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[发明专利]III族氮化物基板和III族氮化物结晶的制造方法-CN201910617944.6有效
发明人：森勇介;吉村政志;今西正幸;北本启;泷野淳一;隅智亮;冈山芳央 -专利权人：国立大学法人大阪大学;松下控股株式会社
申请日： 2019-07-09 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：本发明提供一种低电阻且可控制晶格常数的III族氮化物基板。III族氮化物基板具有III族氮化物的基材部，所述III族氮化物的基材部具有表面、背面、和在表面与背面之间的内层，基材部的表面的碳浓度比内层的碳浓度高。III族氮化物结晶的制造方法中，从III族氮化物结晶的生长初期至生长中期，使III族元素氧化物气体与生长后期相比高浓度地生成，并高浓度地供给至育成室，并且将含碳元素气体高浓度地供给至育成室，在III族氮化物结晶的生长后期，使III族元素氧化物气体与生长初期至生长中期相比低浓度地生成，并低浓度地供给至育成室，并且将含碳元素气体低浓度地供给至育成室。
iii 氮化物结晶制造方法

[发明专利]III族氮化物结晶的制造方法-CN201910135561.5有效
发明人：森勇介;今西正幸;吉村政志;村上航介;冈山芳央 -专利权人：国立大学法人大阪大学;松下控股株式会社
申请日： 2019-02-21 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本发明提供一种表面平坦、高品质且大尺寸的III族氮化物结晶的制造方法，其包括：在基板上准备作为种晶的多个III族氮化物的种晶准备工序；以及，通过在包含氮气的气氛下使种晶的表面接触包含碱金属和选自镓、铝和铟中的至少1种III族元素的熔液，从而使上述III族元素与上述氮在熔液中发生反应，使III族氮化物结晶生长的结晶生长工序，结晶生长工序包括：由多个种晶分别生长截面为三角形或梯形的多个第一III族氮化物结晶的第一结晶生长工序；使第二III族氮化物结晶在多个第一III族氮化物结晶的间隙中生长的第二结晶生长工序。
iii 氮化物结晶制造方法

[发明专利]RAMO4-CN201710068257.4有效
发明人：鹰巢良史;冈山芳央;石桥明彦;田代功;上田章雄;信冈政树;领木直矢 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2017-02-07 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明提供一种更高品质的基板。所述基板是包含通式RAMO4所表示的单晶体(通式中，R表示选自Sc、In、Y和镧系元素中的一个或多个三价元素，A表示选自Fe(III)、Ga和Al中的一个或多个三价元素，M表示选自Mg、Mn、Fe(II)、Co、Cu、Zn和Cd中的一个或多个二价元素)的RAMO4基板，所述RAMO4基板在一面具有外延生长面，在另一面具有暗光面，所述暗光面具有比所述外延生长面更大的表面粗糙度。
ramo base sub

[发明专利]发光装置、制造方法以及波导构造体-CN202111471755.6在审
发明人：领木直矢;西川幸男;旭雄大;冈山芳央 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2021-12-03 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： G02B6/00 文献下载
摘要：发光装置具备：光源，从光出射面出射具有指向性的光；波导构造体，具有：具有与光出射面对置的入口的光波导路径以及从入口向光出射面侧突出的周壁部；和透镜，处于光出射面与入口之间。周壁部具有包围入口的内表面。在周壁部，光出射面侧的开口比入口侧的开口大。周壁部包含从光的光轴的方向来看而周壁部的内部空间比透镜小的窄口部位。周壁部的内表面至少在窄口部位，包含倾斜为越接近入口则内部空间越窄的倾斜面。透镜被配置为在周壁部的内部空间与窄口部位抵接。
发光装置制造方法以及波导构造

[发明专利]III族氮化物晶体的制造方法-CN202110740713.1在审
发明人：森勇介;吉村政志;今西正幸;北本启;泷野淳一;隅智亮;冈山芳央 -专利权人：国立大学法人大阪大学;松下电器产业株式会社
申请日： 2021-06-30 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本发明提供一种多晶化被抑制并且生长速度快的III族氮化物晶体的制造方法。III族氮化物晶体的制造方法包括：准备种基板的工序、生成III族元素氧化物气体的工序、供给III族元素氧化物气体的工序、供给含氮元素气体的工序、供给含氮元素氧化性气体的工序、以及使III族氮化物晶体在种基板上生长的工序，含氮元素氧化性气体包含选自NO气体、NO2气体、N2O气体和N2O4气体中的至少一种。
iii 氮化物晶体制造方法

