板及下腔体，所述上盖板上贯穿有上排气孔，所述下腔体设置有下出气口，所述上盖板及下腔体构成的腔室内设置有喷淋板及加热盘，所述射频组件分别与喷淋板及加热盘电连接。本发明所提供的CVD设备，带有射频转换器，同时在上盖板设置上排气孔，在下腔体设置下出气口，在薄膜形成后控制射频转换器进行电极转换，使等离子体的加速方向发生改变，同时控制上盖板的上排气孔打开，以抽走多余的等离子体，进而减少多余的等离子体落到薄膜上的几率，从而提高了薄膜质量。
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