[发明专利]III族氮化物晶体、III族氮化物基板及III族氮化物晶体的制造方法-CN202110645249.8在审
发明人：森勇介;吉村政志;今西正幸;北本启;隅智亮;泷野淳一;冈山芳央 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2021-06-09 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本发明提供III族氮化物晶体、III族氮化物基板及III族氮化物晶体的制造方法。提供具有优异的导电性和低吸光系数的III族氮化物晶体。III族氮化物晶体掺杂有N型掺杂剂和锗元素，N型掺杂剂的浓度为1×1019cm‑3以上，锗元素的浓度为N型掺杂剂的浓度的9倍以上。
iii 氮化物晶体制造方法

[发明专利]III族氮化物晶体、III族氮化物基板及III族氮化物晶体的制造方法-CN202110645250.0在审
发明人：森勇介;吉村政志;今西正幸;北本启;隅智亮;泷野淳一;冈山芳央 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2021-06-09 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： H01L21/223 文献下载
摘要：本发明提供III族氮化物晶体、III族氮化物基板及III族氮化物晶体的制造方法。提供具有优异的导电性和低吸光系数的III族氮化物晶体。III族氮化物晶体掺杂有N型掺杂剂和氢元素，N型掺杂剂的浓度为1×1020cm‑3以上，氢元素的浓度为1×1019cm‑3以上。
iii 氮化物晶体制造方法

[发明专利]III族氮化物基板-CN202011005460.5在审
发明人：森勇介;吉村政志;今西正幸;北本启;泷野淳一;隅智亮;冈山芳央 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2020-09-22 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种在实现高载流子浓度的同时、位错低且电阻低的III族氮化物基板。III族氮化物基板在经过研磨的面内，具有显示第1杂质浓度的第1区域和显示低于第1杂质浓度的第2杂质浓度的第2区域，第1区域的第1位错密度低于第2区域的第2位错密度。
iii 氮化物

[发明专利]RAMO4-CN201711280650.6有效
发明人：小松真介;冈山芳央;信冈政树 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2017-12-06 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明的目的在于，提供品质更良好的RAMO4基板。本发明提供一种RAMO4基板，其包含含有通式RAMO4表示的单晶体(通式中，R表示选自由Sc、In、Y和镧系元素组成的组中的一种或多种三价元素，A表示选自由Fe(III)、Ga和Al组成的组中的一种或多种三价元素，M表示选自由Mg、Mn、Fe(II)、Co、Cu、Zn和Cd组成的组中的一种或多种二价元素)的RAMO4单晶基板，所述RAMO4单晶基板在主面具备多个槽，所述主面相对于所述单晶体的劈开面具有偏离角θ，将位于所述槽间的凸部的顶面的宽度记作Wx，并将所述凸部的高度记作Wy时，满足tanθ≤Wy/Wx。
ramo base sub

[发明专利]RAMO4-CN201710055484.3有效
发明人：鹰巢良史;冈山芳央;石桥明彦;田代功;上田章雄;信冈政树;领木直矢 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2017-01-24 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明提供一种更高品质的基板。所述基板是包含通式RAMO4所表示的单晶体(通式中，R表示选自Sc、In、Y和镧系元素中的一个或多个三价元素，A表示选自Fe(III)、Ga和Al中的一个或多个三价元素，M表示选自Mg、Mn、Fe(II)、Co、Cu、Zn和Cd中的一个或多个二价元素)的RAMO4基板，所述RAMO4基板在至少一面具有外延生长面，在所述外延生长面没有高度500nm以上的凹凸。
ramo base sub

[发明专利]III族氮化物半导体的制造方法-CN202010302443.1在审
发明人：岩泽绫子;冈山芳央;冈本贵敏 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2020-04-16 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： H01L21/268 文献下载
摘要：本发明提供制造III族氮化物半导体的方法。III族氮化物半导体的制造方法具有如下工序。准备从背面向表面依次层叠有第一III族氮化物层和第二III族氮化物层的III族氮化物基板的工序，所述第一III族氮化物层对于400nm～700nm的规定波长具有60％以上的透射率，所述第二III族氮化物层以1×1020cm‑3以上的浓度含有作为杂质的氧，且对于上述规定波长具有0.1％以下的透射率，并设置在上述第一III族氮化物层上。在上述III族氮化物基板的表面侧形成设备结构的工序。使激光的聚光点在从上述III族氮化物基板的背面侧的上述第一III族氮化物层比上述第二III族氮化物层更靠前处聚集，利用多光子吸收在上述第一III族氮化物层形成内部改性层，以上述内部改性层作为边界来分割上述III族氮化物基板的工序。
iii 氮化物半导体制造方法

[发明专利]RAMO4基板及其制造方法-CN201710066347.X有效
发明人：鹰巢良史;冈山芳央;石桥明彦;田代功;上田章雄;信冈政树;领木直矢 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2017-02-06 - 公布日： 2020-09-15 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：本发明的课题在于提供更高品质的基板。解决方法为一种RAMO4基板，其是包含通式RAMO4所表示的单晶体(通式中，R表示选自Sc、In、Y和镧系元素中的一个或多个三价元素，A表示选自Fe(III)、Ga和Al中的一个或多个三价元素，M表示选自Mg、Mn、Fe(II)、Co、Cu、Zn和Cd中的一个或多个二价元素)的RAMO4基板，在至少一面具有外延生长面，所述外延生长面具有有规则性分布的、相互分离的多个劈开面。
ramo4 及其制造方法

[发明专利]III族氮化物晶体的制造方法及晶种基板-CN202010103889.1在审
发明人： 冈山芳央;小松真介;多田昌浩;森勇介;今西正幸;吉村政志 -专利权人：松下电器产业株式会社;国立大学法人大阪大学
申请日： 2020-02-20 - 公布日： 2020-08-28 - 主分类号： C30B15/22 文献下载
摘要：本发明以提供不易产生裂开或裂缝的III族氮化物晶体的制造方法及晶种基板为技术问题。为了解决上述技术问题，本发明的III族氮化物晶体的制造方法包括：籽晶准备工序，在基板之上配置多个III族氮化物的晶体作为多个籽晶；晶体生长工序，在包含氮的环境下，使籽晶的表面接触包含从镓、铝、及铟中选择的至少一种III族元素以及碱金属的熔融液，来使III族氮化物晶体生长。在所述籽晶准备工序中，将多个籽晶配置于在基板上设置的六边形区域内部。
iii 氮化物晶体制造方法晶种基板

[发明专利]III族氮化物结晶的制造方法-CN202010094897.4在审
发明人：森勇介;今西正幸;吉村政志;村上航介;小松真介;多田昌浩;冈山芳央 -专利权人：国立大学法人大阪大学;松下电器产业株式会社
申请日： 2020-02-14 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本发明提供一种制造高品质的III族氮化物结晶的方法。III族氮化物结晶的制造方法包括：晶种准备工序，在基板上准备多个点状的III族氮化物作为用于生长III族氮化物结晶的多个晶种；以及结晶生长工序，在包含氮的气氛下，使上述晶种的表面接触包含选自镓、铝和铟中的至少1种III族元素以及碱金属的熔液，由此使III族元素与氮在熔液中发生反应而使III族氮化物结晶生长，结晶生长工序包括：成核工序，由多个晶种形成晶核；棱锥生长工序，使棱锥形状的第一III族氮化物结晶由多个晶核生长；以及横向生长工序，使第二III族氮化物结晶以填埋多个棱锥形状的第一III族氮化物结晶的间隙而使表面平坦的方式生长。
iii 氮化物结晶制造方法

[发明专利]III族氮化物结晶的制造方法及III族氮化物结晶制造装置-CN201580021973.6有效
发明人：森勇介;吉村政志;今出完;伊势村雅士;冈山芳央 -专利权人：国立大学法人大阪大学;伊藤忠塑料株式会社;松下电器产业株式会社
申请日： 2015-03-03 - 公布日： 2019-04-26 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：通过气相生长法制造大尺寸且变形、位错、翘曲等缺陷少的高品质III族氮化物结晶。制造方法包括下述步骤：第1III族氮化物结晶制造步骤，通过液相生长法制造第1III族氮化物结晶1003；第2III族氮化物结晶制造步骤，在第1结晶1003上，通过气相生长法使III族元素金属和氧化剂和含氮气体反应而制造第2III族氮化物结晶1004，其特征在于：所述第1III族氮化物结晶制造步骤使预先准备的III族氮化物的多个晶种1003a的表面与碱金属熔液接触，在含氮气氛下，使III族元素和所述氮在所述碱金属熔液中反应，通过由多个晶种1003a生长的多个III族氮化物结晶的生长，使所述多个III族氮化物结晶结合而作为第1结晶1003。
iii 氮化物结晶制造方法装置

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